1.一种用于在CVD或者PVD装置中产生蒸气的方法，其中，在固体的或者液体的颗粒上通过与单级或者多级蒸发装置(1、2)的、升至蒸发温度的第一热传导面的接触而传递蒸发热，并且通过颗粒的蒸发所产生的蒸气由载体气沿载体气的流动方向从蒸发装置(1、2)输送出，其特征在于，蒸气由载体气运输穿过沿流动方向布置在蒸发装置(1、2)之后的单级或者多级的调制装置(3、4)，调制装置(3、4)具有第二热传导面，所述第二热传导面至少在蒸气供应阶段中被温度控制为第一调制温度，在第一调制温度下蒸气穿过调制装置(3、4)而不材料富集地冷凝在第二热传导面上，并且所述第二热传导面至少在中断阶段中被温度控制到第二调制温度，在第二调制温度下蒸气的至少一部分材料富集地冷凝在第二热传导面上。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，调制装置(3、4)主动地、尤其通过导入冷却气冷却到第二调制温度，其中尤其规定，冷却气被导引至或者在蒸发装置(1、2)之间的，或者在调制装置(3、4)之间，或者在调制装置(3、4)的两个元件之间的间隙(12)。
3.按照上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，蒸气的在第二调制温度下沉积在调制装置(3、4)的热传导面上的冷凝物在相当于蒸发温度的调制温度下使材料富集减少地蒸发。
4.按照上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，蒸气的质量流动速率通过调制装置(3、4)的由调节器(31)调节的温度、尤其借助调制装置(3、4)的加热装置的加热功率的影响和/或通过冷却气在调制装置(3、4)中的质量流量被调整。
5.一种用于为CVD或者PVD装置产生蒸气的设备，所述设备尤其用于实施权利要求1至4中所述方法，该设备具有单级或者多级的蒸发装置(1、2)，所述蒸发装置(1、2)具有能加热至蒸发温度的第一热传导面，第一热传导面用于向置入蒸发装置(1、2)中的固体的或者液体的颗粒传导蒸发热，其中，通过颗粒的蒸发所产生的蒸气由载体气沿载体气的流动方向从蒸发装置(1、2)输送出，其特征在于，沿流动方向在蒸发装置(1、2)之后布置调制装置(3、4)，所述调制装置(3、4)具有第二热传导面，其中，第二热传导面可以至少区域式地被温度控制为调制温度，其中，该调制温度至少可以具有冷凝温度的值和蒸发温度的值，蒸气在所述冷凝温度下在第二热传导面上冷凝成积蓄材料，在所述蒸发温度下不在第二热传导面上形成积蓄材料。
6.按照权利要求5所述的设备或者按照权利要求1至4之一所述的方法，其特征在于，热传导面由发泡体的开放式孔隙的腔室的壁的表面构成，其中尤其规定，发泡体由导电材料组成并且可以通过接通电流被加热，发泡体具有500至200、优选100孔隙每吋的孔隙度和/或所有开放表面占发泡体的表面积90％以上的份额。
7.按照上述权利要求之一所述的设备或者方法，其特征在于，利用供应管(14)向调制装置(3、4)输入冷却气，以降低调制温度。
8.按照上述权利要求之一所述的设备或者方法，其特征在于，蒸发装置(1、2)和/或调制装置(3、4)分别具有两个沿流动方向相继地布置的开放式孔隙的发泡体，其中尤其规定，对于蒸发装置(1)来说，上游的发泡体是用于载体气的预加热装置并且通过间隙(10)与蒸发装置(2)的第二发泡体相间隔，在间隙(10)中通入气溶胶供应管(9)，用于输入具有颗粒的气溶胶，和/或其中尤其规定，调制装置(3、4)的沿流动方向相继布置的发泡体通过间隙(12)相互分开，在间隙(12)中通入冷却气体导入管(14)，用于导入冷却气。
9.按照上述权利要求之一所述的设备或者方法，其特征在于，四个基本相同构造的发泡体(1、2、3、4)沿流动方向相继地布置在蒸发器壳体中，蒸发器壳体的布置在调制装置(3、4)下游的壳体壁(7、8)被加热至高于蒸发温度的温度。
10.按照上述权利要求之一所述的设备或者方法，其特征在于，在调制装置(3、4)下游布置传感器(29)，所述传感器用于测量蒸气在载体气中的分压力或者浓度。
11.按照上述权利要求之一所述的设备或者方法，其特征在于，所述设备是具有进气机构(24)和基座(25)的CVD或者PVD反应器，其中，由载体气运输的蒸气通过进气机构(24)向放置于基座(25)上的基材(26)的方向运输，蒸气在基材上由于化学反应或者温度降低而冷凝，其中尤其设置真空泵(28)，用于将CVD或者PVD反应器的内部抽真空。
12.一种设备或者方法，其特征在于上述权利要求的一个或者多个特征。