技术总结
本发明提供了一种化学机械研磨的方法，包括：提供待研磨晶圆，所述晶圆包括半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的层间介质层、形成在所述层间介质层内的凹槽、以及形成在所述层间介质层上及所述凹槽内的金属互连层；对所述金属互联层进行第一化学机械研磨，去除部分所述金属互联层；对所述金属互联层进行第二化学机械研磨，完全去除所述层间介质层上的所述金属互连层；对所述层间介质层进行第三化学机械研磨；所述第三化学机械研磨包括一冲洗步骤：采用缓蚀剂对所述晶圆进行冲洗，防止在等待时间内暴露出的金属被氧化，从而降低了发生树突缺陷的风险，提高了半导体器件的性能；同时减少了晶圆在第三次化学机械研磨过程中的等待时间。
技术研发人员：桂辉辉;周小红;李大鹏;周小云;万先进
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
文档号码：201610996811
技术研发日：2016.11.11
技术公布日：2017.05.10