磨削装置以及磨削方法【专利说明】磨削装置以及磨削方法[0001]关联申请[0002]本申请享受以日本专利申请2014—35227号(申请日:2014年2月26日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部的内容。
技术领域：
[0003]本发明的实施方式涉及磨削装置以及磨削方法。【
背景技术：
】[0004]近年，在功率半导体装置中，为了低电阻化，作为芯片与外部引线的连接构造，提出了不使用引线键合，而使用了铜等板状的连接器或者盖板(strap)的构造，那样的产品也变得越来越多。[0005]此外，提出了使在芯片上搭载的连接器从树脂露出，从安装基板侧的封装(Package)下表面以及封装上表面这两个面散热的构造。具有在使连接器上表面从树脂露出时，在树脂成模(mold)工序暂且以树脂覆盖了连接器上表面后，磨削树脂的方法。【
发明内容】[0006]本发明的实施方式提供一种磨削对象的厚度控制好的磨削装置以及磨削方法。[0007]根据实施方式，磨削装置具备:卡盘工作台；砂轮，与固定于上述卡盘工作台的多个工件的相互分离的多个磨削面相对地边旋转边接触而磨削上述工件；测定机，测定上述磨削面的高度；以及控制装置，根据上述工件的磨削前所测定的多个上述磨削面的高度，以及上述工件的磨削后所测定的多个上述磨削面的高度，控制上述工件的磨削量。【附图说明】[0008]图1是实施方式的磨削装置的模式图。[0009]图2(a)以及(b)是实施方式的磨削装置的模式图。[0010]图3是实施方式的工件(work)的模式顶视图。[0011]图4是表示实施方式的磨削方法的流程图。[0012]图5是实施方式的半导体装置的模式剖视图。[0013]图6(a)以及(b)是实施方式的半导体装置的模式顶视图。[0014]图7(a)以及(b)是实施方式的半导体芯片的模式俯视图。【具体实施方式】[0015]以下，参照附图，对实施方式进行说明。另外，各附图中，对相同要素给予相同符号。[0016]图1是实施方式的磨削装置的模式图。[0017]实施方式的磨削装置是例如横向进给(infeed)方式的磨削装置，使旋转的砂轮104从上下降,对与卡盘工作台(chucktable)102—起自转的磨削对象物进行磨削。[0018]图2(a)是表示卡盘工作台102与砂轮104的配置关系的模式顶视图。[0019]图2(b)是表示卡盘工作台102与砂轮104的配置关系的模式侧面图。[0020]砂轮104是例如金刚石砂轮，在其下表面设有配置成环状的多个金刚石磨具105。[0021]砂轮104经由设于主轴壳体106内的主轴与主轴马达107连结。通过该主轴马达107，使砂轮104以图2(a)以及(b)所示的旋转轴al为中心地旋转。[0022]在砂轮104的下方设有卡盘工作台102。卡盘工作台102能够相对砂轮104的旋转面在大致平行面内进行直线移动。[0023]卡盘工作台102以真空吸盘方式吸附作为磨削对象物的工件。关于工件，在后叙述。[0024]此外，卡盘工作台102设为能够以图2(a)以及(b)所示的旋转轴a2为中心地旋转。[0025]有时由于卡盘工作台102的上表面的中心部与外周部之间的高度的偏移量h，相对于中心侧的工件和外周侧的工件所用的磨削时运动量不同，导致磨削后的工件的厚度的不均。另外，在图2(b)中，对卡盘工作台102的上表面的高度偏移进行了夸张地图示，例如高度偏移量h为30μm左右。[0026]根据实施方式，使卡盘工作台102的旋转轴a2相对砂轮104的旋转轴al倾斜，通过调整其倾斜角度，从而调整为卡盘工作台102的上表面的一部分区域相对于砂轮104的旋转面变成平行。并且，通过在该区域控制对砂轮104接触的面积，从而能够减少加工时的负荷，得到稳定的加工，能够抑制面内的磨削后厚度不均。[0027]此外，根据实施方式的磨削装置，具备图1所示的厚度测定机121、122。厚度测定机122具有对工件的磨削面的高度进行测定的测定头部122a。厚度测定机121具有对卡盘工作台102的上表面的外周部的高度进行测定的测定头部121a。根据工件磨削面的高度和卡盘工作台102上表面的高度，得到工件的厚度。[0028]进而，根据实施方式的磨削装置，具备控制装置110。控制装置110控制主轴马达107的驱动、砂轮104的升降、卡盘工作台102的直线移动以及旋转等。此外，控制装置110基于厚度测定机121、122的测定结果，控制上述的要素的动作，控制工件的磨削量，以使工件的厚度变成指定的厚度。[0029]以下，以作为磨削对象物工件的一个例子对半导体装置进行说明。[0030]图5是实施方式的半导体装置I的模式剖视图。[0031]图6(a)是半导体装置I的模式顶视图，图6(b)是移除了树脂80的模式顶视图。在图6(b)中，对树脂80只图示了侧面的外形线。[0032]半导体装置I具有半导体芯片10、与半导体芯片10电连接的引线框21、31、41、第I连接器50、第2连接器70以及将这些要素密封的树脂80。[0033]半导体芯片10是在将设于半导体层的一方的面侧的第I电极与设于另一方的面侧的第2电极之间联结的纵方向上形成电流路径的纵型器件。半导体芯片10是例如纵型MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)?或者，半导体芯片10是纵型IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)、纵型二极管。[0034]使用硅作为半导体。或者，也可以用硅以外的半导体(例如SiC、GaN等的化合物半导体)。[0035]图7(a)是半导体芯片10的第I面12的模式俯视图，图7(b)是与第I面12相反一侧的第2面14的模式俯视图。[0036]如图7(a)所示，在半导体层11的第I面12形成第I电极13。在例如MOSFET中，第I电极13是漏极电极。第I电极13占第I面12的大部分地被形成。[0037]如图7(b)所示，在半导体层11的第2面14，第2电极15和第3电极16互相绝缘分离而形成。第2电极15占第2面14的大部分地被形成，在例如MOSFET中是源极电极。第3电极16的面积比第2电极15的面积小，在例如MOSFET中是栅极电极。[0038]如图6(b)所示，第I引线框21具有下垫板(diepad)22以及多根引线23。下垫板22的平面形状形成为四边形状，多根引线23从下垫板22的一边突出。通过金属板的模加工将第I引线框21成形，下垫板22以及引线23被一体地设置。[0039]在与第I引线框21的引线23的突出方向相反一侧，相对第I引线框21分开地设有第2引线框31。[0040]第2引线框31具有在第I引线框21侧设置的内部引线32以及从内部引线32突出的多根外部引线33。外部引线33向第I引线框21的引线23的突出方向的反方向突出。内部引线32在相对外部引线33的突出方向以及第I引线框21的引线23的突出方向正交的方向上延伸。[0041]通过金属板的模加工将第2引线框31成形，内部引线32以及外部引线33被一体地设置。[0042]此外，在与第I引线框21的引线23的突出方向相反一侧，相对第I引线框21分开地还设有第3引线框41。第3引线框41设于第2引线框31的内部引线32的长度方向的相邻处。第3引线框41相对第2引线框31而分开。[0043]第3引线框41具有在第I引线框21侧设置的内部引线42以及从内部引线42突出的I根外部引线43。外部引线43向与第2引线框31的外部引线33的突出方向相同的方向关出。[0044]如图5所示，在第I引线框21的引线23与下垫板22之间没有形成阶梯差，引线23的上表面与下垫板22的上表面连成平面，引线23的下表面与下垫板22的下表面连成平面。[0045]第2引线框31在内部引线32与外部引线33之间的部分弯曲，在内部引线32与外部引线33之间形成阶梯差。第3引线框41也与第2引线框31相同，在内部引线42与外部引线43之间的部分弯曲，在内部引线42与外部引线43之间形成阶梯差。[0046]第2引线框31的外部引线33的下表面处于与第I引线框21的下表面(引线23的下表面以及下垫板22的下表面)相同的高度水平。第3引线框41的外部引线43的下表面处于与第I引线框21的下表面以及第2引线框31的外部引线33的下表面相同的高度水平。[0047]将外部引线33、43的下表面以及第I引线框21的下表面设为高度方向(上下当前第1页1 2 3