1.双闭环磁控溅射阴极，包括相互平行设置的靶材与磁靴，以及设于靶材与磁靴之间的磁体装置，其特征在于，所述磁体装置包含一个中间磁体、两个端部磁体以及两组辅助磁体对，每组辅助磁体对都由两个相吸附的辅助磁体构成，两个辅助磁体的磁极方向相反；所述中间磁体位于磁靴中央，两个端部磁体分别位于磁靴的两端，两组辅助磁体对分别位于中间磁体与端部磁体之间的磁靴上；每个磁体两个磁极的连线均垂直于靶材；所有相邻磁体之间的磁极方向均相反。
2.根据权利要求1所述的双闭环磁控溅射阴极，其特征在于，所述中间磁体的高度与端部磁体的高度相同，中间磁体的宽度是端部磁体宽度的两倍；辅助磁体对的高度低于端部磁体的高度，辅助磁体对的宽度小于端部磁体的宽度。
3.根据权利要求2所述的双闭环磁控溅射阴极，其特征在于，每组辅助磁体对的上方均设有导磁片，导磁片固定于靶材背板上。
4.根据权利要求1所述的双闭环磁控溅射阴极，其特征在于，所述每个磁体均采用汝铁硼磁铁。
5.根据权利要求3所述的双闭环磁控溅射阴极，其特征在于，所述导磁片采用相对导磁率在1～20000的导磁材料。