用于asp腔中等离子管器件盖体的密封装置制造方法
【专利摘要】一种用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置，该密封装置包含设置在盖体和等离子管之间空隙内的O型密封圈，还包含增设的O型密封圈，该增设的O型密封圈设置在盖体上增设的凹槽内。本发明避免了O型密封圈较快地被等离子体氧化刻蚀，从而延长了O型密封圈的使用寿命。
【专利说明】用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于ASP (Advanced strip and passivation,光阻去除腔)腔中等离子管器件盖体的密封装置。
【背景技术】
[0002]在ASP反应腔中，如图1所示，在对等离子管充入等离子体的过程中，在盖体I和等离子管2之间的空隙内设置0型密封圈3来进行密封，以防止密闭等离子体泄露，也防止密闭大气泄露进腔体。但是在使用一段很短的时间后(小于三个月，远远低于要求的时间)，由于盖体I和等离子管2之间存在缝隙，所以制程中会有少量等离子体泄露到0型密封圈3处，使得0型密封圈3逐渐被等离子体刻蚀，如图2所示，其横截面的形状会变成月牙形，就起不到密封作用了，从而影响密封效果。
【发明内容】
[0003]本发明提供的一种用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置，避免了 0型密封圈较快地被等离子体氧化刻蚀，从而延长了 0型密封圈的使用寿命。
[0004]为了达到上述目的，本发明提供一种用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置，该密封装置包含设置在盖体和等离子管之间空隙内的0型密封圏，还包含增设的0型密封圏，该增设的0型密封圈设置在盖体上增设的凹槽内。
[0005]所述增设的0型密封圈的内径紧贴等离子管的外壁接触面，增设的0型密封圈整体大小粗细与增设的凹槽的大小匹配。
[0006]所述增设的0型密封圈为能够耐腐蚀提供气密功能的氟橡胶或硅氟橡胶。
[0007]本发明避免了 0型密封圈较快地被等离子体氧化刻蚀，从而延长了 0型密封圈的使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是【背景技术】中密封装置的结构示意图；
图2是【背景技术】中0型密封圈受刻蚀后的截面图；
图3是本发明提供的一种用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置的结构示意图。【具体实施方式】
[0009]以下根据图3具体说明本发明的较佳实施例。
[0010]如图3所示，本发明提供一种用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置，该密封装置包含设置在盖体I和等离子管2之间空隙内的0型密封圈3，还包含增设的0型密封圈4，该增设的0型密封圈4设置在盖体I上增设的凹槽401内；
所述增设的0型密封圈4的尺寸大小要求为:增设的0型密封圈4的内径紧贴等离子管2的外壁接触面，增设的0型密封圈4整体大小粗细与增设的凹槽401的大小匹配； 所述增设的O型密封圈4为能够耐腐蚀提供气密功能的氟橡胶或硅氟橡胶。
[0011]尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
【权利要求】
1.一种用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置，其特征在干，该密封装置包含设置在盖体(I)和等离子管(2)之间空隙内的O型密封圈(3)，还包含增设的O型密封圈(4)，该增设的O型密封圈(4)设置在盖体(I)上增设的凹槽(401)内。
2.如权利要求1所述的用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置，其特征在于，所述增设的O型密封圈(4)的内径紧贴等离子管(2)的外壁接触面，增设的O型密封圈(4)整体大小粗细与增设的凹槽(401)的大小匹配。
3.如权利要求2所述的用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置，其特征在于，所述增设的O型密封圈(4)为能够耐腐蚀提供气密功能的氟橡胶或硅氟橡胶。
【文档编号】H01J37/32GK103527783SQ201210231292
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2012年7月5日 优先权日:2012年7月5日
【发明者】奚姚军, 包中诚 申请人:上海宏力半导体制造有限公司