专利名称：双通道均化低压化学气相沉积系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及无机合成化学技术领域，具体地说，涉及一种化学气相沉积系统。
背景技术：
化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。目前，利用化学气相沉积技术，在沉积室内的基片上制得SiO2或者多晶硅，是生产 电子元件的重要环节。现有技术中，用来制得SiO2或者多晶硅的化学气相沉积系统，如图I所示，主要包括沉积室11、设在沉积室11内的石英舟12、若干个插装在石英舟12上的基片13和设在沉积室11底部的加热系统15 ;沉积室11的一端设有一号进气口 16和二号进气口 17，分别用于向沉积室11内充入3%、02两种气体；沉积室11的另一端设有抽气口 14。其缺点是进入沉积室11内的气流不均匀，导致沉积效果差。
发明内容本实用新型的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种沉积室内气流均匀、可保证理想沉积效果的双通道均化低压化学气相沉积系统。为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案是一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统；沉积室的一端设有抽气口，其特征在于所述沉积室内设有进气管，进气管的两端口分别穿出沉积室的两端，位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。进一步地说，所述进气管的数目为两个。作为上述技术方案的改进所述进气管的两个端口中，至少有一个端口处安装有流量调节阀。进一步地说，所述进气管的两个端口处都安装有带有调节流量大小的刻度阀。由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本实用新型的沉积室内的气流均匀，可保证理想的沉积效果。
图I为现有技术中化学气相沉积系统的一种结构不意图；图2为本实用新型一种是实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0013]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示进一步阐述本实用新型。如图2所示，一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室21、设在沉积室21内的石英舟22、若干个插装在石英舟22上的基片23和设在沉积室21底部的加热系统25，沉积室21的一端设有抽气口 24。所述沉积室内设有两个进气管，分别是一号进气管26和二号进气管27。两个进气管的两端口分别穿出沉积室21的两端，位于沉积室21内的一号进气管26的管壁上均匀设置有若干个一号管透气孔26a，位于沉积室21内的二号进气管27的管壁上均匀设置有若干个二号管透气孔27a。一号进气管26的两个端口处分别安装有第一流量调节阀26b和第二流量调节阀26c。二号进气管27的两个端口处分别安装有 第三流量调节阀27b和第四流量调节阀27c。所述的第一流量调节阀26b、第二流量调节阀26c、第三流量调节阀27b和第四流量调节阀27c均为带有调节流量大小的刻度阀。当然，作为本实用新型的其他实施例，也可以仅在一号进气管26任意一端的端口处和二号进气管27任意一端的端口处安装流量调节阀。使用时，从一号进气管26的两个端口向一号进气管26内充入SiH4(或者O2)气体，SiH4 (或者O2)气体通过一号进气管26管壁上的各个一号管透气孔27a进入沉积室21内；从二号进气管27的两个端口向二号进气管27内充入O2 (或者SiH4)气体，O2 (或者SiH4)气体通过二号进气管24管壁上的各个二号管透气孔27a进入沉积室21内。这样，可使沉积室21内的气流均匀，保证沉积的效果更加理想。通过两个进气管端口处安装的流量调节阀可对进入沉积室21内的气体流量进行适当的调节，以便达到最佳效果。以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求1.一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统；沉积室的一端设有抽气口，其特征在于所述沉积室内设有进气管，进气管的两端口分别穿出沉积室的两端，位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。
2.根据权利要求I所述的双通道均化低压化学气相沉积系统，其特征在于所述进气管的数目为两个。
3.根据权利要求I或2所述的双通道均化低压化学气相沉积系统，其特征在于所述进气管的两个端口中，至少有一个端口处安装有流量调节阀。
4.根据权利要求3所述的双通道均化低压化学气相沉积系统，其特征在于所述进气管的两个端口处都安装有流量调节阀。
5.根据权利要求3所述的双通道均化低压化学气相沉积系统，其特征在于所述流量调节阀为带有调节流量大小的刻度阀。
专利摘要本实用新型公开了一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统；沉积室的一端设有抽气口，其特征在于所述沉积室内设有进气管，进气管的两端口分别穿出沉积室的两端，位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。所述进气管的数目为两个。所述进气管的两个端口中，至少有一个端口处安装有流量调节阀。本实用新型的沉积室内的气流均匀，可保证理想的沉积效果。
文档编号C23C16/455GK202766615SQ20122038700
公开日2013年3月6日 申请日期2012年8月6日 优先权日2012年8月6日
发明者蒋友华 申请人:上海崛启电子设备有限公司