阵列基板和显示装置制造方法

文档序号:2710610阅读:132来源:国知局
阵列基板和显示装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示【技术领域】,公开了一种阵列基板和显示装置,其包括衬底基板、数据线和栅线,所述数据线和栅线交叠设置在所述衬底基板上,所述数据线和栅线之间设有有源层,所述有源层相对的两侧分别具有延伸部,每个所述延伸部具有折弯部。本发明利用了尖端放电原理,在有源层的两侧设置延伸部,且该延伸部具有折弯部,其折弯处相比于其它部位为尖端部位,在阵列基板发生静电效应(ESD效应)时,由于静电效应所产生的电荷都聚集在折弯部进行放电,由此可避免在数据线和栅线连接处的有源层上产生孔洞,避免数据线沉积与栅线直接连接,进而避免阵列基板由于静电效应所产生的横纹、花屏等不良的现象,可提高产品的品质和良率。
【专利说明】阵列基板和显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】,特别是涉及一种阵列基板和显示装置。
【背景技术】
[0002]在TFT LCD的阵列基板的外围区域有大量的数据线和栅线交叠区域。为了栅线的平缓,在数据线上增加一层方形的有源层,以改善坡度。
[0003]现在随着阵列基板行驱动技术(即Gate Driver on Array,简称GOA技术)的运用,阵列基板的外围出现大量的数据线和栅线的交叠,为了使得数据线平缓,在数据线和栅线之间设置有源层,以改善其坡度。
[0004]如图1所示,在阵列基板与滚轮、机械手接触时摩擦产生电荷,由于电荷释放而使得阵列基板容易发生静电效应(英文名为Electro-Static discharge,简称ESD),如图1a所示,会在数据线3与栅线I之间的有源层2上产生孔洞4,如图1b所示,使得数据线3沉淀后与栅线I直接连接,如图1c所示,由此会造成容易产生横纹、花屏等不良的现象,如图1d所不,由此会影响广品品质和良率。

【发明内容】

[0005](一)要解决的技术问题
[0006]本发明要解决的目的是一种阵列基板和显示装置,以避免静电效应对阵列基板上数据线和栅线的交叠造成的不良现象。
[0007](二)技术方案
[0008]为了解决上述技术问题,本发明提供的一种阵列基板,其包括衬底基板、数据线和栅线,所述数据线和栅线交叠设置在所述衬底基板上,所述数据线和栅线之间设有有源层,所述有源层相对的两侧分别具有延伸部,每个所述延伸部具有折弯部。
[0009]进一步地,每个所述延伸部具有I个或多个折弯部。
[0010]进一步地,所述延伸部为栅栏结构。
[0011]进一步地,所述延伸部包括延伸部本体和设置在所述延伸部主体相对的两侧的多个所述的折弯部,所述延伸部本体的一端与有源层的侧部连接,其另一端沿着所述栅线的长度方向向外延伸,所述延伸部本体相对的两侧的多个折弯部对称设置。
[0012]进一步地,所述延伸部为沿着所述栅线的长度方向延伸的部件。
[0013]进一步地,所述栅线的宽度al为4?10 μ m,所述数据线的宽度a2为4?10 μ m,有源层的宽度a3为(a2+4) μ m,其长度c为(a2+8) μ m,所述有源层的侧部与折弯部之间的距离I为I?3 μ m,所述折弯部的宽度a5为I?3 μ m。
[0014]进一步地,所述延伸部主体的宽度a4为(al-2) Um0
[0015]本发明还提供一种显示装置,其包括上述的阵列基板。
[0016](三)有益效果
[0017]上述技术方案所提供的一种阵列基板和具有该阵列基板的显示装置,利用了尖端放电原理,在有源层的两侧设置延伸部,且该延伸部具有折弯部,其折弯处相比于其它部位为尖端部位,在阵列基板发生静电效应(ESD效应)时,由于静电效应所产生的电荷都聚集在折弯部进行放电,由此可避免在数据线和栅线连接处的有源层上产生孔洞,避免数据线沉积与栅线直接连接,进而避免阵列基板由于静电效应所产生的横纹、花屏等不良的现象,可提闻广品的品质和良率。
【专利附图】

【附图说明】
[0018]图1是现有技术中ESD效应产生过程的原理图;
[0019]图2是本发明衬底基板的结构示意图;
[0020]图3是本发明中有源层的结构示意图;
[0021]图4是本发明发生ESD效应的原理图。
[0022]其中,1、栅线;2、有源层;3、数据线;4、孔洞;10、栅线;20、有源层;21、延伸部;211、折弯部;211、延伸部主体;22、有源层的侧部;30、数据线。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图和实施例,对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
[0024]如图2所示,本发明的一种阵列基板,其包括衬底基板、数据线30和栅线10,数据线30和栅线10交叠设置在衬底基板上,数据线30和栅线10之间设有有源层20,有源层20相对的两侧分别具有延伸部21,每个延伸部21具有折弯部211。
[0025]本发明利用了尖端放电原理,在有源层的两侧设置延伸部,且该延伸部具有折弯部,其折弯处相比于其它部位为尖端部位,在阵列基板发生静电效应(ESD效应)时,由于静电效应所产生的电荷都聚集在折弯部211进行放电,如图4所示,由此可避免在数据线30和栅线10连接处的有源层上产生孔洞,避免数据线沉积与栅线直接连接,进而避免阵列基板由于静电效应所广生的横纹、花屏等不良的现象,可提闻广品的品质和良率。
[0026]延伸部为有源层沿着栅线10的长度方向延伸的部件。每个延伸部21分别具有一个或多个折弯部211,设置多个折弯部211可有效保护栅线和数据线连接处的功能区域,减小ESD效应发生的风险。
[0027]如图3所示,本发明优选实施例的延伸部22为栅栏结构,其包括延伸部本体212和设置在该延伸部主体相对的两侧的多个折弯部211,该延伸部主体212的一端与有源层的侧部22连接,其另一端沿着栅线10的长度方向向外延伸,该延伸部主体212相对的两侧的折弯部211对称设置。
[0028]以下给出本发明阵列基板相关部件的相关参数的优选值,但需要说明的是,以下参数的选值并不用来限制本发明,这些参数可以根据实际需要进行设置,其中:栅线10的宽度al为4?10 μ m,数据线30的宽度a2为4?10 μ m,有源层20的宽度a3为(a2+4)ym,其长度c3为(a2+8) μ m,延伸部主体212的宽度a4为(al_2) μ m,其长度c4为6?15 μ m,有源层的侧部22与折弯部211之间的距离I为I?3μπι,折弯部211的宽度a5为I?3 μ m,多个折弯部之间的间隔与有源层的侧部22与折弯部211之间的距离I可相等或不相等。优选地,有源层的侧部22与折弯部211之间的距离I为2 μ m,折弯部的宽度a4为2 u rn,延伸部王体212的长度c4为10 u rn。
[0029]本发明的一种显示装置,其包括上述技术方案所提供的阵列基板。
[0030]本发明的阵列基板和具有该阵列基板的显示装置,在有源层相对的两侧设置延伸部,并在延伸部上设置折弯部,利用尖端放电原理,ESD效应集中在折弯部进行,避免在数据线和栅线连接处的有源层上产生孔洞,由此避免数据线沉积与栅线直接连接,进而避免阵列基板由于静电效应所广生的横纹、花屏等不良的现象,可提闻广品的品质和良率;且弯折部为多个,延伸部为栅栏结构,可有效保护栅线和数据线连接处的功能区域,减小ESD效应发生的风险。
[0031]以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本【技术领域】的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种阵列基板,其包括衬底基板、数据线和栅线,所述数据线和栅线交叠设置在所述衬底基板上,所述数据线和栅线之间设有有源层,其特征在于,所述有源层相对的两侧分别具有延伸部,每个所述延伸部具有折弯部。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述延伸部具有I个或多个折弯部。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述延伸部为栅栏结构。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述延伸部包括延伸部本体和设置在所述延伸部主体相对的两侧的多个所述的折弯部,所述延伸部本体的一端与有源层的侧部连接,其另一端沿着所述栅线的长度方向向外延伸,所述延伸部本体相对的两侧的多个折弯部对称设置。
5.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述延伸部为沿着所述栅线的长度方向延伸的部件。
6.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线的宽度al为4?10 μ m,所述数据线的宽度a2为4?10 μ m,有源层的宽度a3为(a2+4) μπι,其长度c为(a2+8) μ m,所述有源层的侧部与折弯部之间的距离I为I?3 μ m,所述折弯部的宽度a5为I?3 μ m。
7.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述延伸部主体的宽度a4为(al-2)μ m0
8.—种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
【文档编号】G02F1/1362GK103809341SQ201410053374
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2014年2月17日 优先权日:2014年2月17日
【发明者】唐磊, 任健, 李鑫, 裴扬, 张莹, 王振伟 申请人:北京京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
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