有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法与流程

本发明涉及一种掩膜板使用方法，尤其涉及一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法。

背景技术：

光刻胶主要使用在光刻工艺中，由于响应紫外线光的特性不同主要分为两类：正性光刻胶和负性光刻胶。光照后形成不可溶物质的为负性胶；反之，对某些溶剂不可溶，经过光照后形成可溶物质的为正性胶。

目前，大多数薄膜晶体管(TFT)阵列基板制造过程中使用的有机膜与光刻胶均为正性，阵列基板制造过程中进行的曝光工艺均需要使用掩膜板(Mask)，每一次曝光需要一块掩膜板，而掩膜板价格昂贵，所以一个产品在购买掩膜板上需要花费大量资金。

掩膜板的基本构造是在石英基板上沉积一层铬膜，铬膜镂空的地方形成需要的特定图形。铬膜不透光，镂空的地方可以透光。半曝光掩膜板中铬膜镂空的特定位置上有半透膜，半透膜可以透过部分光强。正常的掩膜板设计为一块掩膜板上设计一个图案形状(Pattern)。

阵列基板制造过程中一般需要进行6-9次曝光，就需要6-9块掩膜板，极大的增加了产品的开发和生产成本。另外，曝光机的掩膜板容量小，增加掩膜板就增加了曝光机的负荷，同时闲置的掩膜板也需要进行维护，增加人力和物力成本。如何减少使用掩膜板的数量，降低成本是急需解决的行业难题。

技术实现要素：

发明目的：针对以上问题，本发明提出一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法。

技术方案：为实现本发明的目的，本发明所采用的技术方案是：一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，包括以下步骤：(1)制作石英基板：石英基板上镀一层铬膜，镂空区域对应有机膜技术的过孔或空白区，半透膜区域对应ITO薄膜技术的图案；(2)对基板进行负性有机膜涂布；(3)对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；(4)对曝光后的基板进行显影，不透光区域的有机膜被除去；(5)对基板进行ITO沉积镀膜；(6)对基板进行正性光刻胶涂布、曝光；(7)对基板进行显影，铬膜和半透膜区域的光刻胶存在，其余区域的光刻胶被除去；(8)对基板进行蚀刻，形成ITO所需的图案。

使用正性有机膜和负性光刻胶也可以实现有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的设计。

有益效果：本发明的方法通过正负性有机膜和光刻胶的交叉使用，实现了有机膜技术与ITO薄膜技术中掩膜板的共用，节省掩膜板的使用数量，也降低了曝光机的负荷，降低了生产成本。

附图说明

图1是使用负性有机膜和正性光刻胶的石英基板示意图；

图2是使用正性有机膜和负性光刻胶的石英基板示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。

本发明所述的有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，在一块掩膜板上设计两种图案形状，以及设计掩膜板半透膜，通过正负性有机膜和正负性光刻胶的交叉使用，实现了有机膜技术与ITO薄膜技术共用一块掩膜板，从而节省了一块掩膜板，同时降低了曝光机的负荷。同时本发明也没有增加工艺流程和工艺难度，可以与现有工艺很好的匹配。

本发明适用于有机膜技术和ITO薄膜技术的各种显示模式，下面以负性有机膜和正性光刻胶的设计方法为例，说明有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的设计方法。如图1所示，石英基板上镀一层铬膜，镂空的位置对应有机膜技术的过孔或空白区，半透膜对应ITO薄膜技术的图案。

有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法包括如下详细步骤：

1.制作如图1所示的符合设计要求的石英基板；

2.对基板进行有机膜技术需要的负性有机膜涂布；

3.对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；

4.对曝光后的基板进行显影，由于采用的是负性有机膜，显影时，铬膜上不透光区域的有机膜就会被除去；

5.对基板进行ITO薄膜技术需要的沉积镀膜；

6.对基板进行正性光刻胶的涂布和曝光；

7.对基板进行显影，铬膜和半透膜挡住的地方，光刻胶存在，其余地方的光刻胶被除去；

8.对基板进行蚀刻，形成ITO所需的图案。

使用正性有机膜和负性光刻胶也可以实现有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的设计，其使用的基板如图2所示，方法类似，不再赘述。