1.一种化学机械研磨的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供待研磨晶圆，所述晶圆包括半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的层间介质层、形成在所述层间介质层内的凹槽、以及形成在所述层间介质层上及所述凹槽内的金属互连层；
对所述金属互联层进行第一化学机械研磨，去除部分所述金属互联层；
对所述金属互联层进行第二化学机械研磨，完全去除所述层间介质层上的所述金属互连层；
对所述层间介质层进行第三化学机械研磨；
所述第三化学机械研磨包括一冲洗步骤：采用缓蚀剂对所述晶圆进行冲洗。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述第三化学机械研磨包括预研磨、主研磨以及晶圆清洗。
3.如权利要求2所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，在所述主研磨之前进行所述冲洗步骤。
4.如权利要求3所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述冲洗步骤与所述预研磨、主研磨在同一研磨垫上进行。
5.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述金属互连层为铜互联层，所述缓蚀剂为铜缓蚀剂。
6.如权利要求5所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述缓蚀剂为苯并三氮唑。
7.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述冲洗步骤进行冲洗的时间为30s～70s。
8.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述第一学机械研磨、第二化学机械研磨以及第三化学机械研磨的总时间相当。
9.如权利要求8所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述第一化学机械研磨、第二化学机械研磨以及第三化学机械研磨采用同一化学机械研磨装置的不同子装置进行。
10.如权利要求9所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述第一化学机械研磨、第二化学机械研磨与第三化学机械研磨同时进行，分别研磨不同的晶圆。