1.半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法，其特征在于，包括以下步骤：
将铝件升温至200℃后，采用温度-30℃压强5MPa氮气吹过铝件表面，后再将铝件升温至100摄氏度；
将铝件表面均匀喷涂粘性涂层，并将铝件表面贴付上PE塑料膜，待铝件冷却至50摄氏度粘性涂层硬化；
将步骤2）所得到的铝件快速冷冻至-50℃以下，再升温到-25℃至-30℃；
在铝件各表面上方3-5mm处设置吸附层，再采用50MPa-55MPa气柱在铝件各表面上方对撞，气柱对撞角度小于120°；
重复步骤3）至4）2-5次，将铝件置于20℃干燥室内自然升温至温度不再提高，完成再生过程。
2.根据权利要求1所述的半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法，其特征在于，步骤3）采用液氮冷冻。
3.根据权利要求1所述的半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法，其特征在于，步骤4）中所述气柱采用-30℃至-40℃氮气气柱。
4.根据权利要求1所述的半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法，其特征在于，所述步骤2）中气柱对撞处在铝件各表面上方0.2-0.5mm处对撞。
5.根据权利要求1所述的半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法，其特征在于，所述气柱对撞过程中气柱在铝件个表面上方0.2-0.5mm范围内上下移动。
6.根据权利要求1所述的半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法，其特征在于，所述步骤4）过程中铝件不断自转并变换与气柱的角度。
7.根据权利要求1所述的半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法，其特征在于，所述粘性涂层采用淀粉稀释液制成。