1.一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)制作石英基板：石英基板上镀一层铬膜，镂空区域对应有机膜技术的过孔或空白区，半透膜区域对应ITO薄膜技术的图案；
(2)对基板进行负性有机膜涂布；
(3)对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；
(4)对曝光后的基板进行显影，不透光区域的有机膜被除去；
(5)对基板进行ITO沉积镀膜；
(6)对基板进行正性光刻胶涂布、曝光；
(7)对基板进行显影，铬膜和半透膜区域的光刻胶存在，其余区域的光刻胶被除去；
(8)对基板进行蚀刻，形成ITO所需的图案。
2.根据权利要求1所述的有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，其特征在于：使用正性有机膜和负性光刻胶进行基板涂布。