专利名称：一种pvd真空离子镀膜的方法
技术领域：
本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种PVD真空离子镀膜的方法。
背景技术：
物理气相沉积(PVD)是通过蒸发，电离或溅射等过程，产生金属粒子并与反应气体 反应形成化合物沉积在工件表面。物理气相沉积镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真 空溅射镀和真空离子镀膜。其中，真空离子镀膜是借助于惰性气体辉光放电，使镀料(如金属钛)气化蒸发离 子化，离子经电场加速，以较高能量轰击工件表面，此时如通入co2，N2等反应气体，便可在 工件表面获得TiC、TiN覆盖层，硬度高达2000HV。真空离子镀膜的重要特点是沉积温度只 有500°C左右，且覆盖层附着力强。近十多年来，真空离子镀膜技术的发展是最快的，它已经 成为当今最先进的表面处理方式之一。目前，真空离子镀膜的产品颜色单调，只有一种颜色，没有颜色的渐变，没有颜色 的组合，也没有通过颜色的变化体现出来的图案。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种将电镀与网印或胶印相结合的可制备颜色丰富的 真空离子镀膜的方法。本发明的目的是这样实现的。—种PVD真空离子镀膜的方法，它包括如下制备步骤
(1)对基材进行前处理；
(2)将前处理过的基材脱水并烘干；
(3)进炉，进行第一次镀膜；
(4)出炉，进行网印或胶印，干燥；
(5)再次进炉，进行第二次镀膜；
(6)用有机溶剂浸泡除去网印或胶印时的油墨；
(7)用水清洗，即得成品。其中，所述镀膜和网印可以交替多次进行。其中，所述镀膜和胶印可以交替多次进行。其中，所述基材为不锈钢、铜或钛。其中，所述前处理依次包括除腊超声波清洗、热脱脂、电解除膜。其中，镀膜在真空离子镀膜机进行，在通N2的条件下，镀膜时间为2. 5-4个小时， 镀膜温度为200-350°C。其中，镀膜所用的原料为氮化钛、氮碳化钛、氮化钛铝、碳化钛、氮化锆、氮化铪中 的一种或任意几种。本发明的有益效果为该种PVD真空离子镀膜的方法，它包括如下制备步骤(1)对基材进行前处理；(2)将前处理过的基材脱水并烘干；(3)进炉，进行第一次镀膜；(4)出 炉，进行网印或胶印，干燥；(5)再次进炉，进行第二次镀膜；(6)用有机溶剂浸泡除去网印 或胶印时的油墨；(7)用水清洗，即得成品。本发明在真空离子镀膜的过程中引入了网印或 胶印这一步骤，使制得的产品颜色丰富。
具体实施例方式下面通过实施例对本发明作进一步说明，但本发明的实施范围并不限于此。一种PVD真空离子镀膜的方法，它包括如下制备步骤
(1)对基材进行前处理，增强基材表面的附着力；
(2)将前处理过的基材脱水并烘干；
(3)进炉，进行第一次镀膜；
(4)出炉，进行网印或胶印，干燥，网印或胶印采用现有的网印或胶印技术，通过网印或 胶印在已镀膜的基材表面形成一个图案，所述图案为保护图案，保护第一次的镀膜，为第二 次镀膜做准备，干燥既可常温干燥，也可在120°C -160°C进行干燥，优选为150°C进行干燥；
(5)再次进炉，进行第二次镀膜，第一次镀膜与第二次镀膜的颜色不同；
(6)用有机溶剂浸泡除去网印或胶印时的油墨，则第一次镀膜和第二次镀膜都会显现， 由于油墨形成的保护图案保护了第一次镀膜的颜色，除去油墨后则会显现出第一次镀膜的 颜色并显示为网印或胶印时的图案；
(7)用水清洗，即得成品。其中，所述镀膜和网印或胶印可以交替多次进行，这样可以制出颜色更为丰富的
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广PR o其中，所述基材为不锈钢、铜或钛，当然也可以为其它可以采用真空离子镀膜的材 料。其中，所述前处理依次包括除腊超声波清洗、热脱脂(浸泡)、电解除膜。电解除膜 所用的原料是活化酸盐和酒石酸，进行阳极电解，除去基材表面的氧化物薄膜。其中，镀膜在真空离子镀膜机进行，在通N2的条件下，镀膜时间为2. 5-4个小时， 镀膜温度为200-350°C，具体可根据基材的厚度进行调节，其中本底真空为6X10_3Pa，作货 真空为2X10、。其中，镀膜所用的原料为氮化钛、氮碳化钛、氮化钛铝、碳化钛、氮化锆、氮化铪中 的一种或任意几种。以上所述仅是本发明的较佳实施方式，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、 特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本发明专利申请范围内。
权利要求
一种PVD真空离子镀膜的方法，其特征在于它包括如下制备步骤(1)对基材进行前处理；(2)将前处理过的基材脱水并烘干；(3)进炉，进行第一次镀膜；(4)出炉，进行网印或胶印，干燥；(5)再次进炉，进行第二次镀膜；(6)用有机溶剂浸泡除去网印或胶印时的油墨；(7)用水清洗，即得成品。
2.根据权利要求1所述的一种PVD真空离子镀膜的方法，其特征在于所述镀膜和网 印可以交替多次进行。
3.根据权利要求1所述的一种PVD真空离子镀膜的方法，其特征在于所述镀膜和胶 印可以交替多次进行。
4.根据权利要求1所述的一种PVD真空离子镀膜的方法，其特征在于所述基材为不 锈钢、铜或钛。
5.根据权利要求1所述的一种PVD真空离子镀膜的方法，其特征在于所述前处理依 次包括除腊超声波清洗、热脱脂、电解除膜。
6.根据权利要求1所述的一种PVD真空离子镀膜的方法，其特征在于镀膜在真空离 子镀膜机进行，在通N2的条件下，镀膜时间为2. 5-4个小时，镀膜温度为200-350°C。
7.根据权利要求1所述的一种PVD真空离子镀膜的方法，其特征在于镀膜所用的原 料为氮化钛、氮碳化钛、氮化钛铝、碳化钛、氮化锆、氮化铪中的一种或任意几种。
全文摘要
本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种PVD真空离子镀膜的方法，该种PVD真空离子镀膜的方法，它包括如下制备步骤(1)对基材进行前处理；(2)将前处理过的基材脱水并烘干；(3)进炉，进行第一次镀膜；(4)出炉，进行网印或胶印，干燥；(5)再次进炉，进行第二次镀膜；(6)用有机溶剂浸泡除去网印或胶印时的油墨；(7)用水清洗，即得成品。本发明在真空离子镀膜的过程中引入了网印或胶印这一步骤，使制得的产品颜色丰富。
文档编号C23C14/32GK101857949SQ20101020832
公开日2010年10月13日 申请日期2010年6月24日 优先权日2010年6月24日
发明者吴睿恩 申请人:吴睿恩