同时进行研磨加 工。具体地说，利用硬质抛光材料(硬质发泡氨基甲酸醋)作为抛光材料，实施第1研磨。将氧 化姉作为研磨剂进行了分散的纯水作为研磨液，且适当设定了负荷、研磨时间。将完成了上 述第1研磨工序的玻璃基板依次浸溃到中性洗涂剂、纯水、IPA(异丙醇）、IPA(蒸气干燥）的 各清洗槽中，进行超声波清洗并干燥。
[0113] (6)化学强化
[0114] 接着，对完成上述清洗的玻璃基板实施化学强化。化学强化中，准备将硝酸钟与硝 酸钢混合而成的化学强化液，将该化学强化溶液加热至38(TC，并将完成了上述清洗和干燥 的玻璃基板浸溃约4小时，进行化学强化处理。
[0115] (7)主表面研磨(第2研磨）
[0116] 接下来，利用与在上述第1研磨中使用的研磨装置同样的双面研磨装置，将抛光材 料替换为软质抛光材料(绒面革）的研磨垫(发泡聚氨醋），从而实施第如开磨。该第2研磨是 镜面研磨加工，在维持上述第1研磨中得到的平坦的表面的同时，抛光成例如玻璃基板主表 面的表面粗糖度Ra为〇.2nm左右W下的平滑的镜面。作为研磨液，设定为分散有胶态二氧化 娃的纯水，且适当设定了负荷、研磨时间。将完成了上述第2研磨工序的玻璃基板依次浸溃 至忡性洗涂剂、纯水、IPA、IPA(蒸气干燥)的各清洗槽中，进行超声波清洗并干燥。
[0117] 利用原子力显微镜(AFM)对经过上述工序所获得的玻璃基板的主表面的表面粗糖 度进行了测定，结果获得Rmax = 1.53nm、Ra = 0.13nm的拥有超平滑的表面的玻璃基板。
[011引（实施例2)
[0119] 在实施例1的主表面磨削加工中使用下述的金刚石抛光垫，该金刚石抛光垫具备： 将2个W上的金刚石磨粒通过玻璃固定而成的集结磨粒；由玻璃形成的2个W上的分散粒； 和将2个W上的该集结磨粒和分散粒结合的树脂，它们按照金刚石磨粒的平均粒径为约4.0 μπι、金刚石集结磨粒的平均粒径为40μπι、玻璃分散粒的平均粒径为4.0μπι、玻璃凝聚体的最 大粒径为45μπι、金刚石集结磨粒与玻璃凝聚体的比例为1:0.5的方式分散于树脂中，除此W 外与实施例1同样地进行磨削加工，制作出磁盘用玻璃基板。
[0120] (实施例3)
[0121] 在实施例1的主表面磨削加工中使用下述的金刚石抛光垫，该金刚石抛光垫具备： 将2个W上的金刚石磨粒通过玻璃固定而成的集结磨粒;将2个W上的氧化侣颗粒通过玻璃 固定而成的凝聚体；由玻璃形成的2个W上的分散粒凝聚体;和将2个W上的该集结磨粒、氧 化侣颗粒凝聚体和玻璃分散粒凝聚体结合的树脂，它们按照金刚石磨粒的平均粒径为约 4.0μηι、氧化侣颗粒的平均粒径为约Ιμηι~4.0μηι、玻璃颗粒的平均粒径为约Ιμηι~4.0μηι、氧 化侣凝聚体和玻璃凝聚体的最大粒径为45μπι、运些金刚石集结磨粒、氧化侣凝聚体与玻璃 凝聚体的比例为1:0.5:0.5的方式分散于树脂中，除此W外与实施例1同样地进行磨削加 工，制作出磁盘用玻璃基板。
[0122] (比较例1)
[0123] 在实施例1的主表面磨削加工中使用现有的金刚石抛光垫，该金刚石抛光垫在树 脂中分散有将2个W上的金刚石磨粒通过玻璃固定而成的集结磨粒(金刚石磨粒的平均粒 径为约4.Ομπι)，除此W外与实施例1同样地进行磨削加工，制作出磁盘用玻璃基板。
[0124] (比较例2)
[0125] 使用使固定磨粒的合计(该例中仅为金刚石集结磨粒)在磨削面的密度为30(个/ mm2)的金刚石抛光垫，除此W外与比较例1同样地进行磨削加工，制作出磁盘用玻璃基板。 [01%] 在上述各实施例和比较例中，关于上述主表面磨削加工，W每1批100张、合计100 批进行连续加工。
[0127]在上述实施例和比较例中，对于磨削加工后的玻璃基板，使用平坦度测量仪进行 平坦度的测定，将规定的基准(3ymW下)作为合格品，计算出不满足该基准的玻璃基板的发 生率(平坦度不良率），将结果示于表1。另外，磨削加工时的加工速度(相对于比较例1的加 工速度比）也一并示于表1中。
[012 引[表 1]
[0129]
[0130] 由上述表1的结果可知W下内容。
[0131] 1.在使用现有的仅包含金刚石集结磨粒的磨削工具（金刚石抛光垫）的比较例1 中，若进行100批的连续加工，贝阳日工速度和加工品质降低，无法进行稳定的磨削加工。
[0132] 与此相对，在使用将氧化侣颗粒凝聚体或玻璃分散粒、或者氧化侣颗粒凝聚体和 玻璃分散粒两者与金刚石集结磨粒一起分散而成的磨削工具的实施例1~3中，可兼顾加工 速度和加工品质(特别是基板的平坦度），能够W稳定的加工速度长时间稳定地得到良好的 加工品质。特别是，在合用金刚石集结磨粒与玻璃分散粒的实施例2中，平坦度不良率为 0%。
[0133] 另外，通过比较例1、2的比较可知，对于现有的金刚石抛光垫而言，若降低固定磨 粒的磨削面密度，虽然加工速度提高，但平坦度不良率变差。运表明，单纯地降低固定磨粒 密度并无法进行稳定的加工。
[0134] (磁盘的制造）
[0135] 对上述实施例1中得到的磁盘用玻璃基板实施W下的成膜工序，得到垂直磁记录 用磁盘。
[0136] 目P，在上述玻璃基板上依次成膜出由Ti系合金薄膜构成的附着层、由Co化化合金 薄膜构成的软磁性层、由Ru薄膜构成的底层、由CoCrPt合金构成的垂直磁记录层、保护层、 润滑层。保护层为成膜出氨化碳层。另外，润滑层为通过浸溃法形成了醇改性全氣聚酸的液 体润滑剂。
[0137] 对于所获得的磁盘，嵌入具有DFH磁头的HDD，在80°C且80 % RH的高溫高湿环境下 使发挥DH1功能进行了 1个月的加载/卸载耐久性试验，特别地，没有故障，获得了良好的结 果。
[013引符号说明
[0139] 1金刚石抛光垫
[0140] 2 片材
[0141] 3集结磨粒
[0142] 4 颗粒
[0143] 5金刚石颗粒
[0144] 10玻璃基板
【主权项】
1. 一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其为包括对玻璃基板的主表面进行磨削的磨削处 理的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于， 在所述磨削处理中，使用磨削工具进行玻璃基板主表面的磨削，该磨削工具具备磨削 磨粒、将该磨削磨粒结合的结合材料和比该结合材料硬且比所述磨削磨粒柔软的分散粒， 所述磨削磨粒和所述分散粒以分散于所述结合材料中的状态结合。2. 如权利要求1所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述结合材料为树脂 材料。3. 如权利要求1或2所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述磨削磨粒是2 个以上的磨削磨粒通过固定材料结合而成的集结磨粒。4. 如权利要求1~3中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述磨 削磨粒包含金刚石磨粒。5. 如权利要求1~4中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述分 散粒包含氧化铝或氧化锆。6. 如权利要求1~4中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述分 散粒包含比所磨削的玻璃更柔软的玻璃。7. 如权利要求1~4中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述分 散粒是2个以上的分散粒通过比所磨削的玻璃更柔软的玻璃结合而成的凝聚体。8. 如权利要求1~7中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述结 合材料中的所述分散粒相对于所述磨削磨粒的比例为0.1倍~5倍的范围。9. 一种磁盘的制造方法，其特征在于，在利用权利要求1~8中任一项所述的磁盘用玻 璃基板的制造方法所制造的磁盘用玻璃基板上至少形成磁记录层。10. -种磨削工具，其为对电子器件用的玻璃基板表面进行磨削的磨削工具，其特征在 于， 该磨削工具具备磨削磨粒、将该磨削磨粒结合的结合材料和比该结合材料硬且比所述 磨削磨粒柔软的分散粒，所述磨削磨粒和所述分散粒以分散于所述结合材料中的状态结 合。
【专利摘要】本发明提供一种方法，该方法在利用固定磨粒的磨削处理中可提高加工速度，并且可以进行稳定的磨削加工。本发明中，在对玻璃基板的主表面进行磨削的磨削处理中，使用磨削工具进行玻璃基板主表面的磨削，该磨削工具具备磨削磨粒、将该磨削磨粒结合的结合材料和比该结合材料硬且比磨削磨粒柔软的分散粒，磨削磨粒和分散粒以分散于结合材料中的状态结合。
【IPC分类】B24D3/00, G11B5/84, B24D11/00, B24D3/28
【公开号】CN105579198
【申请号】CN201480053014
【发明人】吉川博则
【申请人】Hoya株式会社
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年9月29日
【公告号】WO2015046543A1, WO2015046543A8