专利名称：用于碳化硅表面处理的水冷却装置的制作方法
技术领域：
本实用新型提供 了 ー种冷却装置，尤其是ー种水冷却装置。
背景技术：
在利用ECR-PEM0CVD (碳化硅电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积碳化硅)系统进行碳化硅表面氢等离子体处理后，由于处理温度较高碳化硅1000°C以上碳化娃，若将碳化娃晶片直接取出，碳化娃表面容易在空气中被氧气氧化，影响碳化娃器件的性能。由于原来的系统支架部分缺乏冷却装置，若晶片自然冷却，需要12个小时以上，容易被空气污染且影响工作进度。
发明内容本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种用于碳化硅表面处理的水冷却装置，以实现碳化硅晶片的快速冷却。本实用新型是这样实现的，用于碳化硅表面处理的水冷却装置，它有冷却室，冷却室内有环状的中空托架，中空托架与推臂固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板分隔出的进水腔体、回水腔体的内腔相连通，进水腔体的一侧有阀门。采用上述结构的水冷却装置，可在短时间内实现碳化硅晶片的冷却，降低了碳化硅被污染的几率，节省了时间，提高了工作效率。
图I是本实用新型结构的主视图。图2是图I的俯视图。
具体实施方式
以下结合附图给出的实施例说明本实用新型的具体结构和使用方法。如附图所示，本实用新型之用于碳化硅表面处理的水冷却装置，它有冷却室碳化硅I碳化硅，冷却室内有环状的中空托架碳化硅2碳化硅，中空托架与推臂碳化硅9碳化硅固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板碳化硅4碳化硅分隔出的进水腔体碳化娃6碳化娃、回水腔体碳化娃7碳化娃的内腔相连通,进水腔体的一侧有阀门碳化娃8碳化硅。使用时，将进水腔体与自来水管连通在一起，托盘碳化硅3碳化硅放置在中空托架上。待碳化硅晶片经过碳化硅表面氢等离子体处理后，推动推臂，使得中空托架进入冷却室，打开阀门碳化硅8碳化硅。自来水经进水腔体内腔、中空托架内腔、回水腔体内腔流动，可在30分钟内快速降低托盘温度，进而降低碳化硅晶片温度，实现快速降温的目的。显然，在冷却室上有中空托架的进出ロ碳化硅5碳化硅。
权利要求1.用于碳化硅表面处理的水冷却装置，其特征在于，它有冷却室(I)，冷却室内有环状的中空托架(2)，中空托架与推臂(9)固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板(4)分隔出的进水腔体(6)、回水腔体(7)的内腔相连通，进水腔体的一侧有阀门(8)。
专利摘要本实用新型提供了一种用于碳化硅表面处理的水冷却装置，用于碳化硅晶片在碳化硅表面氢等离子体处理后的冷却，它有冷却室，冷却室内有环状的中空托架，中空托架与推臂固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板分隔出的进水腔体、回水腔体的内腔相连通，进水腔体的一侧有阀门。这种水冷却装置，可在短时间内实现碳化硅晶片的冷却，降低了碳化硅被污染的几率，节省了时间，提高了工作效率。
文档编号C23C16/32GK202401129SQ20112057662
公开日2012年8月29日 申请日期2011年12月20日 优先权日2011年12月20日
发明者王海波, 王雅玡, 袁媛 申请人:滨州职业学院