体(在此，载体180-1和180-2)、控制器190、第一形状调整单元210和第二形状调整单元610。
[0210]第二形状调整单元610可以通过将压力施加到下表面板110d的一个区域而将下表面板110的上表面的形状调整成沿第一方向的凹形、平坦形状和沿第一方向的凸形之
ο
[0211]图19所示实施例中的基座120a和第二形状调整单元610可以不同于图1所示的实施例中的基座和第二形状调整单元。
[0212]图20至图22是示出了下表面板110根据第二形状调整单元610的运动的形状改变的视图。
[0213]参照图20，基座120a的上表面可以包括具有高的中部和低的边缘部的倾斜表面。
[0214]例如，基座120a的上表面可以是倾斜表面，该倾斜表面的高度沿着从基座120a的中部到基座120a的外周面的方向逐渐降低。
[0215]第二形状调整单元610可以通过将压力施加到下表面板110的下表面114的一个区域而改变下表面板110的上表面113的一端113a和另一端113b的高度。
[0216]第二形状调整单元610可以包括支承部612和提升或降下支承部612的升降部624，该支承部612连接到下表面板110的下表面114的第一区域Q并且支承下表面板110的下表面114的第一区域Q。
[0217]下表面板110的下表面114的第一区域Q可以是位于下表面板110的外周面与下表面板110的中线901之间的下表面板110的下表面114的一个区域。
[0218]例如，下表面板110的下表面114的第一区域Q可以比下表面板110的内周面112更靠近下表面板110的外周面111。
[0219]参照图20，当压力未由第二形状调整单元610施加到下表面板110时，基座120a的上表面是倾斜的，并且因此，位于基座120a上的下表面板110的上表面113可以沿第一方向是凸形的。
[0220]也就是说，当下表面板110的上表面113的一端113a与第二参考表面402对齐时，下表面板110的上表面113的另一端113b可以位于第二参考表面402的上方。在此，从第二参考表面402至下表面板110的上表面113的另一端113b的间隔距离d7可以是1 μπι?500 μ mD
[0221]参照图21，当升降部624提升支承部612时，下表面板110的上表面113的形状可以改变成平行于第二参考表面402。此原因是，通过提升支承部612，下表面板110的上表面113的端部113a可以被提升并且下表面板110的上表面113的另一端113b可以被降下，使得下表面板110的上表面113平行于第二参考表面402。
[0222]参照图22，当升降部624进一步提升支承部612时，下表面板110的上表面113可以改变成具有沿第一方向的凹形。
[0223]也就是说，当下表面板110的上表面113的一端113a与第二参考表面402对齐时，下表面板110的上表面113的另一端113b可以位于第二参考表面402的下方。在此，从第二参考表面402至下表面板110的上表面113的另一端113b的间隔距离d7可以是1 μπι?500 μ mD
[0224]升降部624可以包括气缸或者液压缸(未示出)中的至少一个，或者包括马达。例如，升降部624可以包括升降马达。
[0225]如上所述，由于上表面板140和下表面板110的形状可以藉由第一形状调整单元210和第二形状调整单元220自动改变，晶片抛光设备可以自动地调整上表面板140和下表面板110的最适用于晶片加工条件的形状，并且提高晶片的平整度。
[0226]另外，当上表面板140和下表面板110的形状改变时，晶片抛光设备不要求拆卸上表面板140和下表面板110，因此缩短了抛光时间并防止成本增加。
[0227]从以上描述显而易见的是，根据本发明一个实施例的晶片抛光设备可以自动地将上表面板和下表面板的形状调整到最适用于晶片加工条件，增加了晶片平整度，缩短了抛光时间，并且防止成本增加。
[0228]对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明精神或范围的情形下，可对本发明作出各种改型和变型。因此，本发明旨在涵盖其任何改型和变型，只要它们落在所附权利要求及其等同物的范围内即可。
【主权项】
1.一种晶片抛光设备，包括: 基座； 下表面板，设置在所述基座的上表面上； 上表面板，设置在所述下表面板上； 第一形状调整单元，构造成使所述上表面板的下表面的形状变形，以使所述上表面板的下表面具有沿第一方向的凹形、平坦形状和凸形之一， 其中，所述第一方向是从所述下表面板到所述上表面板的方向。2.如权利要求1所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述第一形状调整单元包括: 上表面板支承件，构造成支承所述上表面板的上表面并且包括凹槽，所述凹槽具有沿所述第一方向增大的宽度；以及 第一楔形构件，插入所述第一凹槽中，其中: 所述上表面板的下表面的形状根据所述第一楔形构件的插入深度进行变形；并且所述第一楔形构件的插入深度是所述第一楔形构件插入所述第一凹槽的下端与所述第一凹槽的底部之间的距离。3.如权利要求1所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述第一形状调整单元包括: 板，构造成支承所述上表面板的上表面； 支承部，设置有连接到所述板的一端并且包括沿所述第一方向宽度增大的凹槽； 第一楔形构件，插入所述第一凹槽中；以及 第一移动部，构造成沿所述第一方向或者与所述第一方向相反的方向使所述第一楔形构件在所述第一凹槽内移动。4.如权利要求3所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述第一凹槽包括第一侧表面、第二侧表面和位于所述第一侧表面和所述第二侧表面之间的底部， 其中，所述第二侧表面比所述第一侧表面更靠近所述上表面板的外周面。5.如权利要求4所述的晶片抛光设备，其特征在于，由所述第一侧表面和第一参考表面形成的角度不同于由所述第二侧表面和所述第一参考表面形成的角度，并且所述第一参考表面垂直于所述上表面板的下表面。6.如权利要求3所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述第一楔形构件具有圆筒形状，并且所述第一凹槽具有圆筒形状，所述第一凹槽的圆筒形状与所述第一楔形构件的圆筒形状相符合。7.如权利要求3所述的晶片抛光设备，其特征在于， 多个第一凹槽设置成使得彼此隔开，并且 所述第一楔形构件包括: 环形连接件，连接到所述第一移动部；和 多个支腿，连接到所述连接件， 其中，所述支腿的每个都具有楔形，并且插入到所述第一凹槽的相应一个中。8.如权利要求1所述的晶片抛光设备，其特征在于，在将所述第一楔形构件插入所述第一凹槽之前，所述上表面板的下表面的中部具有沿所述第一方向的凹形和沿所述第一方向的凸形。9.一种晶片抛光设备，包括: 基座； 下表面板，设置在所述基座的上表面上； 上表面板，设置在所述下表面板上；以及 第二形状调整单元，设置在所述基座和所述下表面板之间，并且构造成使所述下表面板的上表面的形状变形，以使所述下表面板的上表面具有沿第一方向的凹形、平坦形状和凸形之一， 其中，所述第一方向是从所述下表面板到所述上表面板的方向。10.如权利要求9所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述第二形状调整单元包括: 至少一个第二楔形构件，设置在所述基座的上表面和下表面板之间；以及 至少一个第二移动部，构造成沿所述第二方向或与所述第二方向相反的方向移动所述至少一个第二楔形构件， 其中，所述下表面板的上表面的形状根据所述至少一个第二楔形构件的移动位置进行变形，并且所述第二方向是从所述下表面板的中心到所述下表面板的外周面的方向。11.如权利要求10所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述至少一个第二楔形构件设置成比所述基座的内周面更靠近所述基座的外周面。12.如权利要求10所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述第二凹槽设置在所述基座的上表面上，使得所述至少一个第二楔形构件插入所述第二凹槽中。13.如权利要求12所述的晶片抛光设备， 其特征在于，所述第二凹槽的底部沿所述第二方向向上倾斜，并且所述第二凹槽的底部的一端与所述基座的上表面具有高度差。14.如权利要求12所述的晶片抛光设备，其特征在于，还包括设置在所述第二凹槽和所述至少一个第二楔形构件之间的承载件。15.如权利要求10所述的晶片抛光设备，其特征在于，多个第二楔形构件设置成使得相对于作为原点的所述下表面板的中心对称地布置。16.如权利要求9所述的晶片抛光设备，其特征在于， 所述基座的上表面沿所述第二方向向下倾斜，并且 所述第二形状调整单元构造成改变所述下表面板的上表面的一端和另一端的高度。17.如权利要求16所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述第二形状调整单元包括: 支承部，构造成支承所述下表面板的下表面的第一区域；以及 升降部，构造成提升或降低所述支承部， 其中，所述下表面板的下表面的所述第一区域比所述下表面板的内周面更靠近所述下表面板的外周面。18.—种晶片抛光设备，包括: 基座； 下表面板，设置在所述基座的上表面上； 上表面板，设置在所述下表面板上； 第一形状调整单元，构造成使所述上表面板的下表面的形状变形，以使所述上表面板的下表面具有沿第一方向的凹形、平坦形状和凸形之一；以及 第二形状调整单元，设置在所述基座和所述下表面板之间，并且构造成使所述下表面板的上表面的形状变形，以使所述下表面板的上表面具有沿第一方向的凹形、平坦形状和凸形之一， 其中，所述第一方向是从所述下表面板到所述上表面板的方向。19.如权利要求18所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述第一形状调整单元包括: 板，构造成支承所述上表面板的上表面； 支承部，设置有连接到所述板的一端并且包括沿所述第一方向宽度增大的凹槽； 第一楔形构件，插入所述第一凹槽中；以及 第一移动部，构造成沿所述第一方向或与所述第一方向相反的方向使所述第一楔形构件在所述第一凹槽内移动。20.如权利要求18所述的晶片抛光设备，其特征在于，所述第二形状调整单元包括: 至少一个第二楔形构件，设置在所述基座的上表面和下表面板之间；以及 至少一个第二移动部，构造成沿第二方向或与所述第二方向相反的方向移动所述至少一个第二楔形构件， 其中，所述下表面板的上表面的形状根据所述至少一个第二楔形构件的移动位置进行变形，并且所述第二方向是从所述下表面板的中心到所述下表面板的外周面的方向。
【专利摘要】公开了一种晶片抛光设备，包括：基底、设置在该基底的上表面上的下表面板、设置在该下表面板上的上表面板以及第一形状调整单元，该第一形状调整单元构造成使上表面板的下表面的形状变形，以使上表面板的下表面具有沿第一方向的凹形、平坦形和凸形中的一种，并且该第一方向是从下表面板到上表面板的方向。
【IPC分类】B24B37/34, B24B37/00
【公开号】CN105415164
【申请号】CN201510455939
【发明人】韩基润, 崔恩硕
【申请人】Lg矽得荣株式会社
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年7月29日
【公告号】DE102015214355A1, US20160031062