半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法与流程

技术总结
本发明提供一种半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法。其利用铝热膨胀系数较大的特性，通过热胀冷缩的方法进行铝件再生，一方面降低采用高洁净度洗液所带来的成本提高，另一方面可以有效防止洗液残留造成的铝件二次污染，具有广泛的适用性。

技术研发人员：范银波
受保护的技术使用者：苏州珮凯科技有限公司
技术研发日：2018.04.08
技术公布日：2018.10.12