一种氟化氢铵风冷结晶合成装置及工艺的制作方法

文档序号:12157566阅读:591来源:国知局
一种氟化氢铵风冷结晶合成装置及工艺的制作方法

本发明涉及一种氟化氢铵风冷结晶合成装置及工艺。



背景技术:

近年来,含氟材料由于具有良好的性质,如耐火性,耐强酸强碱腐蚀,以及优异的表面活性性质,广泛应用于军工、化工,机械等领域,已成为化工行业中发展最快,最具有高新技术含量的产品。

氟化氢铵主要用于电子行业含硅产品的刻蚀剂,也用于化学试剂,发酵工业消毒剂,防腐剂,玻璃刻蚀剂(常与氢氟酸并用),高纯度的氟化氢铵主要用于集成电路设计,以及LED和光伏行业。



技术实现要素:

本发明所要解决的技术问题是提供一种氟化氢铵风冷结晶合成装置及工艺,实现设置对现有的生产装置和方法进行改进。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下:

本发明一方面提供了一种氟化氢铵风冷结晶合成装置,包括风冷塔,所述风冷塔内底部设有进风口,所述风冷塔内顶部设有填料除沫装置和喷淋装置,所述风冷塔顶部设有出风口,所述出风口、填料除沫装置和喷淋装置从上至下依次设置,所述喷淋装置连接有进料口和循环进料口,所述风冷塔底部还设置有循环口,所述循环口与循环进料口通过管道连接,所述循环口与循环进料口连接的管道上设有泵。

进一步,所述进风口为多个,并均匀的设置在风冷塔的底部侧壁上。

采用上述进一步方案的有益效果是更为方便和精确的调节空气流速和进入的空气量。

进一步,所述进风口处设有PVC或PP网。

采用上述进一步方案的有益效果是防止空气中的灰尘进入,污染合成液。

进一步,所述风冷塔内底部设置有倾斜设置的井字加筋。

采用上述进一步方案的有益效果是维持风冷塔结构的稳定。

另一方面,提供了一种氟化氢铵风冷结晶合成工艺。

步骤S1:将氟化氢铵合成液从进料口导入风冷塔。

步骤S2:从进风口持续导入空气,从出风口持续导出空气。

步骤S3:通过喷淋装置喷出氟化氢铵合成液。

步骤S4:将风冷塔底部经冷却的氟化氢铵合成液从循环口通过泵导向循环进料口。

步骤S5:通过喷淋装置喷出经过导向循环进料口导入的冷却后的氟化氢铵合成液。

步骤S6:收集出风口导出的空气中的氟化氢铵结晶。

进一步,所述步骤S1中氟化氢铵合成液为PH为1.0~4.0、比重为5.0~21.0波美度、温度为65~95℃的液氨与氢氟酸的合成液。

进一步,所述步骤S2中进风口导入空气使冷风塔中风流量为500L/h。

采用上述进一步方案的有益效果是保证氟化氢铵结晶形成的效率。

附图说明

图1为一种氟化氢铵风冷结晶合成装置的结构示意图。

图2为一种氟化氢铵风冷结晶合成工艺流程图。

附图中,各标号所代表的部件列表如下:

1.风冷塔,2.进风口,3.填料除沫装置,4.喷淋装置,5.出风口,6.进料口,7.循环进料口,8.循环口,9.井字加筋。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。

实施例1,参见图1所示,本发明提供一种氟化氢铵风冷结晶合成装置,包括风冷塔1,所述风冷塔1内底部设有进风口2,所述风冷塔1内顶部设有填料除沫装置3和喷淋装置4,所述填料除沫装置3由鲍尔环构成,所述风冷塔1顶部设有出风口5,所述出风口5、填料除沫装置3和喷淋装置4从上至下依次设置,所述喷淋装置4连接有进料口6和循环进料口7,所述风冷塔1底部还设置有循环口8,所述循环口8与循环进料口7通过管道连接,所述循环口8与循环进料口7连接的管道设有泵。

所述进风口2为多个,并均匀的设置在风冷塔的底部侧壁上,更为方便和精确的调节空气流速和进入的空气量;所述进风口2处设有PVC或PP网,防止空气中的灰尘进入,污染合成液;所述风冷塔1内底部设置有倾斜设置的井字加筋9,维持风冷塔1结构的稳定。

实施例2,参见图2所示,本发明提供了一种氟化氢铵风冷结晶合成工艺,包括以下步骤:

步骤S1:将氟化氢铵合成液从进料口导入风冷塔;

步骤S2:从进风口持续导入空气,从出风口持续导出空气;

步骤S3:通过喷淋装置喷出氟化氢铵合成液;

步骤S4:将风冷塔底部经冷却的氟化氢铵合成液从循环口通过泵导向循环进料口;

步骤S5:通过喷淋装置喷出经过导向循环进料口导入的冷却后的氟化氢铵合成液。

步骤S6:收集出风口导出的空气中的氟化氢铵结晶。

所述步骤S1中氟化氢铵合成液为PH为1.0~4.0、比重为5.0~21.0波美度、温度为65~95℃的液氨与氢氟酸的合成液;所述步骤S2中进风口2导入空气使冷风塔中风流量为500L/h。

本发明提供的一种氟化氢铵风冷结晶合成装置及工艺结构简单,同时效益大,解决了当前湿法设计高污染、高能耗、高排放等问题。

以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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