一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法

文档序号:3441538阅读:285来源:国知局
专利名称:一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法
技术领域
本发明属于材料化学领域,具体涉及一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法。
背景技术
氧化钇稳定氧化锆(YSZ)是优良的氧离子导体,并且在氧化气氛和还原气氛下都 很稳定,是最常用的固体氧化物燃料电池(SOFC)的电解质,还被广泛用于氧探测器、氧分 离膜等,特别是在功能陶瓷领域,应用极为广泛。 为获得良好的陶瓷烧结活性,要求粉料的颗粒小、分布均匀、无团聚,并希望粉体 颗粒的形状规则。另外,由于陶瓷粉体的致密化速率与其颗粒尺寸的四次方成反比,要想获 得高性能的陶瓷材料,就需要使用粒径小、活性高、颗粒度分布集中、团聚小的粉体原料。这 类原料不仅能降低陶瓷的烧结温度,节约能源,而且可以大大提高陶瓷制品的性能,如热稳 定性、机械性能、力学性能等。 目前有关氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法有很多种,已见报道的有共沉淀法、 溶胶-凝胶法、水热法、共沉淀-凝胶法、醇-水溶液法、共沸蒸馏法、微波辅助法、反相 胶束法、微乳液法等。比如,赵青等采用微波水热合成法制备出尺寸在纳米量级的氧化 钇稳定氧化锆粉体材料(申请号200410097794.4)。林振汉等通过水热分解沉淀法制 备氧化锆纳米晶,然后添加粘结剂和分散剂,通过喷雾干燥获得球状颗粒粉体(申请号 200810039796. 6)。以共沉淀方法为代表的化学合成法,因其具有设备简单、操作方便、成本 低廉等优点,受到广泛的关注,但是,共沉淀法制备的粉体经常存在硬团聚问题。虽然用乙 醇或其他有机溶剂洗涤,可除去表面的配位水分子,避免硬团聚的发生,但实践表明这并不 能完全消除硬团聚。硬团聚现象严重影响粉体的应用性能,造成陶瓷烧结温度高,烧结性能 差等不良后果。因此,探索一种能够解决硬团聚问题的方法,具有现实意义。

发明内容
本发明的目的在于提出一种降低生产成本,有效解决传统团聚问题的新型的氧化 钇稳定氧化锆粉体制备方法。 本发明提出的新型的氧化钇稳定氧化锆粉体制备方法,利用超声-微波的协同作 用,并在分散剂的协同作用下,实现了钇在氧化锆晶体中更好地掺杂,达到了控制产物粒 径、减小团聚程度的效果。不但有效解决粉体团聚问题,节约了能源,而且可以大大提高粉 体的应用性能。本发明是这样实现的以ZrOCl *8H20和Y203为主要原料,采用超声_微波 合成法进行制备,具体步骤如下a、用去离子水将Zr0Cl2完全溶解,加入表面活性剂作为分 散剂出、用少量浓硝酸,在加热条件下使^03完全溶解;c、将a、b步骤中配制好的Zr0Cl2溶 液与Y203溶液混合,在超声条件下加入30%的氨水,至沉淀完全,此时pH = 9左右;d、将抽 滤完的沉淀置于微波反应器中干燥,研磨,得到前驱物;e、取上述前驱物置于坩埚中,在马 弗炉内煅烧,然后粉碎,得到氧化钇稳定氧化锆粉体。 本发明制备的氧化钇稳定氧化锆粉体粒径大小达到了纳米量级,产物为近球形颗粒,尺寸均一,具有良好的分散性。本发明的前驱物是在超声波与模板的共同作用下形成
的,超声波工作时能够产生线性交变的振动作用,增强质点间的振动与剪切,增加反应离子
之间碰撞的几率,促使反应快速均匀地进行。当超声波在反应体系中传播时,会使溶液中的
微气泡通过振荡作为生成、增大、收縮、崩溃,并导致气泡附近的液体产生强烈的激波,形成
局部位置的极端高温高压,超声空化作用使边界层减薄,强化了微孔扩散,增大了传质表面
积,提高了传质的速率和效果,可以进一步提高离子碰撞率。另外,超声波在体系中传播,其
振动能量不断被体系吸收转变为热能而使自身温度升高,这也会加速传质过程,有利于反
应离子的扩散掺杂。有了分子水平上的均匀掺杂的前驱物,是氧化钇稳定氧化锆粉体能够
很好地形成置换型固溶体的重要前提,也是控制产物分散性的关键因素之一。 前驱物采用微波干燥的方式,被加热前驱物中的水分子是极性分子,它在快速变
化的高频电磁场作用下,其极性取向将随着外电场的变化而变化,造成分子的运动和相互
摩擦。此时微波场的场能转化为体系内的热能,使物料温度升高,产生热化和膨化等一系列
物化过程,从而达到微波加热干燥的目的。采用微波加热的优点是加热速度快且均匀,无论
物体各部位形状如何,微波加热均可使物体表里同时均匀渗透电磁波而产生热能。同时,微
波干燥节能高效,由于含有水分的物质容易吸收微波而发热,因此除少量的传输损耗外,几
乎无其它能量损耗。 有益效果 本发明具有如下优点(l)制备出的氧化钇稳定氧化锆粒径均一,且大小达到纳 米量级,具有很好的分散性,较好地解决了现有技术在制备过程中出现的硬团聚问题;(2) 本发明的制备方法,采用超声_微波相结合的技术,发挥两者的优点,制备工艺简单,条件 温和;(3)本发明的技术对能源的利用率高,能有效降低生产成本。
具体实施例方式
下面,通过实施例,对本发明做进一步的说明。
实施例1 称取3. 22g ZrOCl *8H20于烧杯中,加入去离子水20mL,完全溶解后,加入0. 2g曲 拉通-100作为分散剂。称取0.0226g &03于另一烧杯中,在加热条件下,加入浓销酸至其 完全溶解。将上述两溶液混合,将盛有反应溶液的烧杯置于超声波分散器中,并在超声波分 散器工作条件下加入30%氨水,至沉淀完全。将沉淀抽滤、洗涤至用硝酸银检验无氯离子存 在为止。将抽滤完的沉淀置于微波反应器中干燥6小时。干燥完毕后,研细。取上述前驱 物置于坩埚中,在马弗炉70(TC条件下加热煅烧3小时。自然冷却,气流粉碎,所得粒径大小 约为25nm的2%氧化紀稳定氧化锆粉体。
实施例2 称取3. 22g ZrOCl *8H20于烧杯中,加入去离子水20mL,完全溶解后,加入0. 2g 土 温-60作为分散剂。称取0.0339g &03于另一烧杯中,在加热条件下,加入浓销酸至其完全 溶解。将上述两溶液混合后,将盛有反应溶液的烧杯置于超声波分散器中,并在超声波分散 器工作条件下加入30%氨水,至沉淀完全。将沉淀抽滤、洗涤至将沉淀抽滤、洗涤至用硝酸 银检验无氯离子存在为止。将抽滤完的沉淀置于微波干燥器中干燥3小时,干燥完毕后,研 细。取上述前驱物置于坩埚中,在马弗炉60(TC条件下,加热锻烧1小时。自然冷却,气流粉碎,所得粒径大小约为30nm的3%氧化钇稳定氧化锆粉体。
实施例3 称取3. 22g ZrOCl *8H20于烧杯中,加入去离子水20mL,完全溶解后,加入0. 2g聚乙二醇作为分散剂。称取0.09g &03于另一烧杯中,在加热条件下,加入浓销酸至其完全溶解。将上述两溶液混合,将盛有反应溶液的烧杯置于超声波分散器中,并在超声波分散器工作条件下加入30%氨水,至沉淀完全。将沉淀抽滤、洗涤至将沉淀抽滤、洗涤至用硝酸银检验无氯离子存在为止。将抽滤完的沉淀置于微波干燥器中干燥5小时,干燥完毕后,研细装袋。取出上述前驱物置于坩埚中,在马弗炉60(TC条件下,加热锻烧6小时。自然冷却,气流粉碎,所得粒径大小约为30nm的8%钇稳定的氧化锆粉体。
实施例4 称取3. 22g ZrOCl *8H20于烧杯中,加入去离子水20mL,完全溶解后,加入0. 2g聚乙二醇作为分散剂。称取O. 113g &03于另一烧杯中,在加热条件下,加入浓销酸至其完全溶解。将上述两溶液混合,将盛有反应溶液的烧杯置于超声波分散器中,并在超声波分散器工作条件下加入30%氨水,至沉淀完全。将沉淀抽滤、洗涤至将沉淀抽滤、洗涤至用硝酸银检验无氯离子存在为止。将抽滤完的沉淀置于微波干燥器中干燥5小时,干燥完毕后,研细装袋。取出上述前驱物置于坩埚中,在马弗炉80(TC条件下,加热锻烧6小时。自然冷却,气流粉碎,所得粒径大小约为50nm的10%钇稳定的氧化锆粉体。
权利要求
本发明属于材料化学领域,具体涉及一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法。它是以ZrOCl·8H2O和Y2O3为主要原料,采用超声-微波合成法进行制备,具体步骤如下a、用去离子水将ZrOCl2完全溶解,加入表面活性剂作为分散剂;b、用少量浓硝酸,在加热条件下使Y2O3完全溶解;c、将a、b步骤中配制好的ZrOCl2溶液与Y2O3溶液混合,在超声条件下加入30%的氨水,至沉淀完全,此时pH=9左右;d、将抽滤完的沉淀置于微波反应器中干燥,研磨,得到前驱物;e、取上述前驱物置于坩埚中,在马弗炉内煅烧,然后粉碎,得到氧化钇稳定氧化锆粉体。
2. 根据权利要求1所述的一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法,其特征在于加入的 分散剂为曲拉通-100、聚乙二醇或土温-60。
3. 根据权利要求1所述的一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法,其特征在于在超声 波分散器工作条件下完成锆和钇离子的沉淀反应。
4. 根据权利要求1所述的一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法,其特征在于将抽滤 后的前驱物置于微波干燥器中干燥,干燥时间为3-6小时。
5. 根据权利要求1所述的一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法,其特征在于前驱物 煅烧的温度为600-80(TC,煅烧时间为1-6小时。
6. 根据权利要求1所述的一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法,其特征在氧化钇掺 杂的摩尔比例为2 10%。
全文摘要
本发明属于材料化学领域,具体涉及一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法。本发明具体采用超声-微波合成的方法,在超声条件下进行前驱物的制备,使体系更好地分散、掺杂;采用微波加热的方式干燥前驱物,防止前驱体的团聚。前驱体经过高温煅烧后,获得氧化钇稳定氧化锆粉体,该粉体分散性好,粒径大小达到纳米量级且大小分布均匀。本方法具有工艺简单,成本低廉等优点。
文档编号C01B25/02GK101708829SQ200910199279
公开日2010年5月19日 申请日期2009年11月24日 优先权日2009年11月24日
发明者刘金库, 尹晓光, 王建栋, 罗重霄, 钟新华 申请人:华东理工大学
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