一种DBC基板曝光治具的制作方法

本实用新型涉及半导体制造、LED、光通讯领域，特别适用于半导体制冷器、LED、功率半导体等的DBC基板制造的技术领域，具体是一种DBC基板曝光治具。

背景技术：

DBC基板由覆铜的陶瓷绝缘体构成，DBC基板在制备过程中，需将菲林上的图形经曝光工艺转移到DBC基板的覆铜表面上。曝光时将DBC基板放入由上下菲林组成的书包夹式的曝光支局中间，抽真空后曝光机压紧上菲林和DBC基板进行曝光。现在常用的书包夹曝光治具是在下菲林的左侧和后侧各放入一个靠板，曝光时将DBC基板瓷片部分的左侧和后侧分别紧靠这两个面。由于DBC基板瓷片部分的外形尺寸通常要比两面覆设的铜片的尺寸要大，当上菲林、DBC基板及下菲林放入书包夹时，上菲林、DBC基板及下菲林之间会出现台阶，且因为瓷片较脆，在抽真空的过程中，曝光机直接压覆在上菲林和DBC基板上，容易压损到DBC瓷片部分的前侧的两个边角，且可能产生裂缝并延伸到产品内部，使产品产生绝缘不良而报废。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种曝光机不直接压在瓷片上的装置，以防止瓷片边角受压及产生裂缝，提高产品良率。

为了达到上述目的，本实用新型提供了一种DBC基板曝光治具，包括由下至上依次覆设的下菲林、下铜片、瓷片、上铜片及上菲林，所述下菲林与上菲林的外形相对应匹配，所述下铜片与上铜片的外形相对应匹配，所述下菲林的外形尺寸＞所述下铜片及所述瓷片的外形尺寸，所述下铜片的外形尺寸＜所述瓷片的外形尺寸，

所述的瓷片的左侧抵接左靠板，该瓷片的后侧边抵接后靠板；

所述瓷片的左前角及右前角分别设有“L”型板，这两个“L”型板的直角朝向分别与所述瓷片的左前角及右前角相对应；

所述“L”型板的高度＞所述下铜片与瓷片的叠加高度；

所述“L”型板与所述上菲林抵接。

优选地，所述的“L”型板在直角处形成圆形凹口。“L”型板的直角处开设的凹口使DBC基板放入治具后，Malar压上菲林和DBC基板时，瓷片直角正好在该凹口处，避免瓷片直角直接碰到L形靠板。

优选地，所述的凹口半径≥1mm；

所述“L”型板的厚度＞3mm。

优选地，所述的“L”型板与所述瓷片的距离＞1.5mm。

优选地，所述的“L”型板的高度＜所述下铜片、瓷片及上铜片的叠加高度。

本实用新型的有益效果是，在原书报夹式曝光治具的基础上，在瓷片朝前侧的两直角处添加“L”型板，使Malar曝光机直接压在这两个“L”型板上，而不压在瓷片上，防止瓷片的两个边角受压破损及可能产生裂缝。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的纵向剖视的结构示意图。

其中：

1-下菲林 2-下铜片 3-瓷片

4-上铜片 5-上菲林 6-“L”型板

61-圆形凹口 7-玻璃板 8-曝光机

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本实用新型做进一步说明。

实施例1：

如图1所示的一种DBC基板曝光治具，包括由下至上依次覆设的下菲林1、下铜片2、瓷片3、上铜片4及上菲林5，所述下菲林1与上菲林5的外形相对应匹配，所述下铜片2与上铜片4的外形相对应匹配，所述下菲林1的外形尺寸＞所述下铜片2及所述瓷片3的外形尺寸，所述下铜片2的外形尺寸＜所述瓷片3的外形尺寸，

所述的瓷片3的左侧抵接左靠板，该瓷片3的后侧边抵接后靠板；

所述瓷片3的左前角及右前角分别设有“L”型板6，这两个“L”型板6的直角朝向分别与所述瓷片3的左前角及右前角相对应；

所述“L”型板的高度＞所述下铜片2与瓷片3的叠加高度；

所述“L”型板与所述上菲林5抵接。

所述的“L”型板在直角处形成圆形凹口61。

所述的凹口61半径≥1mm；

所述“L”型板的厚度＞3mm。

所述的“L”型板6与所述瓷片3的距离＞1.5mm。

所述的“L”型板的高度＜所述下铜片2、瓷片3及上铜片4的叠加高度。

在原书报夹式曝光治具的基础上，在瓷片朝前侧的两直角处添加“L”型板，使Malar曝光机8直接压在这两个“L”型板上，受压点为A，而不压在瓷片上，防止瓷片的两个边角受压破损及可能产生裂缝。

以上已对本实用新型创造的较佳实施例进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述的实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型创造精神的前提下还可以作出种种的等同的变型或替换，这些等同变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。