专利名称：真空镀膜机的阴极装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及RTC设备领域，特别是涉及一种真空镀膜机的阴极装置。
背景技术：
目前一般真空镀膜机采用外置式阴极换靶系统，如图1所示，通过氮化硼绝缘圈 卡入陶瓷绝缘圈的方式固定，需要换靶时必须把整个阴极装置从设备上取下才能更换靶 材，并且更换靶材工作也比较繁琐，一般先取下密封圈，再依次取下陶瓷绝缘圈和氮化硼绝 缘圈，然后才能取下靶材。现有的换靶系统换靶耗用时间比较长，一般需要30-40分钟。而 且由于生产工艺需要经常改变，因此更换靶材的频率相当高，频繁的取装阴极装置势必导 致设备真空度的泄露。
实用新型内容(一)要解决的技术问题本实用新型要解决的技术问题是简化阴极装置换靶的工序、节约更换靶材所需的 时间。( 二 )技术方案为解决上述技术问题，提供一种真空镀膜机的阴极装置，其包括靶材，套于所述 靶材外、并与所述靶材具有环形卡槽的陶瓷绝缘圈，位于所述靶材下方的磁极单元，以及位 于所述陶瓷绝缘圈的下方、所述磁极单元上方的冷却板，所述环形卡槽中设置有氮化硼绝 缘圈，所述氮化硼绝缘圈为直入式绝缘圈。优选地，所述阴极装置还具有密封圈，设置于所述冷却板上。(三)有益效果通过将阴极装置的氮化硼绝缘圈设计为直入式，取消氮化硼绝缘圈的卡边，将氮 化硼绝缘圈直接卡入靶材和陶瓷绝缘圈的环形卡槽。更换靶材时，只需直接拔下氮化硼绝 缘圈即可，不需要将整个阴极装置从设备上取下，简化了更换靶材的工序，节约了更换靶材 所需的时间，降低设备真空泄露的概率。
图1是现有技术的真空镀膜机的阴极装置的结构示意图；图2是本实用新型的真空镀膜机的阴极装置的结构示意图。其中，1 靶材；2 氮化硼绝缘圈；3 陶瓷绝缘圈；4 密封圈；5 磁极单元；6 冷却 板。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细描述。以下 实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。[0014]如图2所示，本实用新型的真空镀膜机的阴极装置，包括靶材1，套于靶材1夕卜、 并与靶材1具有环形卡槽的陶瓷绝缘圈3，位于靶材1下方的磁极单元5，以及位于陶瓷绝 缘圈3的下方、磁极单元5上方的冷却板6，设置于冷却板6上的密封圈4，所述环形卡槽中 设置有氮化硼绝缘圈2。其中，氮化硼绝缘圈2设计为直入式绝缘圈。所述直入式绝缘圈指 的是取消了现有技术中氮化硼绝缘圈的台阶式卡边，将氮化硼绝缘圈2直接卡入靶材和陶 瓷绝缘圈3的环形卡槽。其中，靶材1为涂层形成所必需的原材料；氮化硼绝缘圈2起到耐高温和绝缘的作 用，用于在涂层过程中保护靶材不被涂层和杂质所污染；陶瓷绝缘圈3用于绝缘阴极和阳 极；密封圈4用于密封阴极装置；磁极单元5用于控制轰击电弧均勻有力的轰击靶材蒸发 出金属离子；冷却板6用于冷却阴极装置。采用本实用新型的阴极装置后，对靶材进行检测无发现靶材被杂质污染和高温变 形等现象，因此证明合格；对设备真空度进行了一个月的统计结果得出设备真空度得到了 控制，稳定在标准的范围内基本无泄露，证明合格；对设备待机时间和人力时间进行了一个 月的统计结果得出每天(24小时制)设备待机时间由原先的3小时缩短至1小时，大大提 高了生产效率，充分的利用了人力；对涂层后产品进行厚度、硬度、结合力的测试均在控制 的合格范围内，证明合格。综合以上四项证明此改造符合设计要求，通过实际运行批次无任 何质量问题证明此装置合格。由以上实施例可以看出，本实用新型通过将阴极装置的氮化硼绝缘圈设计为直入 式，取消了氮化硼绝缘圈的卡边，将氮化硼绝缘圈直接卡入靶材和陶瓷绝缘圈的环形卡槽。 更换靶材时，只需直接拔下氮化硼绝缘圈即可，不需要将整个阴极装置从设备上取下。批次 换靶时间只需5-10分钟，整个设备待机只需10-20分钟，提高了生产效率，设备真空度得到 了保证。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技 术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改 进和变型也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求一种真空镀膜机的阴极装置，其特征在于，所述阴极装置包括靶材(1)，套于所述靶材(1)外、并与所述靶材(1)之间留有环形卡槽的陶瓷绝缘圈(3)，位于所述靶材(1)下方的磁极单元(5)，以及位于所述陶瓷绝缘圈(3)的下方、所述磁极单元(5)上方的冷却板(6)，所述环形卡槽中设置有氮化硼绝缘圈(2)；所述氮化硼绝缘圈(2)为直入式绝缘圈。
2.如权利要求1所述真空镀膜机的阴极装置，其特征在于，所述阴极装置还具有密封圈(4)，设置于所述冷却板(6)上。
专利摘要本实用新型公开了一种真空镀膜机的阴极装置，包括靶材(1)，套于所述靶材(1)外、并与所述靶材(1)具有环形卡槽的陶瓷绝缘圈(3)，位于所述靶材(1)下方的磁极单元(5)，以及位于所述陶瓷绝缘圈(3)的下方、所述磁极单元(5)上方的冷却板(6)，所述环形卡槽中设置有氮化硼绝缘圈(2)。本实用新型简化了更换靶材的工序，节约了更换靶材所需的时间，降低设备真空泄露的概率。
文档编号C23C14/35GK201770767SQ201020255989
公开日2011年3月23日 申请日期2010年7月5日 优先权日2010年7月5日
发明者陈卫飞 申请人:苏州鼎利涂层有限公司