技术特征：
技术总结
本发明属于石墨烯材料制备的技术领域，公开了一种改善常压化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜导电性能的方法。所述方法为：(1)将铜箔进行表面清洗处理；(2)将经过处理的铜箔进行高温热处理，高温热处理的条件为：氩气的流速为200～500sccm、氢气的流速为0～50sccm，于700～1000℃恒温处理5～7小时；(3)将经过高温热处理的铜箔升温至900～1050℃，通入甲烷进行生长；(4)停止甲烷及氢气的通入，保持氩气的通入，冷却，得到生长于铜片基底的石墨烯薄膜。本发明的方法操作简单，无需添置多余设备，成本低廉，易于操作，使用本方法能够大幅度达到降低石墨烯薄膜方阻，改善其导电性能的目的。
技术研发人员：刘庆渊;苏东艺;彭继华
受保护的技术使用者：华南理工大学;广州今泰科技股份有限公司
技术研发日：2017.06.14
技术公布日：2017.09.29