分;两个部分彼此相邻并且下部部分邻近于圆形圆盘。
[0088]在图7中的实施例的情况下，存在平坦的圆形圆盘71并且相对于圆盘升高的边缘的上部部分75相对于下部部分74径向地向外突出；此外，部分74和部分75两者都是环形的。举例来说，元件的总厚度可以是在从2mm至6mm的范围内，上部部分的突出部可以是在从3mm至1mm的范围内，上部部分的厚度可以是在从Imm至3mm的范围内，并且凹进部的深度可以是在从250μ至1000μ的范围内。
[0089]在图8中的实施例的情况下，元件由圆形平坦的圆盘81和圆形环86组成;环86在其上表面处被连接至圆形圆盘81并且远离圆盘81的(外部)形状；因此，可以认为环是相对于该形状缩回的升高边缘。举例来说，环的厚度可以是在从Imm至3_的范围内，圆盘的(外部)形状和环之间的距离可以是在从3mm至1mm的范围内，元件的总厚度可以是在从21111]1至4_的范围内并且凹进部的深度可以是在从250μ至ΙΟΟΟμ的范围内。
[0090]通常，以下考虑适用于所有支撑元件。
[0091]在支撑元件内界定的凹进部的直径通常略微地大于基底的直径，例如大于l-3mm;在支撑元件内界定的凹进部的深度通常略微地大于基底的厚度并且是，例如在250μ和1000μ之间。
[0092]升高边缘(例如边缘52、边缘63、边缘74和边缘75，以及类似地环86)可以是圆形的或被成形，例如被成形以便与基底的外部形状互补(例如，参见图9Β)。
[0093]支撑元件暴露用于基底的安置表面(resting surface)，例如由石墨或碳化钽制成。此类表面可以是平滑的，或可选择地，至少部分地粗糙的或高低不平的或有凸边的。此类表面可以是平坦的或可选择地是略微地凹的。支撑元件整体地由石墨制成，或整体地由碳化钽制成，或由涂覆有碳化钽的石墨制成;值得注意的是，碳化钽是比石墨昂贵得多的昂贵的材料。
[0094]其中支撑元件的全部外表面由石墨和/或碳化钽制成的解决方案特定地适于其中元件不直接暴露至前体气体并且因此碳化硅在外延生长过程期间不被沉积在该元件上的情况;在图4中的实施例通常落入这些情况中的一种中；如果升高边缘52的薄的上部厚度被忽略，在图5中的实施例可以落入这些情况中的一种中。
[0095]可选择地，支撑元件可以由至少部分地涂覆有碳化硅的石墨制成；可能的涂层不涉及由石墨或碳化钽制成的基底安置于其上的表面。
[0096]此类解决方案特定地适于其中元件被直接地暴露至前体气体并且因此碳化娃在外延生长过程期间被沉积于该元件上的情况。在图6、图7以及图8中的实施例通常落入这些情况中；从图11至图14的图示出直接被暴露至前体气体的支撑体的上表面；图15示出直接被暴露至前体气体的支撑体的上表面和外侧表面(较少特定测量)。
[0097]碳化硅的这样的部分涂层对于限制由碳化硅的沉积引起的支撑元件的向外逐渐弯曲是有用的。在这点上，关于圆盘形衬托器主体并且关于碳化硅层做出的考虑适用。因此，对于将涂覆有碳化硅的层的支撑元件的全部暴露的上表面(即，其不支撑基底)和对于将涂覆有碳化硅的层的支撑元件的下表面的至少一部分是有利的；例如，圆形圆盘的下表面可以整体地或仅在环形区中或仅在中心区中被涂覆。在升高边缘的情况下(参见图7)，碳化硅的层可以可选择地或另外地位于圆盘的背部上、边缘的外部下侧上和/或突出部的背部上。
[0098]图9示出支撑元件91和围绕其的框架97的耦合部;在图9A中，这样的耦合部在插入衬托器的主体90的凹进部99中的步骤期间被示出，并且随后，将稳定地放在凹进部99的底部处;在操作结束时，支撑元件91还将被稳定地放在凹进部99的底部处;可选择地，支撑元件91可以与凹进部99的底部略微地间隔开(例如，0.5mm)。在图9中的元件91与在图4中所示的元件41类似，但存在用于与框架97在下面上耦合的凹槽。总的来说，在图9中的元件+框架耦合部与在图6中的支撑元件类似;在这个意义上，可以认为圆形圆盘的升高边缘属于框架。
[0099]通常，框架包括孔并且支撑元件通常被稳定地插入孔中；框架(与元件一起)被放置在特定区处，例如凹进部(如在图9中所示出的-参见图9A)或衬托器主体的凸起;通常，其被稳定地放置(如在图9中所示出的-参见图9A);孔可以是通的(如在图9中所示出的-参见图9A)或盲的；孔可以是圆形的或被成形(如在图9B中所示出的-参见图9B)，例如被成形以便与基底的外部形状互补。
[0100]框架可以有利地由涂覆有碳化硅的石墨(整体地或部分地)或整体地由碳化硅制成。在部分涂层的情况下，为了上文解释的原因，有利的是，提供整体地涂覆框架的上表面的碳化硅的层和整体地涂覆框架的下表面的碳化硅的层;两个层的厚度可以有利地是相同的。
[0101 ]有利地，支撑元件整体地由石墨制成或整体地由碳化钽制成或由整体地涂覆有碳化钽的石墨制成。区分框架和支撑元件之间的材料明显地是非常有利的。
[0102]通常，支撑元件和/或框架可以有利地包括具有部分地是圆柱形的且部分地是平坦的表面的内侧(图9B-这还可以适用于从图4至图8的图)。
[0103]在图9中的解决方案的变体在图16中被示出；在此情况下，在圆形圆盘161和框架167之间也存在耦合部;在此情况下，框架也包括孔并且支撑元件被插入孔中；在此情况下，也可以认为圆形圆盘的升高边缘属于框架。差异在于，在图9的情况下，耦合部的处理通过作用在框架上进行，而在图16的情况下，处理通过作用在支撑元件上进行。
[0104]图(图10、图11、图12、图13、图14、图15)示出衬托器主体和基底支撑元件的组合的一系列实施例;其他组合是可能的。在图10、图11、图12、图13、图14的图中，元件被稳定地放置在主体的凹进部处;主体的凹进部的深度对应于支撑元件的总厚度。在图15中，元件被稳定地放置在主体的略微凸起处。有利地，所有主体在边缘处具有在主体的上面上的外斜角。在图10中的实施例中，支撑元件对应于在图5中的支撑元件;衬托器的主体在凹进部处具有在主体的上面上的斜角。
[0105]在图11中的实施例中，支撑元件对应于在图6中的支撑元件。
[0106]在图12中的实施例中，支撑元件对应于在图8中的支撑元件。
[0107]在图13中的实施例中，支撑元件对应于在图7中的支撑元件;凹进部具有在距凹进部的底部的给定距离处开始的径向的、环形的加宽部；凹进部的形状与支撑元件的外部形状互补。
[0108]在图14中的实施例中，支撑元件对应于在图7中的支撑元件;凹进部具有在凹进部的底部处开始的径向的、环形的加宽部；因此，在凹进部的内侧和支撑元件的外侧之间存在间隙;在该实施例中，这样的间隙具有三角形截面但其他形状可选择地是可能的。
[0109]在图15中的实施例中，支撑元件对应于在图7中的支撑元件;在该实施例中，凸起的顶部的直径对应于支撑元件的圆盘的直径，即使这不是不可缺少的。在图15中，凸起的表面被成形以获得稳定的机械耦合部;特别地，它具有其中环被插入的环形凹槽，该环形凹槽从支撑元件的下表面突出，使得具有凸起的主体和支撑元件很好地彼此耦合。图15还示出衬托器的主体的下面;通常，这包括适于接收用于引导衬托器的旋转的销的座。
[0110]在组合的所有这些实施例中，圆形圆盘的升高边缘被产生以从衬托器的第一面(上部且在前部上)和/或从用于处理支撑元件的衬托器的侧部进入。
[0111]上文描述的实施例的某些另外的变体通过实施例的方式在下文被描述。
[0112]在图17中的支撑元件与在图7中的支撑元件非常相似;其不同在于，环形突出部177(对应于在图7中的元件75)具有多个径向切口(radial cut);在图中示出八个，但通常可以有从四个至二十四个的数目；它们在图中被示出具有三角形形状，但它们可以具有任何不同的形状;在图中，它们具有达到升高边缘的竖直部分的这样的长度(特别地，全部相同长度)，但它们可以具有不同的长度。这样的切口可以有助于解决支撑元件的向外弯曲的问题(即，凸出的趋向，即变成凸状的)；事实上，在环形突出部177上的碳化硅的逐渐累积(在工艺之后的工艺(process after process))可以引起突出部177的轻微的、逐渐向下的弯曲(具体地通过径向切口界定的各种舌状部(tongue))但圆形圆盘171的许多较小的、或甚至无向外的弯曲(即，使得中心区相对于周边区被升高)。
[0113]作为图17中的变体的基础的技术教导还可以适用于图15中的解决方案。
[0114]图18示出在图7中的支撑元件的另一种变体，也意图解决支撑元件的向外弯曲的问题。此类支撑元件具有初始的反向弯曲(counter-curvature);通过第一近似值，可以认为升高边缘及其突出部187与在图7中所示出的那些相等，而圆形圆盘181是略微地凹的。因此，在突出部187上的碳化硅的逐渐累积(在工艺之后的工艺)引起支撑元件的逐渐向外的弯曲，并且因此引起支撑元件的逐渐的总体变平。
[0115]作为图18的变体的基础的技术教导还可以适用于图15中的解决方案。
[0116]使用支撑元件或元件+框架耦合部延长衬托器主体的寿命;事实上，维护(例如，用于除去沉积的碳化硅)