硬度试验 W载荷980. 7 mN、载荷保持时间15砂对所述最表层（A层）的表面压入压头进行测定而得 的硬度，即所述最表层（A层）的表面的压痕硬度为10000 MPa W下，具有高弯曲加工性。
9. 如权利要求1~8中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层)的 表面的算术平均高度（Ra)为0. 1 ym W下，耐气体腐蚀性更优异。
10. 如权利要求1~9中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层） 的表面的最大高度（Rz)为1 ym W下，耐气体腐蚀性更优异。
11. 如权利要求1~10中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层） 的表面的反射浓度为0. 3 W上，耐气体腐蚀性更优异。
12. 如权利要求1~11中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，通过XPS (X射线 光电子光谱）进行Depth分析时，表示所述最表层（A层）的Sn或In的原子浓度（at%)的 最高值的位置（〇1)、与表示所述中层（B层）的Ag、Au、Pt、Pt Ru、化、化或Ir的原子浓度 (at%)的最高值的位置（〇2)是从最表面起W 〇1、〇2的顺序存在。
13. 如权利要求1~12中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，通过XPS (X射线 光电子光谱)进行Depth分析时，所述最表层（A层）的Sn或In的原子浓度（at%)的最高值 为 10 at% W上。
14. 如权利要求1~13中任一项所述的电子零件用金属材料，其还具备C层，所述C层 设置在所述基材与B层之间而构成下层，且由选自由Ni、化、111^6、(：〇、化所组成的组中的 1种或2种W上而形成。
15. 如权利要求14所述的电子零件用金属材料，其中，下层（C层）的合金组成中Ni、 &、1/[]1^6、(：〇、化的合计为50质量％^上，且进一步包含选自由6、？、5]1、化所组成的组中 的1种或2种W上。
16. 如权利要求14或15所述的电子零件用金属材料，其中，通过XPS(X射线光电子光 谱)进行Depth分析时，表示所述最表层（A层）的Sn或In的原子浓度（at%)的最高值的位 置（〇1)、表示所述中层（B层）的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、化、化或Ir的原子浓度（at%)的最高值 的位置（〇2)、及表示所述下层（C层）的Ni、化、Mn、Fe、Co或化的原子浓度（at%)的最高值 的位置（〇3)是从最表面起W 〇1、〇2、的顺序存在。
17. 如权利要求14~16中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，通过XPS(X射线 光电子光谱)进行Depth分析时，所述最表层（A层）的Sn或In的原子浓度（at%)的最高值 为10 at% W上，且所述下层（C层）的Ni、化、Mn、Fe、Co或化的原子浓度（at%)为25% W 上的深度为50皿W上。
18. 如权利要求14~17中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述下层（C层） 的厚度为0.05 ymW上。
19. 如权利要求14~18中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述下层（C层） 的化、化、]?11、尸6、(：〇、〇1的附着量为0.03 111径/畑12^上。
20. 如权利要求1~19中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层） 的厚度为0.01~0. 1 ym，其低插拔性更优异、无晶须。
21. 如权利要求1~20中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层） 的Sn、In的附着量为7~75 y g/cm2,无晶须。
22. 如权利要求1~21中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述中层（B层)的 厚度超过0. 3 ym且为0. 6 ymW下。
23. 如权利要求1~22中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述中层（B层)的 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、化、0s、Ir的附着量超过 330 yg/cm2且为 660 yg/cm2W下。
24. 如权利要求14~23中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述下层（C层） 的表面的维氏硬度Hv为300 W上。
25. 如权利要求14~24中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述下层（C层） 的表面的维氏硬度与厚度满足下述式： 维氏硬度（Hv) > -376. 22Ln (厚度 ym) + 86. 411。
26. 如权利要求14~25中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，通过超微小硬度 试验W载荷980.7 mN、载荷保持时间15砂对所述下层（C层）的表面压入压头进行测定而 得的硬度，即所述下层（C层）的表面的压痕硬度为2500 MPa W上。
27. 如权利要求14~26中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述下层（C层） 的表面的压痕硬度与厚度满足下述式： 压痕硬度（MPa) >-3998.化n (厚度 ym) + 1178. 9。
28. 如权利要求14~27中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述下层（C层） 的表面的维氏硬度Hv为1000 W下，具有高弯曲加工性。
29. 如权利要求14~28中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，通过超微小硬度 试验W载荷980. 7 mN、载荷保持时间15砂对所述下层（C层）的表面压入压头进行测定而 得的硬度，即所述下层（C层）的表面的压痕硬度为10000 MPa W下，具有高弯曲加工性。
30. 如权利要求1~29中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述基材为金属基 材，且所述金属基材的表面的维氏硬度Hv为90 W上。
31. 如权利要求1~30中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述基材为金属基 材，且通过超微小硬度试验W载荷980.7 mN、载荷保持时间15砂对所述金属基材的表面压 入压头进行测定而得的硬度，即所述金属基材的表面的压痕硬度为1000 MPa W上。
32. 如权利要求1~31中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述基材为金属 基材，且通过依照JIS C 2241对所述金属基材的社制平行方向将拉伸速度设为50 mm/min 进行拉伸试验而测定的所述金属基材的伸长率为5% W上，具有高弯曲加工性。
33. 如权利要求1~32中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述基材为金属 基材，且依照日本伸铜协会技术标准（JCBA)T307进行W弯曲试验时所述金属材料未发生断 裂的最小弯曲半径（MBR)与所述金属材料厚度（t)的比，即最小弯曲半径比（MBR/t)为3 W 下，具有高弯曲加工性。
34. 如权利要求1~33中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，通过XPS (X射线 光电子光谱)的Survey测定而进行所述最表层（A层)的表面的元素分析时，Sn、In为2 at% 社。
35. 如权利要求1~34中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，通过XPS (X射线 光电子光谱）的Survey测定而进行所述最表层（A层）的表面的元素分析时，Ag、Au、Pt、Pd、 Ru、化、Os 或 Ir 低于 7 at〇/〇。
36. 如权利要求1~35中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，通过XPS (X射线 光电子光谱)的Survey测定而进行所述最表层（A层)的表面的元素分析时，0低于50 at%。
37. -种连接器端子，其在接点部分使用了权利要求1~36中任一所述的电子零件用 金属材料。
38. -种连接器，其使用了权利要求37所述的连接器端子。
39. -种FFC端子，其在接点部分使用了权利要求1~36中任一所述的电子零件用金 属材料。
40. -种FPC端子，其在接点部分使用了权利要求1~36中任一所述的电子零件用金 属材料。
41. 一种FFC，其使用了权利要求39所述的FFC端子。
42. -种FPC，其使用了权利要求40所述的FPC端子。
43. -种电子零件，其是在外部连接用电极使用了权利要求1~36中任一所述的电子 零件用金属材料。
44. 权利要求1~36中任一所述的电子零件用金属材料的制造方法，其中，包含通过利 用湿式锻敷的表面处理分别形成所述最表层（A层）及所述中层（B层）的步骤。
45. 如权利要求44所述的电子零件用金属材料的制造方法，其中，所述湿式锻敷的方 法为电锻。
46. 如权利要求44或45所述的电子零件用金属材料的制造方法，其中，通过使用酸性 锻敷液的锻敷处理而形成所述最表层（A层)。
47. 如权利要求44~46中任一项所述的电子零件用金属材料的制造方法，其中，通过 使用含氯锻敷液的锻敷处理而形成所述中层（B层)。
48. 权利要求14~36中任一所述的电子零件用金属材料的制造方法，其中，包含通过 使用氨基賴酸浴或瓦特浴的锻敷处理而形成所述下层（C层）的步骤。
49. 如权利要求48所述的电子零件用金属材料的制造方法，其中，所述氨基賴酸浴及 所述瓦特浴中所使用的锻敷液为光泽Ni锻敷液。
50. 如权利要求48或49所述的电子零件用金属材料的制造方法，其中，在用W形成所 述下层（C层）的锻敷液中含有糖精作为添加剂。
【专利摘要】本发明提供一种具有低插拔性、低晶须性及高耐久性的电子零件用金属材料及其制造方法。本发明的电子零件用金属材料10具备基材11、A层、及B层；该A层14构成基材11的最表层，且由Sn、In或它们的合金形成；B层13设置在基材11与A层14之间而构成中层，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金形成；且最表层（A层）14的厚度为0.002～0.2 μm，中层（B层）13的厚度厚于0.3 μm。
【IPC分类】H01B5-02, C25D3-02, C23C30-00, C25D3-12, C22C13-02, C22C9-04, H01R13-03, C22C19-05, C22C13-00, C25D7-00, C22C9-02, C22C5-06, C22C9-00, C22C5-08, C22C19-03
【公开号】CN104685101
【申请号】CN201280076223
【发明人】涉谷义孝, 深町一彦, 儿玉笃志
【申请人】Jx日矿日石金属株式会社
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2012年10月31日
【公告号】EP2905356A1, WO2014054189A1