专利名称：共聚物树脂,其制备方法及用其制成的光致抗蚀剂的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于制造电子装置的光致抗蚀剂的共聚物树脂。此光致抗蚀剂可用于紫外线，像KrF或ArF。更具体的说，本发明涉及一种制备该光致抗蚀剂的方法，使用此光致抗蚀剂的方法，以及光致抗蚀剂本身。在一示列性实施方案中，本发明涉及一种光致抗蚀剂树脂，其中顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯单元已被导入用作光致抗蚀剂的降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物结构中，此光致抗蚀剂可应用于能用来制造1G或4G DRAM元件及其它元件而使用的KrF(248nm)或ArF(193nm)光源的光刻程序；本发明也涉及制备此共聚物树脂的方法，及包含此树脂的光致抗蚀剂。
各种类型的光致抗蚀剂已被使用或建议使用。这些光致抗蚀剂通常具有各种特征或特性，像蚀刻阻抗性、粘着性，及其它性质。一般而言，蚀刻阻抗性、具有193nm波长低光吸收的粘着性等性质对用于ArF的共聚物树脂是必须的。此共聚物树脂应使用2.38wt％四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)显像。然而，合成一个能够满足一种或数种这些性质的共聚物树脂是非常困难的。许多的研究者致力于研究降冰片基类的树脂以增加在193nm波长的透明性，及增加蚀刻阻抗性。有一个例子为贝尔实验室(Bell Lab)曾尝试将脂环单元导入分子的主干中以提高其蚀刻阻抗性。这类主干具有降冰片基，丙烯酸酯及顺丁烯二酸酐取代基的共聚物树脂的化学式例如下式Ⅰ所示
式Ⅰ的共聚物树脂，其中用于聚合脂环烯烃基的顺丁烯二酸酐部分(A部分)是唯一和降冰片烯及脂环单元聚合的物质，且没有吸收波长为193nm的ArF光。因此，因为其在2.38％TMAH水溶液中是非常易溶解的，所以一般来说其不能当作ArF树脂。即使没有曝光仍然会溶解，而产生一种“顶部漏失”现象(形成圆形的顶部图像)，这是一种在传统光致抗蚀剂产生图像时通常可见的。
因此，为了防止此种现象，具有叔丁基取代基的y部分必须增加。z-部分(可提高敏感性及对基板的粘着性)相对减少会产生一些缺点，如光致抗蚀剂以传统产生图像方法由晶片移去时，不能很有效率的产生图像。另外也有人建议使用其它光致抗蚀剂产物，但这些光致抗蚀剂产物有许多的限制，像不易于制造，有刺激性气味等等。
由上述可看出仍然需要一种具有较佳粘着性及良好分辨度的光致抗蚀剂。
依据本发明，发明人开发了一种顺丁烯二酸酐型式的共聚物树脂，其包括式Ⅱ所示的作为主要成份的5-降冰片烯-2-羧酸单体，且申请了专利(韩国专利申请第97-26807号，申请日为1997年6月21日)，作为解决传统光致抗蚀剂产物限制的一种尝试。
虽然上述申请案建议使用的顺丁烯二酸酐型式的共聚物树脂具有高粘着性、敏感性及优良分辨度的优点，但其实际制造时仍有问题，这是因为其主要成份之一5-降冰片烯-2-羧酸在合成过程中会产生刺激性极强的气味。因此，本发明人开发出了一具有优良分辨度，且不会引起刺激气味问题的新颖光致抗蚀剂。
在一具体实施方案中，本发明提供一种限制传统光致抗蚀剂产物所引起的刺激性气味的技艺。具体地讲，本发明提供一种将顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯单元代替5-降冰片烯-2-羧酸导入降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物结构中的方法，同时本发明方法解决了刺激性气味逸出的问题。在一优选实施方案中，本发明方法提供了一种光阻敏感性基本上不变劣的光致抗蚀剂。本发明的光致抗蚀剂也具有像优良粘着性及分辨度(0.13μm)的特征。本发明光致抗蚀剂在合成过程中易于控制其组成，所以大量制造是可能的。
相较于传统技艺，本发明具有许多优点或益处。在一具体实施方案中，本发明提供一包含顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯单元的共聚物树脂；在另一实施方案中，本发明提供一种制备含有顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯单元的共聚物树脂的方法；又另一实施方案中，本发明提供一种包含上述降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂、有机溶剂及一光酸产生剂的光致抗蚀剂。再者，本发明提供使用含有上述共聚物树脂的光致抗蚀剂制得的半导体元件。这些及其它优点将由说明书描述，尤其是以下的说明。
本发明涉及一种用作光致抗蚀剂的共聚物树脂，该树脂包含顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯单元，其由下式Ⅲ所表示[式Ⅲ]
其中，R是叔丁基、四氢吡喃基、四氢呋喃基或乙氧基乙基，且x∶y∶z的比例是(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
依据本发明的实施方案的共聚物树脂优选包括下式Ⅳ至Ⅶ的降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂
在这些结构式中，R,x,y及z如上文所定义。
本发明的式Ⅲ所示的共聚物树脂可在自由基引发剂的存在下，由式Ⅷ的降冰片烯衍生物、式Ⅸ的5-降冰片烯-2-羧酸(2-羟乙基)酯、式X的顺丁烯二酸酐及式Ⅺ的顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯聚合制备而得[式Ⅷ]
在上述结构式中，R是叔丁基、四氢吡喃基、四氢呋喃基或乙氧基乙基等基团。
在制备本发明的共聚物树脂时，式Ⅷ的降冰片烯衍生物优选选自5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯、5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢吡喃酯、5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢呋喃酯和5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯酯。
本发明的共聚物树脂可由传统聚合方法制备而得，像本体聚合或溶液聚合方法等。溶剂可为环己酮、甲基乙基酮、苯、甲苯、二噁烷及/或二甲基甲酰胺，其可单独使用，或混合使用。用于本发明的聚合反应引发剂包括过氧化苯甲酰、2,2′-偶氮二异丁腈(AIBN)、过氧化乙酰、过氧化月桂酰、过乙酸叔丁酯、二-叔丁基过氧化物等。
在制备本发明共聚物树脂的方法中，可依据反应物的性质来控制一般包括自由基聚合反应的温度和压力在内的聚合化条件，但优选该聚合反应在温度从60至200℃之间进行。
本发明的共聚物树脂能依据传统制备光致抗蚀剂组合物的方法，将本发明的树脂与有机溶剂及传统光酸产生剂混合，制成光致抗蚀剂溶液而用于形成正显微-影像(micro-image)。在形成半导体元件的光致抗蚀剂图像的程序中，本发明共聚物树脂的使用量是依据所使用的有机溶剂或光酸产生剂及光刻的条件而定，但一般传统上采用约10至30％(重量百分比)(依据用于制备此光致抗蚀剂有机溶剂的量而定)。
使用本发明共聚物树脂形成半导体元件光致抗蚀剂图像的程序将在以下作详细的说明将本发明的共聚物树脂溶于环己酮中，其浓度为10至30％(重量)。加入光酸产生剂(0.1至10wt％)如三苯基三倍酸锍(triphenylsulfonium triplate)、二丁基萘基三倍酸锍(dibutylnaphthylsulfoniumtriplate)、2,6-二甲基苯基磺酸酯、双(芳基磺酰基)-二偶氮甲烷、磺酸肟、2,1-二偶氮萘醌-4-磺酸酯至此光致抗蚀剂树脂中。然后用一超微过滤器过滤该混合物。接着将光致抗蚀剂溶液旋转涂覆至一硅晶片上，以形成一薄膜，然后在一烤箱中或在一加热板上以温度80-150℃轻轻地烘烤(soft-baked)1-5分钟，接着使用远紫外线曝光器或激光雷射曝光器曝光，然后以温度100℃至200℃烘烤10秒钟至60分钟。将曝光后的晶片浸渍至2.38％的TMAH水溶液中1至30秒钟，以获得一正光致抗蚀剂图像。
本发明可通过以说明为目的的下列实施例得到进一步的了解，实施例的目的不是要限制本发明。制备实施例Ⅰ5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯的合成。
在一反应器中，加入环戊二烯(66克)及四氢呋喃溶剂(500克)，且搅拌此反应混合物至均匀。于此反应混合物中，加入丙烯酸叔丁酯(128克)，且在温度-30℃和60℃之间搅拌所得混合物约10小时，使反应进行。当反应完全时，使用一旋转蒸发器除去溶剂，且在减压下蒸馏该残留物，可得176克(产率90％)式Ⅷa之5-降冰片烯2-羧酸叔丁酯。制备实施例Ⅱ5-降冰片烯-2-羧酸(2-羟基乙基)酯的合成(式Ⅸ)重复制备实施例Ⅰ的步骤，但使用丙烯酸2-羟基乙基酯(116克)代替丙烯酸叔丁基酯，可得155克(产率85％)的式Ⅸ的5-降冰片烯-2-羧酸(2-羟基乙基)酯。制备实施例Ⅲ5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢吡喃酯的合成
重复制备实施例Ⅰ的步骤，但使用丙烯酸2-四氢吡喃酯(156克)代替丙烯酸叔丁基酯，可得186克(产率84％)式Ⅷb所示的5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢吡喃酯。制备实施例Ⅳ5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢呋喃酯的合成[式Ⅷc]
重复制备实施例Ⅰ的步骤，但使用丙烯酸2-四氢呋喃酯(144克)代替丙烯酸叔丁基酯，可得172克(产率82％)式Ⅷc的2-四氢呋喃基-5-降冰片烯-2-羧酸酯。制备实施例Ⅴ5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯的合成
重复制备实施例Ⅰ的步骤，但使用丙烯酸乙氧基乙基酯(144克)代替丙烯酸叔丁基酯，可得174克(产率83％)式Ⅷd的5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯。制备实施例Ⅵ顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯(式Ⅺ)的合成在一反应器中，加入环戊二烯(66克)，并加入四氢呋喃溶剂(500克)和顺丁烯二酸酐(98克)，且均匀搅拌此反应混合物。于此反应混合物中，加入无水乙醇(500克)，且在温度50℃于搅拌下使反应进行8小时，当反应完成时，使用一旋转蒸发器除去溶剂，且在减压下蒸馏该残留物，可得156克(产率87％)式Ⅺ的顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯。实施例Ⅰ聚[5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸(2-羟基乙基)酯/顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯/顺丁烯二酸酐]共聚物树脂(式Ⅳ)的合成。
将顺丁烯二酸酐(1莫耳)、制备实施例Ⅰ制备的5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯(0.5-0.9莫耳)、制备实施例Ⅱ制备的5-降冰片烯-2-羧酸(2-羟基乙基)酯(0.05-0.8莫耳)、制备实施例Ⅵ制备的顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯(0.01-0.5莫耳)溶于四氢呋喃或甲苯中，然后加入作为聚合起始剂的2,2′-偶氮二异丁腈(AIBN)(0.5-10克)，且维持温度65℃和70℃之间，在氮气或氩气气氛之下进行反应4-24小时。所得粗产物由乙醚或己烷中沉淀出，且干燥沉淀物后可得标题共聚物树脂(式Ⅳ)，其分子量3,000-100,000(产率63％)。所得共聚物树脂对ArF光的透明性高，蚀刻阻抗性增加，且具有优良的粘着性，可由2.38wt％的TMAH水溶液显像。实施例Ⅱ聚[5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢吡喃酯/5-降冰片烯-2-羧酸(2-羟基乙基)酯/顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯/顺丁烯二酸酐]共聚物树脂(式Ⅴ)的合成。
重复实施例Ⅰ的步骤，但使用制备实施Ⅲ的5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢吡喃酯代替5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯，可得标题共聚物树脂(式Ⅴ)，其分子量3,000-100,000(产率68％)。虽然所得共聚物树脂的保护基是由乙酰基所取代的，但树脂的蚀刻阻抗性没有变劣，且具有优良的敏感度(敏感度11Nj/cm2)。实施例Ⅲ聚[5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢呋喃酯/5-降冰片烯-2-羧酸(2-羟基乙基)酯/顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯/顺丁烯二酸酐]共聚物树脂(式Ⅵ)的合成。
重复实施例Ⅰ的步骤，但使用制备实施例Ⅳ的5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢呋喃酯代替5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯，可得标题共聚物树脂(式Ⅵ)，其分子量4,000-100,000(产率64％)。所得共聚物树脂的性质类似于实施例Ⅱ的共聚物树脂。实施例Ⅳ聚[5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯/5-降冰片烯-2-羧酸(2-羟乙基)酯/顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯/顺丁烯二酸酐]共聚物(式Ⅶ)的合成。
重复实施例Ⅰ的步聚，但使用制备实施例Ⅴ的5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯代替5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯，可得标题共聚物树脂(式Ⅶ)，其分子量4,000-100,000(产率59％)。所得共聚物树脂的性质类似于实施例Ⅰ的共聚物树脂，但相比而言，其性质更佳。实施例Ⅴ实施例Ⅰ所得的共聚物树脂(式Ⅳ)(10克)溶于丙酸3-甲氧基甲基酯(40克，溶剂)中，且加入作为光酸产生剂的三苯基三倍酸锍或二丁基萘基三倍酸锍(约0.2-1克)，搅拌后，经由0.10μm过滤器过滤所得混合物，获得一光致抗蚀剂溶液。然后，将光致抗蚀剂溶液旋转涂覆至一晶片表面，制备一厚度为0.4-1.2μm之薄膜，且以70℃-150℃的温度在烘箱中或在热板上轻轻烘烤1-5分钟。以250nm波长的曝光器曝光后，以90-160℃的温度后-烘烤。然后将曝光后的晶片浸渍在浓度为0.01-5％(重量)的TMAH水溶液中1.5分钟，此水溶液为显像剂，可得一超显微光致抗蚀剂图像(分辨度0.13μm)。实施例Ⅵ重复实施例Ⅴ的步骤，但使用实施例Ⅱ制得的共聚物树脂(式Ⅴ)作为光致抗蚀剂树脂，来形成一超显微光致抗蚀剂图像。实施例Ⅶ重复实施例Ⅴ的步骤，但使用实施例Ⅲ制备的共聚物树脂(式Ⅵ)作为光致抗蚀剂树脂，来形成一超显微光致抗蚀剂图像。实施例Ⅷ重复实施例Ⅴ的步骤，但使用实施例Ⅳ制得的共聚物树脂(式Ⅶ)作为光致抗蚀剂树脂，来形成一光致抗蚀剂图像。
当使用上述光致抗蚀剂形成图像时，可制得一具有0.13μm超显微图像的半导体元件，所以可有利于制造高度集成的元件。
如上所述，本发明使用KrF(249nm)或ArF(193nm)的光致抗蚀剂的共聚物树脂可以传统自由基聚合反应，将顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯单元导入聚合物结构中而容易地制备。此树脂在193nm波长具有高度透明性，蚀刻阻抗性增加，且解决了在合成共聚物树脂时产生刺激性气味的问题。再者，因为分子结构的原因，此树脂的组成很容易控制，所以可用于大量制造。因此，本发明的使用KrF或ArF的共聚物树脂能够用于光刻程序。
根据上述教导，各种对本发明的改良及修正皆是可能的，因此，应理解的是在所附权利要求的范围内，除了特别叙述的方式外，本发明可以其它的方法施行。
权利要求
1．一种分子量为3,000-100,000的共聚物树脂，包括顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯单元，该共聚物树脂由下式Ⅲ所表示
其中，R是叔丁基、四氢吡喃基、四氢呋喃基或乙氧基乙基，且x∶y∶z的比例是(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
2．如权利要求1的共聚物树脂，其是如式Ⅳ所示的降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂
其中x∶y∶z的比例为(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
3．如权利要求1的共聚物树脂，其是如式Ⅴ所示的降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂
其中x∶y∶z的比例为(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
4．如权利要求1的共聚物树脂，其是如式Ⅵ所示的降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂
其中x∶y∶z的比例为(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
5．如权利要求1的共聚物树脂，其是如式Ⅶ所示的降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂
其中x∶y∶z的比例为(0.1-99％)∶(0.1-99％)∶(0.1-99％)。
6．一种制备如权利要求1定义的如式Ⅲ所示的共聚物树脂的方法，包括在自由基引发剂存在下，使式Ⅷ所示的5-降冰片烯衍生物、式Ⅸ所示的5-降冰片烯-2-羧酸(2-羟乙基)酯、式Ⅹ所示的顺丁烯二酸酐及式Ⅺ所示的顺-5-降冰片烯-内-2,3-二羧酸单甲酯聚合的步骤
其中R是叔丁基、四氢吡喃基、四氢呋喃基或1-乙氧基乙基。
7．如权利要求6所述的方法，其中所述的5-降冰片烯衍生物是式Ⅷa所示的5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯。
8．如权利要求6所述的方法，其中所述的5-降冰片烯衍生物是式Ⅷb所示的5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢吡喃酯。
9．如权利要求6所述的方法，其中所述的5-降冰片烯衍生物是式Ⅷc所示的5-降冰片烯-2-羧酸-2-四氢呋喃酯。
10．如权利要求6所述的方法，其中所述的5-降冰片烯衍生物是式Ⅷd所示的5-降冰片烯-2-羧酸(1-乙氧基乙基)酯。
11．如权利要求6的制备共聚物树脂的方法，其中所述聚合反应引发剂是选自包含下列化合物的族群过氧化苯甲酰、2,2′-偶氮二异丁腈、过氧化乙酰、过氧化月桂酰、过乙酸叔丁酯及二-叔丁基过氧化物。
12．如权利要求6的制备共聚物树脂的方法，其中所述聚合反应是在溶剂或溶剂混合物的存在下进行反应，所述溶剂选自环己酮、甲基乙基酮、苯、甲苯、二噁烷及二甲基甲酰胺。
13．如权利要求6的制备共聚物树脂的方法，其中所述聚合反应是在温度60℃和200℃之间，在氩气或氮气气氛下进行。
14．一种光致抗蚀剂组合物，包括如权利要求1所述的降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂、一种有机溶剂及一种光酸产生剂。
15．如权利要求14所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述光酸产生剂是三苯基三倍酸锍或二丁基萘基三倍酸锍。
16．如权利要求14所述的光致抗蚀剂组合物，其中以溶剂的量为基准，所述共聚物树脂的含量在10wt％到30wt％之间。
17．如权利要求14所述的光致抗蚀剂组合物，其中以共聚物树脂的量为基准，所述光酸产生剂的量在0.01wt％到10wt％之间。
18．一种使用如权利要求14所述的光致抗蚀剂组合物制成的半导体器件。
全文摘要
本发明涉及一种使用于远紫外线(像KrF或ArF)的光致抗蚀剂的共聚物树脂、其制备方法及包含此树脂的光致抗蚀剂。本发明的共聚物因其可将顺－5－降冰片烯－内－2,3－二羧酸单甲酯单元导入用作光致抗蚀剂之降冰片烯－顺丁烯二酸酐共聚物的结构中,因此可以传统自由基聚合反应容易地制备。此树脂在193nm波长时具有高的透明性,蚀刻阻抗性增加,并解决了在共聚物树脂合成过程中产生刺激性气味的问题。再者,因为此树脂组成由于分子结构的原因,所以可轻易的控制,因此,此树脂可以大规模地制造。
文档编号G03F7/029GK1226565SQ9812660
公开日1999年8月25日 申请日期1998年12月29日 优先权日1997年12月29日
发明者郑旼镐, 郑载昌, 卜喆圭, 白基镐 申请人:现代电子产业株式会社