技术总结
一种双区加热的等离子增强化学气相沉积腔体晶圆基座（Dual Zone Heater），包括基座主体，所述基座主体上设置晶圆凹槽，晶圆凹槽分为中心区域和边缘区域两部分，中心区域和边缘区域采用两套内嵌加热元件及温度传感器来独立加热。它是在传统的腔体晶圆基座（Heater）技术的基础上引入了双区加热温控技术，可以独立调控腔体晶圆基座中心区域和边缘区域的温度，来改善300mm尺寸晶圆在等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺中薄膜沉积的均匀性，从而提高产品的良率。
技术研发人员：徐光
受保护的技术使用者：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
文档号码：201620884628
技术研发日：2016.08.16
技术公布日：2017.01.11