Psva型液晶显示面板及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种PSVA型液晶显示面板及其制作方法。
【背景技术】
[0002] 主动式薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年来得 到了飞速的发展和广泛的应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种 类型，分别是扭曲向列（Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列（Super Twisted Nematic， STN)型，平面转换（In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向（Vertical Alignment，VA) 型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，在大尺寸显示， 如电视等方面具有非常广的应用。
[0003] 其中，聚合物稳定垂直配向（polymer-stabilized vertical alignment，PSVA)广 视角技术能够使液晶显示面板具有较快的响应时间、及穿透率高等优点，其特点是在配向 膜表面形成聚合物突起，从而使液晶分子具有预倾角。一般的PSVA像素结构是在阵列基板 上的用于沟道保护的钝化层（Passivation)做完后，将沉积在其上的像素电极做图案化处 理。如图1所不，为现有的一种PSVA型液晶显不面板，包括上基板100和下基板200,上基 板100包括第一基板110和平面型的公共电极120,下基板200包括第二基板210、钝化层 220、及像素电极230,该像素电极230具有"米字型"图案。然而，由于被处理成"米字型" 图案的像素电极230具有向不同方向延伸的像素电极分支与狭缝间隔的图案，导致其与对 侧的上基板110上的公共电极120形成的电场不均，对应于像素电极分支区域的电场明显 强于对应于狭缝区域的电场，从而导致像素内出现亮度不均的现象。
[0004] 为了解决传统PSVA型液晶显示面板存在的问题，人们提出一种新型的PSVA型液 晶显示面板，通过在钝化层上形成图案，得到数道沟槽，然后在整个钝化层上覆盖整面的像 素电极；相比于传统的PSVA型液晶显示面板，如图2所示，该PSVA型液晶显示面板中钝化 层220'为图案化钝化层，包括沿不同方向延伸的数条沟槽222,而像素电极230'为一整面 电极，整面附着于图案化的钝化层220'上而随钝化层220'具有相应的图案，所述像素电 极230'穿过钝化层220'上的过孔与薄膜晶体管的漏极相连接；由于钝化层220'上过孔的 深度与沟槽222的深度不相等，一般需要两张掩膜板，进行两次黄光和两次刻蚀，该新型的 PSVA型液晶显示面板的制作方法通常包括以下步骤：
[0005] 步骤1、如图3所示，提供一基板210,在所述基板210上制作薄膜晶体管；所述薄 膜晶体管包括栅极、源极、漏极240 ;
[0006] 步骤2、如图4所示，在所述薄膜晶体管上沉积钝化层220';在所述钝化层220'上 涂布光刻胶，利用第一掩膜板对该光刻胶进行曝光、显影，得到第一光阻层510,该第一掩膜 板用于形成钝化层220'上的沟槽；
[0007] 步骤3、如图5所示，以第一光阻层510为遮蔽层，对所述钝化层220'进行刻蚀，得 到图案化的钝化层220'上的数道沟槽222 ;
[0008] 步骤4、如图6所示，剥离第一光阻层510,在所述钝化层220'上再次涂布光刻胶， 利用第二掩膜板对该光刻胶进行曝光、显影，得到第二光阻层520,该第二掩膜板用于形成 钝化层220'上的过孔；
[0009] 步骤5、如图7所示，以第二光阻层520为遮蔽层，对所述钝化层220'进行刻蚀，得 到钝化层220'上的过孔224 ;
[0010] 步骤6、如图8所示，在所述钝化层220'上形成像素电极层230'，该像素电极230' 穿过钝化层上的过孔224与所述漏极相连接。
[0011] 按照现有的制作工艺，如果在钝化层上做更多深度的沟槽，则需要两张以上的掩 膜板，进行两次以上的光刻制程，这会带来成本的增加和工艺的繁琐，降低了生产效率。
【发明内容】
[0012] 本发明的目的在于提供一种PSVA型液晶显示面板，具有图案化的钝化层，所述钝 化层的上表面具有多种深度的沟槽，能在一定程度上进行穿透率均一性弥补，有助于PSVA 型液晶显示面板的大视角特性的提升。
[0013] 本发明的目的还在于提供一种PSVA型液晶显示面板的制作方法，采用多阶调掩 膜（Multi-tone mask，MTM)工艺，利用一张多阶调掩膜经一次光刻制程同时制得钝化层上 的过孔和多种深度的沟槽，降低了生产成本，提高了生产效率。
[0014] 为实现上述目的，本发明提供一种PSVA型液晶显示面板，包括上基板、与所述上 基板相对设置的下基板、及位于所述上基板与下基板之间的液晶层；
[0015] 所述上基板包括第一基板、及设于所述第一基板上的公共电极；
[0016] 所述下基板包括数个像素单元，每个像素单元包括第二基板、设于所述第二基板 上的薄膜晶体管、设于所述第二基板与薄膜晶体管上的钝化层、以及设于所述钝化层上的 像素电极；
[0017] 所述钝化层的上表面具有数条沟槽，所述数条沟槽具有三种以上的深度；
[0018] 所述像素电极为厚度均匀、连续不间断的整面电极；所述像素电极整面附着于图 案化的钝化层上而随钝化层具有相应的图案。所述钝化层的厚度》50:00 A。
[0019] 所述钝化层的厚度为6000 A，所述沟槽的深度为三种，分别为2000 A、 3000 A, 4000 A.
[0020] 所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极，所述钝化层对应所述漏极的上方设有过 孔，所述像素电极穿过该过孔与所述薄膜晶体管的漏极相连接。
[0021] 所述过孔与沟槽通过一个多阶调掩膜板经由一道光刻制程同时制得。
[0022] 本发明还提供一种PSVA型液晶显示面板的制作方法，包括以下步骤：
[0023] 步骤1、提供第二基板，在所述第二基板上制作薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括 栅极、源极、漏极；
[0024] 步骤2、在所述薄膜晶体管及第二基板上沉积钝化层；
[0025] 步骤3、在所述钝化层上涂布光刻胶，利用一个多阶调掩膜板对该光刻胶进行曝 光、显影，所述多阶调掩膜板具有用于在钝化层上形成过孔的全曝光区域、以及用于在钝化 层上形成沟槽的的半曝光区域，所述半曝光区域包括三种以上的透光度用于形成三种以上 深度的沟槽；
[0026] 步骤4、以所述光阻层为遮蔽层，对所述钝化层进行刻蚀，得到图案化的钝化层，该 图案化的钝化层具有位于所述钝化层上表面的数条沟槽、以及贯穿所述钝化层且对应所述 漏极上方的过孔，所述沟槽具有三种以上的深度；
[0027] 步骤5、剥离剩余的光刻胶，在所述钝化层上溅射形成像素电极；得到下基板；
[0028] 所述像素电极整面附着于图案化的钝化层上而随钝化层具有相应的图案，所述像 素电极穿过过孔与所述漏极相连接；
[0029] 步骤6、提供上基板，所述上基板包括第一基板、及设于所述第一基板上的公共电 极；将所述上基板与下基板对位成盒，得到PSVA型液晶显示面板。
[0030] 所述步骤2中沉积钝化层的厚度多5000 A。
[0031] 所述步骤3中提供的多阶调掩膜板的半曝光区域包括三种透光度，所述步骤4中 形成的沟槽的深度为三种，分别为20Q0A、3QO&A、400QA。
[0032] 所述步骤2中沉积钝化层的厚度为6000 A。
[0033] 所述步骤4中采用干法刻蚀工艺对所述钝化层进行刻蚀。
[0034] 本发明的有益效果：本发明提供一种PSVA型液晶显示面板及其制作方法，本发 明的PSVA型液晶显示面板，具有图案化的钝化层，所述钝化层的上表面具有多种深度的沟 槽，能在一定程度上进行穿透率均一性弥补，有助于PSVA型液晶显示面板的大视角特性的 提升；本发明的PSVA型液晶显示面板的制作方法，采用多阶调掩膜工艺，利用一张多阶调 掩膜经一次光刻制程同时制得钝化层上的过孔和多种深度的沟槽，降低了生产成本，提高 了生产效率。
[0035] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0036] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其他有益效果显而易见。
[0037] 附图中，
[0038] 图1为一种现有的PSVA型液晶显示面板的立体结构示意图；
[0039] 图2为另一种现有的PSVA型液晶显不面板的立体结构不意图；
[0040] 图3为图2的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤1的示意图；
[0041] 图4为图2的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤2的示意图；
[0042] 图5为图2的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤3的示意图；
[0043] 图6为图2的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤4的示意图；
[0044] 图7为图2的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤5的示意图；
[0045] 图8为图2的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤6的示意图；
[0046] 图9为本发明的PSVA型液晶显示面板的制作方法的流程示意图；
[0047] 图10为本发明的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤3的示意图；
[0048] 图11为本发明的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤4的示意图；
[0049] 图12为本发明的PSVA型液晶显示面板的制作方法的步骤5的示意图。
【具体实施方式】
[005