线16，使得断开的源漏极数据线5恢复连接。
[0044]具体的，该金属长线16为直线，该金属长线16的材料为六羰基钨。
[0045]上述阵列基板的断线修补方法，由于所述阵列基板在第一开口 11处所述栅极扫描线2和源漏极数据线5的上方均未设置有机层9，从而省去了镭射去除有机层9的工序，节省了断线修补时间，提高机台的稼动率，可有效地提高断线修补效率和修补成功率，进而提尚液晶面板广品的显不品质。
[0046]请参阅图6，为本发明阵列基板的第二实施例，与第一实施例相比，其不同之处在于，所述阵列基板上对应源漏极数据线5上两相邻的第一开口 11之间设置第二开口 13，所述第二开口 13通过所述第二钝化层10沉积于有机层9上的第二通孔处形成，所述阵列基板位于第二开口 13处的结构包括基板1、栅极绝缘层4、源漏极数据线5、第一钝化层8、以及第二钝化层10。
[0047]优选的，所述第二开口 13的大小为7μπιΧ7μπι，所述第二开口 13位于源漏极数据线5上两相邻的第一开口 11之间的中间位置。
[0048]如图7所示，当源漏极数据线5发生断线，且所述源漏极数据线5上两相邻的第一开口 11之间的距离较大，超过机台断线修补能力时，通过在断线处两端的第一开口 11和第二开口 13之间利用镭射化学气相沉积形成金属长线16，使得断开的源漏极数据线5恢复连接，与图8所示的断线修补方法相比，该修补方法减少了镭射化学气相沉积金属长线的路径，节省了断线修补时间，提高机台的稼动率。
[0049]请参阅图8，为本发明阵列基板的第三实施例，与第一实施例相比，其不同之处在于，所述阵列基板上对应栅极扫描线2上两相邻的第一开口 11之间设置第三开口 14，所述第三开口 14通过所述第二钝化层10沉积于有机层9上的第三通孔处形成，所述阵列基板位于第三开口 14处的结构包括基板1、栅极扫描线2、栅极绝缘层4、第一钝化层8、以及第二钝化层10。
[0050]优选的，所述第三开口 14的大小为7 μ mX 7 μ m，所述第三开口 14位于栅极扫描线2上两相邻的第一开口 11之间的中间位置。
[0051]如图9所示，当栅极扫描线2发生断线，且所述栅极扫描线2上两相邻的第一开口11之间的距离较大，超过机台断线修补能力时，通过在断线位置两端的第一开口 11和第三开口 14之间利用镭射化学气相沉积形成金属长线16，使得断开的栅极扫描线2恢复连接，与图7所示的断线修补方法相比，该方法减少了镭射化学气相沉积金属长线的路径，节省了断线修补时间，提高机台的稼动率。
[0052]请参阅图10，为本发明阵列基板的第四实施例，与第一实施例相比，其不同之处在于，所述阵列基板上对应源漏极数据线5上两相邻的第一开口 11之间设置第二开口 13，所述第二开口 13通过所述第二钝化层10沉积于有机层9上的第二通孔处形成，所述第二开口 13处阵列基板的结构包括基板1、栅极绝缘层4、源漏极数据线5、第一钝化层8、以及第二钝化层10 ;所述阵列基板上对应栅极扫描线2上两相邻的第一开口 11之间设置第三开口 14，所述第三开口 14通过所述第二钝化层10沉积于有机层9上的第三通孔处形成，所述第三开口 14处阵列基板的结构包括基板1、栅极扫描线2、栅极绝缘层4、第一钝化层8、以及第二钝化层10。
[0053]优选的，所述第二开口 13的大小为7 μ mX 7 μ m，所述第二开口 13位于源漏极数据线5上两相邻的第一开口 11之间的中间位置；所述第三开口 14的大小为7μπιΧ7μπι，所述第三开口 14位于栅极扫描线2上两相邻的第一开口 11之间的中间位置。
[0054]当源漏极数据线5发生断线，且所述源漏极数据线5上两相邻的第一开口 11之间的距离较大，超过机台断线修补能力时，在断线处两端的第一开口 11和第二开口 13之间通过镭射化学气相沉积形成金属长线16，使得断开的源漏极数据线5恢复连接；
[0055]当栅极扫描线2发生断线，且所述栅极扫描线2上两相邻的第一开口 11之间的距离较大，超过机台断线修补能力时，在断线位置两端的第一开口 11和第三开口 14之间通过镭射化学气相沉积形成金属长线16，使得断开的栅极扫描线2恢复连接。
[0056]综上所述，本发明提供一种阵列基板及其断线修补方法，通过在阵列基板表面对应栅极扫描线与源漏极数据线的上方设置数个开口，所述开口通过所述钝化层沉积于有机层的通孔处形成，使得本发明的阵列基板在进行断线修补时，可以直接在断线处两端的开口之间镭射化学气相沉积金属长线，使得断开的栅极扫描线或源漏极数据线恢复连接，该修补方法省去了镭射去除有机层的工序，节省了断线修补时间，有效地减少去除有机层时的机台镭射损耗，提高了断线修补效率和修补成功率，进而提高液晶面板产品的显示品质。
[0057]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括:基板(I)，位于所述基板(I)上的栅极扫描线(2)，位于所述栅极扫描线(2)和基板(I)上的栅极绝缘层(4)，位于所述栅极绝缘层(4)上的源漏极数据线(5)，位于所述源漏极数据线(5)与栅极绝缘层(4)上的第一钝化层(8)，位于所述第一钝化层(8)上的有机层(9)，以及位于所述有机层(9)与第一钝化层(8)上的第二钝化层(10); 其中，所述栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)在基板(I)上垂直交叉排列，所述有机层(9)上对应于栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)的交叉口处形成有第一通孔，所述第二钝化层(10)沉积于该第一通孔处形成第一开口(11)。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口(11)的大小为15UmX 15 μ m0
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层(9)为色阻层或者平坦层；所述第一钝化层(8)和第二钝化层(10)的材料为无机材料；所述有机层(9)的厚度大于所述第一钝化层(8)和第二钝化层(10)的厚度。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上对应源漏极数据线(5)上两相邻的第一开口(11)之间还设有第二开口(13)，所述第二开口(13)通过所述第二钝化层(10)沉积于有机层(9)上的第二通孔处形成。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上对应栅极扫描线(2)上两相邻的第一开口(11)之间还设有第三开口(14)，所述第三开口(14)通过所述第二钝化层(10)沉积于有机层(9)上的第三通孔处形成。
6.如权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二开口(13)和第三开口(14)的大小均为7 μ mX 7 μ m。
7.—种阵列基板的断线修补方法，其特征在于，所述阵列基板包括:基板(I)，位于所述基板(I)上的栅极扫描线(2)，位于所述栅极扫描线(2)和基板(I)上的栅极绝缘层(4)，位于所述栅极绝缘层(4)上的源漏极数据线(5)，位于所述源漏极数据线(5)与栅极绝缘层(4)上的第一钝化层(8)，位于所述第一钝化层(8)上的有机层(9)，以及位于所述有机层(9)与第一钝化层⑶上的第二钝化层(10); 其中，所述栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)在基板(I)上垂直交叉排列，所述有机层(9)上对应于栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)的每一交叉口处形成有第一通孔，所述第二钝化层(10)沉积于该第一通孔处形成第一开口(11); 当所述阵列基板上的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)发生断线时，通过在栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)上位于断线处两端的第一开口(11)之间利用镭射化学气相沉积形成金属长线(16)，使得断开的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)恢复连接。
8.如权利要求7所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述阵列基板上对应源漏极数据线(5)上两相邻的第一开口(11)之间还设有第二开口(13)，所述第二开口(13)通过所述第二钝化层(10)沉积于有机层(9)上的第二通孔处形成； 当所述阵列基板上的源漏极数据线(5)发生断线，且所述源漏极数据线(5)上两相邻的第一开口(11)之间的距离较大，超过机台断线修补能力时，在断线处两端的第一开口(11)和第二开口(13)之间通过镭射化学气相沉积形成金属长线(16)，使得断开的源漏极数据线(5)恢复连接。
9.如权利要求7所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述阵列基板上对应栅极扫描线(2)上两相邻的第一开口(11)之间还设有第三开口(14)，所述第三开口(14)通过所述第二钝化层(10)沉积于有机层(9)上的第三通孔处形成； 当栅极扫描线⑵发生断线，且所述栅极扫描线⑵上两相邻的第一开口(11)之间的距离较大，超过机台断线修补能力时，在断线处两端的第一开口(11)和第三开口(14)之间通过镭射化学气相沉积形成金属长线(16)，使得断开的栅极扫描线(2)恢复连接。
10.如权利要求7-9任意一项所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述金属长线(16)为直线，所述金属长线(16)的材料为六羰基钨。
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板及其断线修补方法，通过在阵列基板表面对应栅极扫描线与源漏极数据线的上方设置数个开口，所述开口通过钝化层沉积于有机层的通孔处形成，使得本发明的阵列基板在进行断线修补时，可以直接在断线处两端的开口之间通过镭射化学气相沉积形成金属长线，使断开的栅极扫描线或源漏极数据线恢复连接，该修补方法省去了镭射去除有机层的工序，节省了断线修补时间，有效地减少去除有机层时的机台镭射损耗，提高了断线修补效率和修补成功率，进而提高液晶面板产品的显示品质。
【IPC分类】G02F1-1368, G02F1-1362, H01L23-50, G02F1-13
【公开号】CN104597679
【申请号】CN201510074075
【发明人】李珊
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年2月12日