一种双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置的制作方法

本实用新型涉及高真空状态下在各种基材双面磁控溅射连续成膜的镀膜设备领域，特别是一种可以应用在卷装基材上双面溅射电镀一层或多层金属的双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置。

背景技术：

真空卷绕镀膜技术即在真空室内通过磁控溅射技术等方法在卷装基材表面制备一层或者多层功能性薄膜的技术，可以应用于电磁屏蔽膜、柔性电路板、光学膜等行业。目前，市面上常见真空磁控溅射装置普遍应用于小面积或单面镀膜，真正可量化生产的双面连续化镀膜装置并不多见。且常用真空磁控溅射镀膜机多存在镀膜效率低、镀膜质量差、产品良品率低、制程能力差等缺点。

常用磁控溅射镀膜机存在以下缺点：（一）镀膜装置由真空腔体、靶极车、收放卷系统三部分构成，设备体积大，且真空腔体内部件设计不合理，占用较大空间，设备成本高。（二）溅射区滚筒多采用小直径辊，基材在辊与辊之间拉伸张开时易造成横向张力不均匀，使基材表面发生褶皱、凹凸不平，造成镀膜厚度不均匀、质量差，产品良率低；且制程能力较弱，可镀基材厚度较厚，一般基材厚度最薄只达20μm。（三）未设置接地装置，磁控溅射过程中，一般会产生静电荷积累，电荷累积达到一定程度时，会产生放电效应，在基材表面打上放电纹，造成基材的部分报废，或者镀膜质量差等问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的，在于提供一种双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置。

本实用新型解决其技术问题的解决方案是：一种双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，包括真空腔体、真空获得系统、靶极、收放卷系统，所述真空腔体上设置有真空获得系统，真空腔体内的磁控溅射区左右两侧分别布置有一排磁控溅射的靶极，所述收放卷系统包括第一卷轴、第二卷轴、若干导向辊、若干张力辊以及两根主动辊，第一卷轴和第二卷轴分别位于磁控溅射区上下侧，每排所述靶极和其相对应的主动辊之间形成磁控溅射通道，两根所述主动辊位于磁控溅射区中且两根主动辊沿水平方向分布在两排靶极之间，第一卷轴中的基材通过导向辊、张力辊和相应的主动辊进去其中一个磁控溅射通道后从另一个磁控溅射通道出并经相应的主动辊、张力辊和导向辊收卷于第二卷轴。

作为上述技术方案的进一步改进，所述第一卷轴位于磁控溅射区上方，所述第二卷轴位于磁控溅射区下方；或者，所述第二卷轴位于磁控溅射区上方，所述第一卷轴位于磁控溅射区下方。

作为上述技术方案的进一步改进，缠绕在两根所述主动辊上的基材呈S形，主动辊的直径为1.5~2m。

作为上述技术方案的进一步改进，所述真空获得系统为分子泵，确保了真空室无返油现象。

作为上述技术方案的进一步改进，所述真空腔体内设置有深冷水汽捕集器，有助于吸附基材放出的气体，优化镀膜环。

作为上述技术方案的进一步改进，所述深冷水汽捕集器是深冷泵。

作为上述技术方案的进一步改进，所述收放卷系统右上侧设置有离子源处理器，实现对基材表面进行离子轰击，提高基材表面粗糙度，进一步确保基材与保护膜之间的剥离强度。

作为上述技术方案的进一步改进，所述靶极设置为8个，其中4个靶极成一排后分布在其中一个主动辊的圆周外侧，余下4个靶极成一排后分布在另一个主动辊的圆周外侧，所述磁控溅射通道呈弧状。

作为上述技术方案的进一步改进，所述真空腔体为圆形，不会形成抽气死角，真空度均匀。

作为上述技术方案的进一步改进，所述真空腔体下部设有接地装置。

本实用新型的有益效果是：本实用新型具有的优点是：（1）将靶极设计在真空腔体内，省去靶极车，且真空腔体内部主要部件位置设计结构紧凑，合理的利用了真空腔体的有限空间，有利于减小设备体积，减小设备空间占有率，降低制造成本。（2）收放卷系统的主动辊为大直径辊，确保在溅射过程中基材横向张力均匀，不易发生褶皱，从而保证基材表面溅射均匀，提高良品率；同时可溅射基材厚度最薄可达7.5μm，制程能力提高。（3）真空腔体上设置有接地装置，可消除静电荷累积，避免基材表面被放电破坏，提高良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他设计方案和附图。

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型中收卷基材的实施例一；

图3是本实用新型中收卷基材的实施例二；

图4是本实用新型中收放卷和真空腔体之间的构造结构示意图；

图5是本实用新型中真空腔体结构示意图。

具体实施方式

以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本实用新型的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。另外，文中所提到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。

参照图1～图5，一种双面真空磁控溅射卷绕镀膜装置，包括真空腔体 11，真空获得系统1，靶极2，收放卷系统13，真空腔体11上设置有真空获得系统1，真空获得系统1使真空腔体11在工作时内部呈高度真空状态，真空腔体11内的磁控溅射区的两侧设置有磁控溅射的靶极2。靶极2设置在真空腔体11内，围绕大直径的主动辊3环绕形排列。磁控溅射区上下分别设置有收卷系统和放卷系统，可依据需求实现上下两种走膜方向。收放卷系统13与真空腔体11的密封面14活动密封链接。真空腔体11下设置有导向轨12，收放卷系统13安装在导向轨12上。收放卷系统13由第一卷轴、第二卷轴、导向辊4、张力辊6、主动辊3组成。走膜方向有两种，如图3所示，位于磁控溅射区下方的第一卷轴8中的基材通过导向辊4、张力辊6，左侧的主动辊3、右侧的主动辊3进入磁控溅射区，磁控溅射区出来的基材经张力辊6、导向辊4收卷于位于磁控溅射区上方的第二卷轴5，此过程中，左侧的主动辊3沿顺时针转动，右侧的主动辊3沿逆时针转动，且基材在左侧的主动辊3上镀膜，基材在右侧的主动辊3上镀膜；或者，如图2所示，位于磁控溅射区上方的第一卷轴8中的基材通过导向辊4、张力辊6，右侧的主动辊3、左侧的主动辊3进入磁控溅射区，磁控溅射区出来的基材经张力辊6、导向辊4收卷于位于磁控溅射区下方的第二卷轴5，此过程中，左侧的主动辊3沿逆时针转动，右侧的主动辊3沿顺时针转动。真空腔体11内设置有圆形真空室，其圆周均匀安装五台真空获得系统1。真空获得系统1可以选用分子泵。真空腔体11内安装了深冷水汽捕集器9，深冷水汽捕集器可以为深冷泵。深冷泵提高了对连续镀膜过程中基材的放气抽速，从而提高了工作效率。收放卷系统的右上侧设置有离子源处理器7，可对基材表面进行离子轰击，提高基材表面粗糙度，确保膜层与基材之间的剥离强度。真空腔体11的下部设置有接地装置10，可避免磁控溅射区静电荷累积过多，对基材镀膜表面造成损伤。

设置的收放卷系统可以满足镀区全幅宽的一卷双面镀，镀区可根据需要设计为200-2300mm。基材卷绕路线如图2、图3所示的实施方式。双面溅射电镀时，基材总体走向呈“S”形，第一卷轴放卷基材通过导向辊4、张力辊6、主动辊3经离子源处理器7处理后进入磁控溅射区经溅射靶2溅射，磁控溅射区出来的基材经、张力辊6和导向辊4收卷于第二卷轴。第一卷轴和第二卷轴可以依照需求设置。也可用于宽度为镀区一半的两卷基材双面镀。双面电镀系统为基材表面溅射电镀提供了稳定可靠的溅射镀膜方式，结构设计合理紧凑，提高了镀膜质量，提高了制程能力。主动辊的直径为1.5~2m，优选地，主动辊的直径为1.8m。

以上是对本实用新型的较佳实施方式进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可作出种种的等同变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。