晶片成型装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种晶片成型装置，下模（2）上设置有至少一对成型凹槽（3），成型凹槽（3）的位置与晶片引线（7）的位置相匹配，冲模（1）上设置有与成型凹模（3）相配合的冲头（4）。冲模（1）和下模（2）上均设置有与晶片本体（6）相配合的空腔（5）。冲头（4）的外表面包覆有硬质合金层，成型凹槽（3）的内表面包覆有抗磨层。本实用新型采用冲压成型方式，结构简单，设计合理，加工成本低；冲模和下模可根据需要做成多行多列，可实现对物料盘上的二极管晶片的批量冲压成型，成型效率高；冲头外表面设有硬质合金层，成型凹槽的内表面包覆有抗磨层，冲模和下模的使用寿命长。
【专利说明】晶片成型装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种晶片装配装置，特别是涉及一种晶片成型装置。
【背景技术】
[0002] 在电子电路中经常用到半导体二极管，它在许多电路中起着重要的作用，是诞生 最早的半导体器件之一，常用于整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等 电路中，应用非常广泛。晶体三极管是内部含有两个PN结，并且具有放大功能的特殊器件， 晶体三极管在电路中对信号具有放大和开关作用，应用也十分广泛。
[0003] 由于PCB板焊接工艺等需要，通常要将二极管加工成如图1所示的结构，即晶片本 体两端的引线需要加工成带弯钩的形状。传统的成型方式是先将二极管从物料盘上切割下 来，然后一个一个地对二极管进行冲压，使其引线冲压成弯钩状，这种传统成型方式效率极 其低下，且对于单个二极管而言，因其体积较小，所以抓取很困难，加工难度较大。 实用新型内容
[0004] 本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种成型效率高、效果好的晶 片成型装置，成型模具使用寿命长。
[0005] 本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：晶片成型装置，包括冲模和下 模，下模上设置有至少一对成型凹槽，成型凹槽的位置与晶片引线的位置相匹配，冲模上设 置有与成型凹模相配合的冲头。
[0006] 所述的冲模和下模上均设置有与晶片本体相配合的，用于成型时放置晶片本体的 空腔。
[0007] 所述下模上的成型凹槽有六对。
[0008] 所述冲头的外表面包覆有硬质合金层。
[0009] 所述成型凹槽的内表面包覆有抗磨层。
[0010] 本实用新型的有益效果是：
[0011] 1)采用冲压成型方式，结构简单，设计合理，加工成本低；
[0012] 2)冲模和下模可根据需要做成多行多列，可实现对物料盘上的二极管晶片的批量 冲压成型，成型效率高、效果好；
[0013] 3)冲头外表面设有硬质合金层，增加了冲头的刚性和抗磨损程度，增长了冲头的 使用寿命；
[0014] 4)成型凹槽的内表面包覆有抗磨层，大大增强了成型凹槽的耐磨性能，增长了下 模的使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 图1为需成型的晶片结构示意图；
[0016] 图2为晶片在物料盘上的结构示意图；
[0017] 图3为本实用新型冲模、下模结构示意图；
[0018] 图4为本实用新型使用状态示意图；
[0019] 图中，1-冲模，2-下模，3-成型凹槽，4-冲头，5-空腔，6-晶片本体，7-晶片引线。
【具体实施方式】
[0020] 下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围 不局限于以下所述。
[0021] 晶片在物料盘上的结构如图2所示，每行有六块晶片，每块晶片的晶片本体6均通 过晶片引线7连接在物料盘上。
[0022] 如图3、图4所示，晶片成型装置，包括冲模1和下模2,下模2上设置有至少一对 成型凹槽3,成型凹槽3的位置与晶片引线7的位置相匹配，冲模1上设置有与成型凹模3 相配合的冲头4。
[0023] 所述的冲模1和下模2上均设置有与晶片本体6相配合的，用于成型时放置晶片 本体6的空腔5,空腔5也可起到协助定位的作用，使物料盘平稳的放置在下模2上，避免侧 滑。
[0024] 所述下模2上的成型凹槽3有六对。
[0025] 所述冲头4的外表面包覆有硬质合金层。
[0026] 所述成型凹槽3的内表面包覆有抗磨层。
[0027] 以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当理解本实用新型并非局限于本文 所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并 能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域 人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利 要求的保护范围内。
【权利要求】
1. 晶片成型装置，其特征在于：包括冲模（1)和下模（2)，下模（2)上设置有至少一对成 型凹槽（3)，成型凹槽（3)的位置与晶片引线（7)的位置相匹配，冲模（1)上设置有与成型凹 模（3)相配合的冲头（4)。
2. 根据权利要求1所述的晶片成型装置，其特征在于：所述的冲模（1)和下模（2)上均 设置有与晶片本体（6)相配合的，用于成型时放置晶片本体（6)的空腔（5)。
3. 根据权利要求1所述的晶片成型装置，其特征在于：所述下模（2)上的成型凹槽（3) 有六对。
4. 根据权利要求1所述的晶片成型装置，其特征在于：所述冲头（4)的外表面包覆有硬 质合金层。
5. 根据权利要求1所述的晶片成型装置，其特征在于：所述成型凹槽（3)的内表面包覆 有抗磨层。
【文档编号】B21F1/00GK203875251SQ201420325169
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年6月18日 优先权日:2014年6月18日
【发明者】钟锡全 申请人:四川蓝彩电子科技有限公司