碱土金属氧化物‑聚合物抛光垫的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种抛光垫，所述抛光垫用于抛光半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种，所述抛光垫包含：聚合物基质，所述聚合物基质具有抛光表面；聚合物微元件，所述聚合物微元件分布在所述聚合物基质中和所述聚合物基质的抛光表面上；所述聚合物微元件具有外表面并且被流体填充从而在抛光表面产生纹理；以及分布在各聚合物微元件中的含碱土金属氧化物区域，所述含碱土金属氧化物区域被分隔开，以覆盖聚合物微元件小于50％的外表面；以及其中，在所述含碱土金属氧化物颗粒中，较差的含碱土金属氧化物颗粒占所述聚合物微元件总重小于0.1重量％，其中所述较差的含碱土金属氧化物颗粒包括：i)粒度大于5μm的含碱土金属氧化物颗粒；以及ii)含碱土金属氧化物颗粒团聚体，其与所述聚合物微元件团聚至平均簇尺寸大于120μm。2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，与所述聚合物微元件结合的含碱土金属氧化物区域的平均尺寸为0.01-3μm。3.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物微元件的平均尺寸为5-200微米。4.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述含碱土金属氧化物区域覆盖所述聚合物微元件1-40％的外表面。5.一种抛光垫，所述抛光垫用于抛光半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种，所述抛光垫包含：聚合物基质，所述聚合物基质具有抛光表面；聚合物微元件，所述聚合物微元件分布在所述聚合物基质中和所述聚合物基质的抛光表面上；所述聚合物微元件具有外表面并且被流体填充从而在抛光表面产生纹理；以及分布在各聚合物微元件中的含碱土金属氧化物区域，所述含碱土金属氧化物是氧化钙、氧化镁或者它们的混合物，所述含碱土金属氧化物区域被分隔开，以覆盖聚合物微元件1-40％的外表面；以及其中，在所述含碱土金属氧化物颗粒中，较差的含碱土金属氧化物颗粒占所述聚合物微元件总重小于0.1重量％，其中所述较差的含碱土金属氧化物颗粒包括：i)粒度大于5μm的含碱土金属氧化物颗粒；以及ii)含碱土金属氧化物颗粒团聚体，其与所述聚合物微元件团聚至平均簇尺寸大于120μm。6.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，分布在所述聚合物微元件上的含碱土金属氧化物区域的平均粒度为0.01-2微米。7.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物微元件的平均尺寸为10-100微米。8.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，所述含碱土金属氧化物区域覆盖所述聚合物微元件2-30％的外表面。