1.半色调相移光掩模坯，包括透明基材和在其上相对于波长200nm以下的光提供9％-40％的透射率和150°-200°的相移的半色调相移膜，其中
所述半色调相移膜由过渡金属、硅、氧和氮组成，具有至少3at％的平均过渡金属含量，并且由多个层组成，该多个层包括至少一个由该过渡金属、硅、氧和氮组成的应力松弛层和至少一个由该过渡金属、硅、氧和氮组成的相移调节层，
所述应力松弛层具有最低的至少3at％的氧含量，
所述相移调节层具有比该应力松弛层的氧含量高至少2at％的至少5at％的氧含量。
2.权利要求1的光掩模坯，其中所述半色调相移膜与该透明基材邻接地形成。
3.权利要求2的光掩模坯，其中最接近该透明基材设置的层为该应力松弛层。
4.权利要求1的光掩模坯，其中所述半色调相移膜由至少三层组成，并且该相移调节层的每个与任意的应力松弛层邻接地设置。
5.权利要求1的光掩模坯，其中该过渡金属含量在5at％-10at％的范围内。
6.权利要求1的光掩模坯，其中该过渡金属为钼。
7.权利要求1的光掩模坯，其中该半色调相移膜具有9％-12％的透射率。
8.权利要求1的光掩模坯，其中该半色调相移膜具有15％-30％的透射率。
9.权利要求1的光掩模坯，其加工为半色调相移光掩模，该光掩模适合用于在可加工的基材上形成具有50nm以下的半间距的图案的光刻，以及用于使用波长200nm以下的曝光光将该图案转印到在该可加工的基材上形成的光致抗蚀剂膜的图案曝光步骤。
10.半色调相移光掩模坯的制备方法，该半色调相移光掩模坯包括透明基材和在其上相对于波长200nm以下的光提供9％-40％的透射率和150°-200°的相移的半色调相移膜，
所述方法包括在该透明基材上形成半色调相移膜的步骤，所述半色调相移膜由过渡金属、硅、氧和氮组成，具有至少3at％的平均过渡金属含量，并且由多个层组成，该多个层包括至少一个由该过渡金属、硅、氧和氮组成的应力松弛层和至少一个由该过渡金属、硅、氧和氮组成的相移调节层，所述应力松弛层具有最低的至少3at％的氧含量，所述相移调节层具有比该应力松弛层的氧含量高至少2at％的至少5at％的氧含量。
11.权利要求10的方法，其中该半色调相移膜具有9％-12％的透射率，并且该方法还包括对该基材上的半色调相移膜照射含红外的光的脉冲的步骤。
12.权利要求11的方法，还包括在含红外的光的脉冲照射的步骤前通过在250-600℃下保持至少2小时从而对该基材上的半色调相移膜进行热处理的步骤。
13.权利要求10的方法，其中该半色调相移膜具有15％-30％的透射率，并且该方法还包括通过在250-600℃下保持至少2小时从而对该基材上的半色调相移膜进行热处理的步骤，但不包括含红外的光的脉冲照射的步骤。
14.半色调相移光掩模，包括透明基材和在其上相对于波长200nm以下的光提供9％-40％的透射率和150°-200°的相移的半色调相移膜，其中
所述半色调相移膜由过渡金属、硅、氧和氮组成，具有至少3at％的平均过渡金属含量，并且由多个层组成，该多个层包括至少一个由该过渡金属、硅、氧和氮组成的应力松弛层和至少一个由该过渡金属、硅、氧和氮组成的相移调节层，所述应力松弛层具有最低的至少3at％的氧含量，所述相移调节层具有比该应力松弛层的氧含量高至少2at％的至少5at％的氧含量。