技术总结
本发明提供一种C/HfC-ZrC-SiC复合材料的制备方法，本发明采用高孔隙率的低密度复合材料，使用真空压力浸渍方法，在低密度复合材料中引入碳先驱体的同时引入一定量的硅铪合金和硅锆合金，在后续反应熔渗中，内外同时硅铪合金和硅锆合金进行反应熔渗，有效地提高了复合材料内部的HfC和ZrC含量。
技术研发人员：左红军;王涛;于新民;裴雨辰;刘俊鹏;孙同臣
受保护的技术使用者：航天特种材料及工艺技术研究所
文档号码：201510947069
技术研发日：2015.12.16
技术公布日：2017.06.23