专利名称：金属氧化膜的形成方法、金属氧化膜及光学电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及金属氧化膜、其形成方法及使用金属氧化膜的光学电子设备。
背景技术：
金属氧化膜广泛使用于半导体的层间绝缘膜等电子设备中。其中，硅
氧化膜的用途广泛，尤其在半导体设备中使用等离子体CVD (Chemical Vapor Deposition)法容易得到具有高的耐电压的致密的硅氧化膜，因此， 盛行利用。
图7是表示等离子体CVD装置的结构的剖面图。在图7中，将基板 101配置于真空容器109内，边从未图示的气体供给装置通过设置于上部 电极111的下方的喷淋头112供给TEOS (Tetraethylorthosilicate:四乙基 正硅酸酯或Tetraethoxysilane:四乙氧基硅烷，也称为乙基硅酸酯，化学式 为Si (OC2H5) 4)、 He、 02气体，边用未图示的泵排气，将真空容器109 内保持规定的压力，同时，利用上部电极用高频电源113向上部电极111 供给13.56MHz的高频电力，利用下部电极用高频电源114向下部电极110 供给1MHz的高频电力，由此能够在基板101上形成硅氧化膜。
另一方面，作为与玻璃膜相同地，对可见光为透明的膜，知道的有氧 化镁薄膜。图8是用于在常压下形成氧化镁薄膜的装置的剖面图。在图8 中，115是常压的薄膜形成用反应容器，内部配设有内置面板加热器的加 热载物台116。在该加热载物台116上载置作为形成保护膜的对象的最大 对角50英寸的玻璃基板等被处理体(基板)101而保持。在反应容器115 设置有用于向内部供给雾化微粒117的供给嘴118，并且经由雾化微粒均 等分散板119向被处理体101均一地供给雾化微粒117。供给嘴118经由 雾化微粒导入管120与雾化容器121连接。在雾化容器121的内部内置有超声波振子122，并且，收容由有机镁 化合物溶液构成的液体原料123，利用超声波产生雾化微粒117。另外， 向雾化容器121导入由氧或惰性气体构成的载体气体124，将雾化微粒117 载置于载体气体124中而经由雾化微粒导入管120向反应容器115供给。
雾化容器121的外部与能够自动调配的缓冲容器125，液体原料123 在雾化容器121和缓冲容器125中循环。另外，在雾化容器121设置有将 液体原料123的浓度保持为恒定的浓度检测计126。 127是液面传感器。
在供给嘴118的表面设置有用于进行该供给嘴118内部的气氛或雾化 微粒117的温度控制的调温用加热器128。另外，附带于供给嘴118，设 置有将没有进行膜形成的雾化状微粒向外部排出的均等排气配管129 (例 如，参照专利文献l)。
另外，作为形成具有10pm以上的比较厚的膜厚的玻璃膜的方法，知 道的有使用混合了玻璃粒子的糊。图9A 图9C是其一例中的层形成工序 图，以三电极结构的AC型PDP的前面侧基板作为例子。在图9A中，首 先，利用光刻技术，在前面侧的玻璃基板101上形成显示用电极130。
然后，以覆盖显示用电极130的方式，在玻璃基板101上利用网板印 刷涂敷电介体糊131。如图9A所示，电介体糊131包含作为电介体材料 的玻璃粒子132和液态物质133。玻璃粒子132是利用球磨机粉碎介电性 玻璃，将粉碎状态的玻璃撒向离心分离机而分离，并仅选择比需要形成的 电介体层的膜厚小径得到的粒子。另外，液态物质133包含用于结合玻璃 粒子132的粘合剂、和调节糊的粘度的溶剂，通常用混炼机混炼，由此玻 璃粒子132处于均等存在的状态。
在涂敷这样的电介体糊131后，使其干燥，由此使含于电介体糊131 的溶剂蒸发，玻璃粒子132形成利用粘合剂134结合的图9B的状态。
还有，通过利用烧成处理使粘合剂134燃烧而将其除去，得到图9C 所示的电介体层135。在该例子中，需要使可见光(荧光体的发光O透过， 因此，电介体层135与玻璃基板101相同地透明。烧成处理包括使粘合 剂134燃烧的35(TC左右的第一加热处理、和仅溶解玻璃粒子132的表面 部分，使玻璃粒子132之间固着的50(TC左右的第二加热处理。该烧成温 度设定为电介体材料熔融，且不与显示用电极130融合的温度(例如，参照专利文献2)。
另外，作为不使用玻璃粒子，形成厚度几iam的金属氧化物玻璃的膜 的方法，知道的有使用混合了硼离子和卤素离子的材料。该方法中，以重 量比5: 1的比例进而混合四乙氧基硅烷Si (OEt) 4、和由水、甲醇、乙 醇、异丙醇构成的混合溶剂，并向其中添加三乙氧基硼烷B (OEt) 3而得 到主剂，以3: 1的比例将催化剂与该主剂混合，进而调节pH，同时，进 行三小时的水解及脱水縮合，然后将其涂敷于基材上，进行干燥及烧成， 然后形成厚度4pm左右的玻璃膜。还有，该烧成温度为20(TC以下(例如， 参照专利文献3)。
专利文献l;特开2000—215797号公报
专利文献2:特开平11 — 167861号公报
专利文献3:专利第2538527号公报
然而，在以往例的金属氧化膜中，存在不能以高速且低温形成较厚且 具有高耐电压特性的致密的膜的问题。
根据等离子体CVD法可知，虽然能够形成具有高耐电压特性的致密 的硅氧化膜，但是极其难以形成2pm以上的厚的膜。探讨了通过精密控 制膜应力，形成较厚的膜的方法，但膜的成长速度为100nm/分钟左右以下， 例如，形成10)am的膜需要l小时以上。另外，由于是真空等离子体，因 此，需要高价真空设备，导致成本增加，等离子体密度低，且形成真空花 费时间等，导致生产率变差。
另外，专利文献l中公开的方法涉及氧化镁膜，仅通过将液体原料替 换为TEOS，不能高速形成较厚且具有高耐电压特性的致密的硅氧化膜。
另外，在专利文献2中公开的方法中，虽然能够以高速形成较厚的玻 璃膜，但不能完全除去粘合剂，残留稍许，另外，由于产生气泡，因此， 不能形成均质且致密的玻璃膜，得不到高耐电压特性。
另外，在专利文献3中公开的方法中，虽然能够以低温形成较厚的玻 璃膜，但溶剂的调节或水解需要非常长的时间。另外，硼、卤素、及pH 调节剂等杂质大量存在，难以形成纯度高的致密的Si02膜，得不到高耐电 压特性。
发明内容
本发明是鉴于所述以往的问题而做成的，其目的在于提供能够以低温
且高速形成例如具有lpm以上的厚度且具有高耐电压特性的金属氧化膜 的形成方法、较厚且具有高耐电压特性的金属氧化膜、及使用该金属氧化 膜且光学特性优越的光学电子设备。
作为更具体的本发明的方式，目的在于提供作为所述金属氧化膜的形 成方法的一例，特别是作为可见光透过率高，得到致密且适度的光散射的 金属氧化膜的一例的玻璃膜的低温且高速成形方法，作为较厚且具有高耐 电压特性的所述金属氧化膜的一例，特别可见光透过率高，得到致密且适 度的光散射的玻璃膜，及时用该玻璃膜的光学特性优良的光学电子设备。
为达到上述目的，本发明如以下地构成。
根据本发明的第一方式可知，提供一种金属氧化膜的生成方法，其中，
包括
第一工序，其将在常温下为液体的有机金属化合物、和有机溶剂混合
而糊化；
第二工序，其将在所述第一工序中所述糊化的材料涂敷于基材；
第三工序，其在所述第二工序后，通过向在所述基材上涂敷的所述糊 照射大气压等离子体，使所述糊的所述材料中的有机物气化，同时，氧化 所述材料中的金属元素，生成金属氧化膜。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成形成较厚且具有高耐电压特 性的金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得 到适度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的一个方式可知，在上述方式中，适合的是，希望 所述金属氧化膜为绝缘膜。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜。
另外，根据本发明的一个方式可知，在上述方式中，适合的是，希望 所述金属氧化膜为玻璃膜。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的第二方式可知，适合的是，在第一方式中，希望 所述在常温下为液体的有机金属化合物是有机硅化合物。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜。
另外，根据本发明的第三方式可知，适合的是，第二方式中，希望所
述有机硅化合物是TEOS (四乙基正硅酸酯)或HMDSO (六甲基二硅氧 垸)。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜。
另外，根据本发明的第四方式可知，适合的是，第一方式中，希望在 所述第一工序中，所述糊化的材料中的所述有机溶剂的体积比率为10%以 上，且80%以下。
另外，，根据本发明的第五方式可知，进而适合的是，第四方式中， 希望在所述第一工序中，所述糊化的材料中的所述有机溶剂的体积比率为 20%以上，且60%以下。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的一个方式可知，适合的是，在上述方式中，优选 所述有机溶剂包含溶剂成分单体、树脂成分单体、或混合溶剂成分和树脂 成分的溶剂，进而适合的是，所述溶剂成分优选混合使用a—、 P—、 Y 一萜品醇等萜烯类、乙二醇单烷基醚类、乙二醇二垸基醚类、二乙二醇单 垸基醚类、二乙二醇二垸基醚类、乙二醇单垸基醚乙酸酯类、乙二醇二烷 基醚乙酸酯类、二乙二醇单烷基醚乙酸酯类、二乙二醇二烷基醚乙酸酯类、 丙二醇单烷基醚类、丙二醇二烷基醚类、丙二醇单烷基醚乙酸酯类、丙二 醇二烷基醚乙酸酯类、甲醇、乙醇、异丙醇、l一丁醇等醇类等中的一种 或两种以上，进而适合的是，所述树脂成分优选混合使用硝基纤维素或乙 基纤维素、羟基乙基纤维素等纤维素系树脂、聚丁基丙烯酸酯、聚甲基丙 烯酸酯等丙烯酸酯系树脂或共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛等中的一种或两种以上。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的第六方式可知，适合的是，第一方式中，优选所 述糊化的材料的粘度比有机金属化合物的粘度大，进而适合的是，优选所
述糊化的材料的粘度在室温下为10mPa s以上，且50Pa s以下，在本
发明的第七方式中，进而适合的是，在第六方式中，优选所述糊化的材料 的粘度在室温下为50mPa s以上，且1Pa s以下。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的一个方式可知，适合的是，在上述方式中，其特 征在于，涂敷于所述基材的所述糊为利用真空脱气法，脱泡的状态。
另外，根据本发明的一个方式可知，适合的是，在上述方式中，在将 所述糊涂敷于所述基材的所述工序中，优选利用网板印刷法、溅涂法、刮 板涂敷法、模涂法、旋涂法、喷墨法、或溶胶—凝胶法的任一种来将所述 糊涂敷于所述基材。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的一个方式可知，适合的是，在上述方式中，优选 交替多次重复将所述糊涂敷于所述基材的所述第一工序、和边使所述糊中 的所述有机物气化，边氧化所述金属元素的所述第二工序，进而适合的是， 在将所述糊涂敷于所述基材的所述第一工序中，优选一次涂敷中的涂敷膜 厚为liam以上，且10pm以下。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的第八方式可知，适合的是，在第一方式中，其特征在于，在所述第三工序中，使用含有氧和氟的气体，同时，边向所述糊 照射所述大气压等离子体，使所述材料中的所述有机物气化，边氧化所述 材料中的所述金属元素。
另外，根据本发明的一个方式可知，适合的是，在上述方式中，优选 包括在使所述糊中的所述有机物气化，同时，氧化所述金属元素的所述 工序中形成的所述金属氧化膜上进而照射热能或活性粒子的工序，进而适 合的是，优选在照射热能或活性粒子的照射工序中，使用所述大气压等离 子体。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的第九方式可知，适合的是，在第一方式中，优选 包括第四工序，其进而利用CVD法，在所述第三工序中形成的所述金 属氧化膜(例如，Si02)上堆积第二金属氧化膜。
另外，根据本发明的第十方面可知，进而适合的是，在第九方式中， 在所述第四工序中，使用大气压等离子体CVD法。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适
度的光散射的玻璃膜。另外，在金属氧化膜上进而利用CVD法堆积第二 金属氧化膜(例如，Si02)，形成其次的金属氧化膜，由此在第二金属氧 化膜(例如，Si02)和其次的金属氧化膜之间能够通过例如Si02之间形成 界面，能够提高最初的金属氧化膜和第二金属氧化膜的粘附力。
另外，根据本发明的一个方式可知，适合的是，在上述方式中，优选 所述基材为以有机物为主成分的松散材料、基板、薄膜、或片材。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的第十一方式可知，适合的是，在第八方式中，优 选所述大气压等离子体在大气压等离子体处理用气体中以80%以上且 99.9%以下的比例含有惰性气体。另外，根据本发明的第十二方式可知，进而适合的是，在第十一方式中，所述惰性气体为He、 Ar、 Ne、 Kr、 Xe、 Rn气体中的任一种。其中，尤其在惰性气体为He或Ar时有利于成本方 面，并且从等离子体生成的稳定性方面也优越，因此优选。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的第十三方式可知，适合的是，在第八方式中，所 述大气压等离子体在大气压等离子体处理用气体中含有02气体，且含有 至少一种含有C元素或F元素的气体，进而适合的是，含有C元素的气 体优选CH4、 CHF3、 C02、 CO、 CF4、 C2F4、 C2F6、 C3F6、 C4F6、 C3F8、 C4F8、 C5F8、 C2H40及HMDSO气体的任一种，进而适合的是，含有F元 素的气体优选F2、 CHF3、 HF、 CF4、 C2F4、 C2F6、 C3F6、 C4F6、 C3F8、 C4F8、 C5F8、 NF3及SF6气体的任一种。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
根据本发明的第十四方式可知，其特征在于，包含两层以上(例如， 主成分或主元素相同)的层叠膜，且邻接的层叠膜的层间界面中的惰性元 素的浓度比所述层叠膜内的惰性元素的浓度高。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。由于在所述层叠膜内含有C元素或F元素，因此， 能够提高发光效率且能够降低介电常数，并且由于层间界面中的C元素或 F元素的浓度比所述层叠膜内的C元素或F元素的浓度低，因此，能够防 止层间界面中的粘附力的降低。
另外，由于金属氧化膜包含主成分或主元素相同的两层以上层叠膜， 因此，以两层以上层叠膜生成例如总计15)im厚的膜与以一个层构成例如 15pm的厚膜的情况相比，内部应力引起的翘起在层间界面中被缓和而减 少，能够有效地防止膜剥落等。
根据本发明的第十五方式可知，其特征在于，包含两层以上(例如，主成分或主元素相同)的层叠膜，且邻接的层叠膜的层间界面中的C元素
或F元素的浓度比所述层叠膜内的C元素或F元素的浓度低。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的
金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适
度的光散射的玻璃膜。
在本发明的第十四及第十五方式中，适合的是，希望所述金属氧化膜
为绝缘膜。
通过这样的构成，能够得到较厚且具有高耐电压特性的金属氧化膜。 在本发明的第十四及第十五方式中，适合的是，希望所述金属氧化膜 为玻璃膜。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
另外，根据本发明的第十六方式可知，适合的是，本发明的第十四或 第十五方式中，希望所述层叠膜的一层厚度为l|Lim 5|im，所述层间界面 从边界面的深度为3nm以上，且250nm以下。相当于至少一个原子的量 的厚度是必须的，因此，至少需要自边界面的深度为3nm以上，且所述层 叠膜的一层厚度为lpm 5pm，因此，为了减小所述层叠膜的一层中的光 透过率的损失，希望为250nm以下。
通过这样的构成，能够以低温且高速形成较厚且具有高耐电压特性的 金属氧化膜，尤其能够以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适 度的光散射的玻璃膜。
根据本发明的第十七方式可知，其特征在于，使用金属氧化膜，该金 属氧化膜包含两层以上(例如，主成分或主元素相同)的层叠膜，且邻接 的层叠膜的层间界面中的惰性元素的浓度比所述层叠膜内的惰性元素的 浓度高。
通过这样的结构，能够得到较厚且具有高耐电压特性的金属氧化膜、 尤其可见光透过率高且致密的得到适度的光散射的玻璃膜、及使用其的光 学特性优越的光学电子设备。
根据本发明的第十八方式可知，其特征在于，使用金属氧化膜，该金属氧化膜包含两层以上(例如，主成分或主元素相同)的层叠膜，且邻接 的层叠膜的层间界面中的C元素或F元素的浓度比所述层叠膜内的C元
素或F元素的浓度低。
通过这样的结构，能够得到较厚且具有高耐电压特性的金属氧化膜、 尤其可见光透过率高且致密的得到适度的光散射的玻璃膜、及使用其的光 学特性优越的光学电子设备。
在本发明的第十七及第十八方式中，适合的是，希望所述金属氧化膜 为绝缘膜。
通过这样的结构，能够得到较厚且具有高耐电压特性的金属氧化膜、 尤其可见光透过率高且致密的得到适度的光散射的玻璃膜、及使用其的光 学特性优越的光学电子设备。
在本发明的第十七及第十八方式中，适合的是，希望所述金属氧化膜 为玻璃膜。
通过这样的结构，能够得到较厚且具有高耐电压特性的金属氧化膜、 尤其可见光透过率高且致密的得到适度的光散射的玻璃膜、及使用其的光 学特性优越的光学电子设备。
在本发明的第十七及第十八方式中，适合的是，希望所述金属氧化膜 为硅氧化膜。
通过这样的结构，能够得到较厚且具有高耐电压特性的金属氧化膜、 尤其可见光透过率高且致密的得到适度的光散射的玻璃膜、及使用其的光 学特性优越的光学电子设备。
根据本发明的第十九方式可知，适合的是，在第十七或第十八方式中，
希望所述层叠膜的一层厚度为l|im 5|im，所述层间界面从边界面的深度 为3nm以上，且250nm以下。
通过这样的结构，能够得到较厚且具有高耐电压特性的金属氧化膜、 尤其可见光透过率高且致密的得到适度的光散射的玻璃膜、及使用其的光 学特性优越的光学电子设备。
如上所述，根据本发明的金属氧化膜、尤其玻璃膜的形成方法、金属 氧化膜、尤其玻璃膜及使用其的光学电子设备，能够提供以低温且高速形 成较厚且具有高耐电压特性的金属氧化膜的方法、尤其以低温且高速形成可见光透过率高且致密的得到适度的光散射的玻璃膜、及使用其的光学特 性优越的光学电子设备。另外，在本发明的金属氧化膜、尤其玻璃膜的形 成方法汇总，由于是大气压等离子体，因此，不需要高价真空设备，实现 成本降低，等离子体密度高且不需要形成真空的时间等，从而能够提供生 产率。
本发明的这些、其他目的、和特征从与附图的优选的实施方式有关的 下述说明中变得明确。在该附图中，
图1A是表示本发明的第一实施方式中的玻璃膜的结构的剖面图。 图1B是表示本发明的第二实施方式的变形例中的玻璃膜的结构的剖 面图。
图1C是表示本发明的第二实施方式中的玻璃膜的结构的剖面图。
图2是在本发明的第一及第二实施方式中，能够连续进行模涂工序和 大气压等离子体氧化工序的装置的概略结构图。
图3是表示在本发明的第一及第二实施方式中使用的大气压等离子体 处理装置的概略结构的剖面图。
图4是表示本发明的第二实施方式中使用的层中及层间中的元素分析 结果的比较的图。
图5是以往的交流型(AC型)等离子体显示器面板的前面玻璃基板 侧的局部立体图。
图6是以往的交流型(AC型)等离子体显示器面板的背面玻璃基板 侧的局部立体图。
图7是表示在以往例中使用的等离子体CVD装置的概略结构的剖面图。
图8是表示在以往例中使用的氧化镁薄膜形成装置的概略结构的剖面图。
图9A是表示以往例中的玻璃膜的层形成工序图的剖面图。 图9B是表示以往例中的玻璃膜的层形成工序图的剖面图。 图9C是表示以往例中的玻璃膜的层形成工序图的剖面图。图10是表示本发明的所述实施方式的变形例中的玻璃膜的结构的剖 面图。
图11是表示本发明的所述实施方式的变形例中的大气压等离子体处 理装置的概略结构的剖面图。
具体实施例方式
在继续叙述本发明之前，对附图中相同的部件标注相同的参照符号。 以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。 (第一实施方式)
以下，参照图1A、图1B、图2、图3，说明本发明的第一实施方式的 金属氧化膜的形成方法、金属氧化膜及光学电子设备。
图1A表示本发明的第一实施方式的金属氧化膜的剖面图。在玻璃基 材等基材1上形成有三层即包含层2a、 2b、 2c的金属氧化膜2。图1B表 示本发明的第一实施方式的变形例的金属氧化膜的剖面图。在玻璃基材等 基材1上形成有五层即除了所述三层2a、 2b、 2c之外还包含两层2d、 2e 的金属氧化膜2A。
以下，对作为这样的金属氧化膜2、 2A的一例的玻璃膜、其中的Si02 膜的形成方法进行说明。
首先，使用作为常温(15 35°C)下为液体的有机金属化合物的一例 的TEOS，使用按体积比为约l: 1的比例混合异降冰片基环己醇和乙醇的 有机溶剂，将所述TEOS和所述有机溶剂按体积比为约4: l的比例混合， 得到糊化的糊。还有，混合的糊可以利用真空脱泡，极力形成不含有气泡
、其次，进行在基材上涂敷所述糊的工序。作为在基材上涂敷糊的方法 的一例，可以使用模涂法或网板印刷法。该模涂法或网板印刷法作为以高 速在比较宽的面积的涂敷面上膜状涂敷的方法特别有用。
在专利低3457199号中公开有模涂法的一例。图2的参照符号40是 模涂嘴的概略剖面图。首先，将基材1置于接地电极6之上，将放入模涂 嘴40的罐47中的糊48用泵45从头嘴42喷出于基材1上，在基材1上 对于糊48，根据糊粘度利用头嘴用升降装置61调节头嘴42和基材1之间的距离，利用输送装置63使基材1相对于头嘴42移动，由此控制为需要 的厚度而涂敷糊48，在基材1上形成糊膜48A。
其次，进行使所述糊膜48A中的有机物气化，同时氧化金属元素的工 序。作为使所述糊膜48A中的有机物气化，同时氧化金属元素的工序的一 例，可以使用大气压等离子体。此时，希望涂敷工序到氧化工序为止的时 间为ls 60s。这是因为，若两工序之间的时间短于ls，则难以构成设备， 若两工序之间的时间长于60s，则涂敷的糊膜48A变得过度宽阔，膜厚变 得过薄。
在氧化该金属元素的方法时使用的大气压等离子体处理装置的示意 图及其放大图示出在图2及图3中。在图2及图3中，通过从气体供给装 置3A由气体导入口 3向大气压等离子体处理装置10中导入气体，经过设 置用于大气压等离子体处理装置10的上侧的金属部4的内部的气体流路 4a，从固定于金属部4的下侧的氧化铝等电介体部5上设置的多个气体喷 出孔5a，对基材1照射所述气体。进而，在基材1的背面设置接地电极6， 从与连接于金属部4的中央部的施加棒7连结的高频电源8向金属部4供 给高频电力，由此在等离子体处理装置IO和基材1之间产生等离子体11， 从而能够向基材1的表面照射以低温且高速形成大气压附近的压力下生成 的等离子体11。等离子体处理装置IO和基材1之间的距离可以通红果果 等离子体处理装置用升降装置62来调节。另外，通过利用输送装置63使 基材1相对于等离子体处理装置10移动，能够能够对糊膜48A的整体进 行大气压等离子体。作为一例，使用He: 02=95: 5的混合气体，以低温 且高速形成150W的电力对基材1的表面实施180秒程度，由此，能够将 基材1的表面的有机成分充分气化，同时氧化金属元素。此时，作为用于 气化、氧化的气体组成，大致优选80%《惰性气体《99.9%， 0.1%《02气 体《20%。若惰性气体过少，则导致等离子体密度降低，导致处理速度的 显著的降低，因此，惰性气体的浓度优选80%以上。若惰性气体过多，则 导致化学反应性降低，导致处理速度降低，因此，惰性气体的浓度优选 99.9%以下。另外，若02过多，则导致等离子体密度降低，导致处理速度 的显著降低，因此，02气体的浓度优选20%以下。另一方面，若02气体 过少，则导致化学反应性降低，导致处理速度的显著降低，因此02气体的浓度优选0.1%以上。
在此，在适用该大气压等离子体氧化金属元素时，等离子体不稳定， 在发生电弧放电的情况下发生电极损伤的问题。为了消除该问题，在大气
压等离子体处理时，以80%以上(实际上为卯％以上)且99.9%以下供给 作为气体的组成的惰性气体的一例即He或Ar，并且在大气压等离子体处 理装置10中用绝缘物(例如，氧化铝)的电介体部5覆盖基材侧。
等离子体处理通常向深度方向进行。换而言之，化学反应仅在等离子 体处理对象的膜的表面进行，因此，能够一次形成的膜的厚度存在极限， 例如为l)iim以上且5)Lim以下。这是因为，小于lpm的厚度的膜不能形成 均一的厚度，另一方面，若大于5)am，则有机物有时不气化而残留于膜中。
另一方面，以往进行的利用热处理使膜中的有机物飞溅的方法中，若 达到5(TC以上，则玻璃基材熔化，因此，利用热处理进行的有机物除去存 在极限，在本发明的大气压等离子体处理中，具有大致完全除去有机物的 非常优越的优点。
其次，通过多次交替重复在基材上涂敷糊的工序、和使糊中的有机物 气化的同时氧化金属元素的工序，能够将金属氧化膜2、 2A的厚度调节为 任意的厚度。例如，以约7pm的厚度涂敷糊48，形成糊膜48A，使用He: 02=95: 5的混合气体对这样形成的糊膜48A，以150W的电力，实施180 秒左右的大气压等离子体处理，通过重复三次上述操作，形成三次每一层 为约5pm的厚度的层，构成三层2a、 2b、 2c，从而能够形成总计厚度约 15|am的SiOj莫的金属氧化膜2。 g卩，如图1A所示，在金属氧化膜2包 含三层2a、 2b、 2c的情况下，在基材1上涂敷形成一层的糊膜48A后， 实施大气压等离子体处理，形成层2a。其次，在层2a上涂敷形成其他层 的糊膜48A后，实施大气压等离子体处理而形成层2b。其次，在层2b上 涂敷形成其他层的糊膜48A后，实施大气压等离子体处理而形成层2c。 这样，能够在基材1上形成三层2a、 2b、 2c的金属氧化膜2。另外，如图 1B所示，在金属氧化膜2包含五层2a、 2b、 2c、 2d、 2e的情况下，进而 在层2c上涂敷形成其他层的糊膜48A后，实施大气压等离子体处理而形 成层2d。其次，在层2d上涂敷形成其他层的糊膜48A后，实施大气压等 离子体处理而形成层2e。这样，能够在基材1上形成五层2a、 2b、 2c、 2d、2e的金属氧化膜2A。
还有，利用控制装置64控制所述泵45、头嘴用升降装置61、输送装 置63、等离子体处理装置用升降装置62、气体供给装置3A、高频电源8， 能够按所述工序实施。
另外，利用输送装置63使基材1相对于头嘴42移动，但不限于这些， 利用输送装置，使头嘴42和等离子体处理装置10相对于基材1移动也可。
通过这样的方法得到的金属氧化膜2、2A是pm级别的厚膜(例如，lnm 以上且lmm以下(优选50pm以下)的厚膜)，同时能够以低温(例如， 常温)且高速形成的SiOj莫。从而，得到高的耐电压特性、高的可见光透 过率、高的致密性、适度的光散射。从而，能够得到使用该金属氧化膜2、 2A的光学特性优越的光学电子设备。另外，所述第一实施方式中的金属 氧化膜的形成方法使用大气压等离子体，因此，不需要高价真空设备，降 低成本，等离子体密度高且不需要形成真空的时间等，因此，能够提高生 产率。
(第二实施方式)
以下，参照图1C及图4，说明本发明的第二实施方式中的金属氧化膜 的形成方法、金属氧化膜及光学电子设备。
图1C表示本发明的第二实施方式的金属氧化膜的剖面图。在玻璃基 材等基材1上形成三层即包含层2f、 2g、 2h的金属氧化膜2B。
以下，对作为这样的金属氧化膜2B的一例的玻璃膜、其中Si02膜的 形成方法进行说明。将作为常温(15 35°C)下为液体的有机金属化合物 和有机溶剂混合而糊化的工序、在基材1上涂敷糊48的工序、和使糊膜 48A中的有机物气化的同时氧化金属元素的工序可以以与第一实施方式的
各自的工序相同的机构及工序条件实施。与第一实施方式不同的是，在使 糊膜48A中的有机物气化的同时氧化金属元素的工序中实施大气压等离 子体处理时，以向He和02的混合气体添加CF4的He: 02: CF4=92: 5: 3的混合气体，以150W的电力实施120秒的大气压等离子体处理，然后， 以He: Ar=92: 8的混合气体，以150W的电力，实施30秒的大气压等离 子体处理。此时，作为用于气化、氧化的气体组成，大致优选80%《(He 或Ar等惰性气体)《99.9%、 0.1%《(02气体)《20%、 0.1《(02/F含有气体)《10.0。另外，根据F含有气体的气体种类而改变(02/F含有气 体)的比率为佳。例如，为了使用C2F6气体，得到与使用CF4气体使(02/F 含有气体)的比率为1的情况等同的效果，希望将(02/F含有气体)的比 率设为1以上，大致为1.5左右。
还有，若He或Ar等惰性气体过少，则导致等离子体密度降低，导致 处理速度的显著降低，因此，优选He或Ar等惰性气体的浓度为80%以上。 另一方面若He或Ar等惰性气体过多，则导致化学反应性降低，导致处理 速度降低，因此，He或Ar等惰性气体的浓度99.9n/。以下为佳。另外，若 02气体过多，则导致等离子体密度降低，导致处理速度显著降低，因此， 02气体的浓度20%以下为佳。另一方面，若02气体过少，则导致化学反 应性降低，导致处理速度显著降低，因此，02气体的浓度0.1%以上为佳。
另外，若(02/F含有气体)的浓度比率大致小于O.l，则含于F含有 气体中的F以外的元素容易形成着色的堆积物等副产物，因此不优选。另 外，若所述比率大于大致10.0，则O元素在被处理面引起的氧化反应显著 大于F元素引起的F化反应，难以得到降低介电常数等所期望的效果。从 而，所述(02/F含有气体)的比率优选大致O.l以上且10.0以下。
其次，与第一实施方式相同地，通过多层交替重复在基材1上涂敷糊 48的工序、和使糊膜48A中的有机物气化的同时氧化金属元素的工序， 能够经金属氧化膜2B的厚度调节为任意的厚度。例如，在以约7pm的厚 度涂敷糊48而形成糊膜48A后，使用He: 02: CF4=92: 5: 3的混合气 体，对这样形成的糊膜48A，以150W的电力，进行120秒左右的大气压 等离子体处理，其次，使用He: Ar=92: 8的混合气体，以150W的电力， 实施30秒左右的大气压等离子体处理，通过重复上述三次操作，形成三 次每一层为约5pm厚度的层，包含三层2f、 2g、 2h，从而能够形成总计 厚度为约15pm的Si02膜的金属氧化膜2B。
像该第二实施方式一样，通过向He和02的混合气体中例如添加CF4 气体等含有F元素的气体，提高与有机成分的反应速度，具有能够在非常 短时间内进行有机成分的气化的优点。但是，若添加量多，则SiCb膜中的 SiOF的存在比变大，相对于Si02的介电常数为4.0 4.5， SiOF的介电常 数的为3.4 3.6，因此，降低介电常数，提高发光效率，因此，根据要求的膜特性，需要增减添加量。
还有，所述SiOF作为Si02基质的低介电常数材料，比较容易控制杂
质。在本发明的所述第二实施方式中，如上所述，在糊膜涂敷形成后的氧
化工序中，通过向等离子体中添加F含有气体(NF3、 CF4、或C2F6等)， 能够容易地生成SiOF。对此，在后述的SiOC的情况下，由于空气中的水 分等的原因而存在的H或OH容易与C元素结合，容易形成H或OH基 团所谓的杂质多的膜，难以形成均一的组成，但SiOC具有介电常数比SiOF 小的优点(SiOF的介电常数为3.4 3.6，相对于此，SiOC的介电常数为 2.7 2.9)。
另外，在所述形成的Si02膜的表面存在大量构成添加气体的C及F 元素，因此，有时各层间的粘附力降低。因此，例如，通过利用He和Ar 之类的惰性气体主体的混合气体，对形成后的表面进行等离子体处理，能 够除去杂质元素，功能提高各层间的粘附力。图4中示出了使用XPS (X —ray—Photoelectron Spectroscopy (X射线电子光谱法)向试料表面照射 X射线，测定从表面产生的光电子，由此分析Li U的元素组成、化学键
状态的方法)，对Si02层叠膜中的层中及膜间的剖面进行元素分析的结果。
这样，通过在第二实施方式中实施的大气压等离子体处理，使得金属氧化 膜2B的多层结构的各自的层内中比较多地检测出的C及F元素在邻接的 层间的界面中为微量，还检测出Ar也为微量。
通过这样的方法得到的金属氧化膜2B为pm级别的厚膜(例如，l)am 以上且lmm以下(优选50pm以下)的厚膜)，同时能够以低温(例如， 常温)且高速形成的Si02膜。从而，得到高的耐电压特性、高的可见光透 过率、高的致密性、适度的光散射。从而，能够得到使用该金属氧化膜2B 的光学特性优越的光学电子设备。另外，所述第二实施方式中的金属氧化 膜的形成方法也使用大气压等离子体，因此，不需要高价真空设备，降低 成本，等离子体密度高且不需要形成真空的时间等，因此，能够提高生产 率。
在本发明的所述实施方式中，金属氧化膜2、2A、 2B由多层结构构成。 其理由如下所述。通常，膜厚月后，基材和膜之间产生的膜应力变大。若 膜应力变大，则膜中导入裂缝，或膜发生剥离，因此不优选。例如，利用CVD法，在钠玻璃上将Si02膜成膜的情况下，主成分不限于与基材相同
的Si02，膜厚大于大致5Mm的情况下，在室温下裂缝容易导入。进而， 在还需要500'C左右的耐热性的情况下，若膜厚大于大约2pm，则膜中容 易导入裂缝。
从而，在将厚度为大约lpm以上的膜成膜的情况下，需要防止裂缝或 膜剥离的办法。在本发明中，通过将厚度15Mm的膜分多次成膜(例如， 将厚度5)am的膜分三次成膜)，具有能够缓和基材和膜之间产生的膜应力 的优点。另外，认为也缓和构成膜的多层中邻接的层的界面中的膜应力。
还有，在本发明中的将常温下为液体的有机金属化合物和有机溶剂而 糊化的工序、和将糊化的糊涂敷于基材的工序中，利用溶胶一凝胶法，在 基材上涂敷形成糊膜也可。即，作为溶胶一凝胶法的一例，将TEOS、水、 酸或碱的至少三种以上材料混合而糊化，在基材上涂敷该糊化的糊而形成 糊膜，经由对形成的糊膜进行的氧化骨性的实施，从而能够生成所述金属 氧化膜。
还有，在本发明中的所述第一及第二实施方式中，对在玻璃基板上形 成金属氧化膜的情况进行了例示，但作为使用金属氧化膜的光学电子设 备，例如，可以将本发明适用于等离子体显示器面板(以后，称为"PDP")。 对于PDP的结构如下所示。图5及图6示出了公知的交流型(AC型)等 离子体显示器面板。在图5中，14是基于浮法的硼硅酸钠系玻璃、或铅系 玻璃构成的前面玻璃基板，在该前面玻璃基板14上存有利用银电极或Cr 一Cu—Cr电极15构成的显示电极，在该显示电极15上覆盖有使用发挥 电容器的作用的平均粒径0.1lam 20pm的玻璃粉末形成的电介体玻璃层 16a、 16b、和氧化镁(MgO)电介体保护层17。在图6中，18是背面玻 璃基板，在该背面玻璃基板18上设置有地址电极(ITO和银电极或Cr一 Cu—Cr电极)19和电介体玻璃层20，在该电介体玻璃层20上设置有隔 壁21和荧光体层22、 23、 24，邻接等离子体隔壁21之间形成封入放电气 体的放电空间且形成荧光体层22或23或24的空间。在此，电介体玻璃 层16a、 16b和电介体玻璃层20相当于所述的金属氧化膜。
还有，在本发明的实施方式中，仅对Si02膜进行了叙述，但可以将本 发明适用于其他金属氧化膜。作为其他金属氧化膜，例如为GeOx、 BOx、
22POx、 WOx、 SbOx、 TiOx、 AlOx、 MgOx、 NbOx、 LiOx等。尤其，希望 作为绝缘膜的用途，其中，在玻璃膜或透明度高的膜中起到非常效果。
还有，在本发明的实施方式中，在有机金属化合物使用有机硅化合物 的情况下，尤其仅对使用TEOS的情况下进行了叙述，但也可以使用例如 HMDSO (六甲基二硅氧烷)、Ge (OC2H5) 4、 B (OC2H5) 3、 B (OCH3) 3、 PO (OCH3) 3、 PO (OC2H5) 3、 P (OCH3) 3、 W (OC2H5) 5、 Sb (OC2H5)
3、甲烷异丙醇盐、铝异丙醇盐、镁异丙醇盐、铌乙醇盐、锂乙醇盐等也可， 能够形成期望的金属氧化膜。
还有，糊中的有机溶剂的体积比例希望为10%以上且80%以下。若体 积比率小于10%，则得不到期望的粘度，能够一次涂敷的膜变得过薄，增 加形成期望的膜厚的金属氧化膜为止的工序数及时间。另外，若体积比率 大于80%，则有机物的气化引起的体积收縮变大，难以形成均质的膜。进 而优选体积比率为20%以上60%以下。
还有，所述糊48的粘度优选10mPa s以上，且50Pa s以下。若糊 的粘度小于10mPa s，则涂敷一次糊所能够形成的膜过薄，增加形成期 望的膜厚的金属氧化膜为止的工序数及时间。另外，若糊的粘度大于50Pa s，则难以控制糊的喷出，变得难以均质的膜。进而优选，希望糊的粘 度在50mPa* s以上且lPa* s以下。
还有，在本发明的所述实施方式中，作为涂敷方法，仅对模涂法进行 了叙述，但也可以将本发明适用于其他涂敷方法中。优选根据应形成膜的 面积或所需的膜特性(均一性、膜厚等)，选择涂敷方法。
还有，作为氧化的手段，使用了大气压等离子体，但在使用大气压等 离子体的情况下，能够在基材上刚涂敷糊之后(不移动基材)实施氧化处 理，且能够向基材供给化学性活泼的O元素，能够在非常短的时间内生成 金属氧化膜，具有上述非常优越的优点。但是，使用其他氧化手段，例如 热氧化处理、臭氧处理等也可，能够形成期望的金属氧化膜。
另外，通过向He和02的混合气体添加例如含有大量0^8气体等C 元素的气体，能够以某程度的比例含有SiOC的玻璃膜。作为介电常数低 的绝缘膜，具有能够制造电荷损失小的光学电子设备的优点，因此，优选 根据要求的膜特性，添加C元素。还有，如图10所示，在本发明的所述实施方式中，也可以追加在使
糊48中的有机物气化的同时氧化金属元素的工序中形成的金属氧化膜2、 2A、 2B (图10中为代表性地示出了金属氧化膜2，但在金属氧化膜2A 或2B的情况下，在金属氧化膜2的位置形成有金属氧化膜2A或2B)上， 利用CVD法堆积第二金属氧化膜2C的工序，例如，如图11所示，如本 发明的所述实施方式中一样，能够在基材上涂敷TEOS，利用基于大气压 等离子体的氧化形成Si02膜后，进而利用大气压等离子体法，使用从其他 系统的气体供给装置3B供给的气态TEOS、 He气体、02气体的混合气体， 形成nm级别的Si02膜。通过追加该工序，具有提高多层膜中的层间的粘 附力的优点。
还有，在基材1上涂敷糊48的工序中，希望一次涂敷中的涂敷膜厚 为lpm以上且10,以下。若涂敷膜厚小于lpm，则难以控制基材和涂敷 装置(嘴)间的间隙(距离)，由于这些原因等，难以得到均一的涂敷膜。 另外，若涂敷膜厚大于10pm，则基于有机物的气化的体积收縮变大，难 以得到均质的膜。
还有，在本发明中的所述实施方式中，作为基材l例示了玻璃板，但 不限于此，可以使用Si基板、化合物半导体基板等各种基材。尤其，优选 以有机物为主成分的基材，例如，以聚酰亚胺、特氟龙(注册商标)、聚 碳酸酯、PET薄膜、有机半导体等为基材的情况下，能够以低温形成膜， 因此，能够在不发生基板的变形或熔融的情况下形成期望的金属氧化膜。
这样得到的玻璃膜可以利用于光学电子设备。作为一例，考虑光导波 路。或考虑PDP等显示器。在这些显示器中，玻璃膜成为可见光的通道， 因此，寻求高的光透过率。另外，需要l(Vm以上的厚度。另外，在PDP 中，经由玻璃膜向放电空间施加高的电压，因此，需要玻璃膜具有高的耐 电压特性。为了确保设备的机械、热耐久性，寻求致密度。另外，在PDP 或液晶等显示器中，得到适度的光散射，因此能够期待视场角的提高。
或者，适度的光散射也可以作为浴室的地板或壁或卫生陶器的疏水及 防污材料利用。
还有，通过适当组合所述各种实施方式中的任意实施方式，能够起到 各自具有的效果。产业上的可利用性根据本发明可知，能够提供提供具有优越的特性的金属氧化膜(例如， 玻璃膜)的形成方法、和具有优越的特性的金属氧化膜(例如，玻璃膜) 及使用其的光学电子设备。从而，能够应用于电视或电脑等的图像显示中 使用的显示器的制造，另外，也可以作为建筑材料使用。本发明参照附图，关联优选的实施方式而充分进行了记载，但对该技 术熟练的人员来说，可以进行各种变形或修改是明确的。这样的变形或修 改只要不从基于附加的权利请求范围的本发明的范围脱离，就应当包括在 其中。
权利要求
1.一种金属氧化膜的生成方法，其中，包括第一工序，其将在常温下为液体的有机金属化合物、和有机溶剂混合而糊化；第二工序，其将在所述第一工序中所述糊化的材料涂敷于基材；第三工序，其在所述第二工序后，通过向在所述基材上涂敷的所述糊照射大气压等离子体，使所述糊的所述材料中的有机物气化，同时，氧化所述材料中的金属元素，生成金属氧化膜。
2. 根据权利要求1所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 所述在常温下为液体的有机金属化合物是有机硅化合物。
3. 根据权利要求2所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 所述有机硅化合物是TEOS (四乙基正硅酸酯)或HMDSO (六甲基二硅氧烷)。
4. 根据权利要求1所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 在所述第一工序中，所述糊化的材料中的所述有机溶剂的体积比率为10%以上，且80°/。以下。
5. 根据权利要求4所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 在所述第一工序中，所述糊化的材料中的所述有机溶剂的体积比率为20%以上，且60°/。以下。
6. 根据权利要求1所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 所述糊化的材料的粘度在室温下为10mPa s以上，且50Pa s以下。
7. 根据权利要求6所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 所述糊化的材料的粘度在室温下为50mPa s以上，且1Pa s以下。
8. 根据权利要求1所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 在所述第三工序中，使用含有氧和氟的气体，同时，边向所述糊照射所述大气压等离子体，使所述材料中的所述有机物气化，边氧化所述材料 中的所述金属元素。
9. 根据权利要求1所述的金属氧化膜的生成方法，其中，包括第四工序，其进而利用CVD法，在所述第三工序中形成的所 述金属氧化膜上堆积第二金属氧化膜。
10. 根据权利要求9所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 在所述第四工序中，使用大气压等离子体CVD法。
11. 根据权利要求8所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 所述大气压等离子体在大气压等离子体处理用气体中以80%以上且99.9%以下的比例含有惰性气体。
12. 根据权利要求ll所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 所述惰性气体为He、 Ar、 Ne、 Kr、 Xe、 Rn气体中的任一种。
13. 根据权利要求8所述的金属氧化膜的生成方法，其中， 所述大气压等离子体在大气压等离子体处理用气体中含有02气体，且含有至少一种含有C元素或F元素的气体。
14. 一种金属氧化膜，其中，包含两层以上层叠膜，且邻接的层叠膜的层间界面中的惰性元素的浓 度比所述层叠膜内的惰性元素的浓度高。
15. —种金属氧化膜，其中，包含两层以上层叠膜，且邻接的层叠膜的层间界面中的C元素或F元 素的浓度比所述层叠膜内的C元素或F元素的浓度低。
16. 根据权利要求14或15所述的金属氧化膜，其中， 所述层叠膜的一层厚度为lpm 5pm，所述层间界面从边界面的深度为3nm以上，且250nm以下。
17. —种光学电子设备，其中，使用金属氧化膜，该金属氧化膜包含两层以上层叠膜，且邻接的层叠 膜的层间界面中的惰性元素的浓度比所述层叠膜内的惰性元素的浓度高。
18. —种光学电子设备，其中，使用金属氧化膜，该金属氧化膜包含两层以上层叠膜，且邻接的层叠 膜的层间界面中的C元素或F元素的浓度比所述层叠膜内的C元素或F 元素的浓度低。
19. 根据权利要求17或18所述的光学电子设备，其中， 所述层叠膜的一层厚度为l|im 5pm，所述层间界面从边界面的深度为3nm以上，且250nm以下。
全文摘要
本发明涉及使用金属氧化膜和其形成方法及使用金属氧化膜的光学电子设备。本发明的金属氧化膜的生成方法包括第一工序，其将在常温下为液体的有机金属化合物、和有机溶剂混合而糊化；第二工序，其将在所述第一工序中所述糊化的材料涂敷于基材；第三工序，其在所述第二工序后，通过向在所述基材上涂敷的所述糊照射大气压等离子体，使所述糊的所述材料中的有机物气化，同时，氧化所述材料中的金属元素，生成金属氧化膜。本发明在玻璃基板等基材(1)上形成包含三层的金属氧化膜(2)。这样的结构可以通过重复将在常温下为液体的有机金属化合物和有机溶剂混合而糊化的工序、在基材上涂敷糊的工序、和使糊中的有机物气化的同时氧化金属元素的工序。
文档编号C01B33/12GK101291876SQ200680038929
公开日2008年10月22日 申请日期2006年10月18日 优先权日2005年10月19日
发明者奥村智洋, 斋藤光央, 森田敦 申请人:松下电器产业株式会社