纯化有含磷杂质的高纯氢或高纯氯硅烷的方法与流程

文档序号:12086496阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种纯化有含磷杂质的高纯氢或高纯氯硅烷的方法,包括以下步骤:将有含磷杂质的高纯氢加热到500~800℃,所述高纯氢中的含磷杂质与氢气反应生成磷烷,再通过分子筛吸附所述磷烷,得到纯化过的高纯氢。通过将含磷杂质的高纯氢中的含磷杂质通过加热的方法转换成了磷烷,这样各种含磷杂质均还原反应生成了同一种物质磷烷,由于分子筛对通过其中的气体通过孔径的大小进行选择性吸附磷烷,从而提高了对于有含磷杂质的高纯氢中的磷烷的吸附能力,这样就大大提高了经过纯化过的高纯氢的纯度,进而提高了由纯化过的高纯氢作为原料生产出的多晶硅的品质,降低了多晶硅中的杂质含量。

技术研发人员:吕学谦;银波;何隆;宋高杰;范协诚
受保护的技术使用者:新特能源股份有限公司
文档号码:201510586054
技术研发日:2015.09.15
技术公布日:2017.03.22

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