碱土金属氧化物‑聚合物抛光垫的制作方法与工艺

文档序号:12040080阅读:来源:国知局
技术总结
本发明提供一种抛光垫,所述抛光垫用于抛光半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种。所述抛光垫包含聚合物基质,所述聚合物基质具有抛光表面。此外,聚合物微元件分布在所述聚合物基质中和所述聚合物基质的抛光表面上。所述聚合物微元件具有外表面并且被流体填充从而在抛光表面产生纹理。含碱土金属氧化物区域分布在各聚合物微元件中,被分隔开,以覆盖聚合物微元件小于50%的外表面。

技术研发人员:D·B·詹姆斯;D·M·阿尔登;A·R·旺克
受保护的技术使用者:罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
文档号码:201310168375
技术研发日:2013.05.08
技术公布日:2016.12.28

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