1.一种BN-SiC复合颗粒，包括SiC颗粒和包覆在所述SiC颗粒外的BN镀层，所述BN镀层的厚度为0.5～20μm。
2.根据权利要求1所述的BN-SiC复合颗粒，其特征在于，所述SiC颗粒的粒径为0.05～700μm。
3.根据权利要求1所述的BN-SiC复合颗粒，其特征在于，所述BN-SiC复合颗粒的粒径为0.6～720μm。
4.权利要求1或2所述复合颗粒的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法在SiC颗粒表面沉积BN镀层，得到BN-SiC复合颗粒。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法具体包括以下步骤：
(1)将SiC颗粒装入工装，对真空腔进行抽真空；
(2)向所述抽真空后的真空腔内充入惰性气体；
(3)将SiC颗粒加热至300～500℃；
(4)控制超声波振动频率为(0W,350W]，样品台摆动频率为1～150次/分钟，在SiC颗粒表面磁控溅射沉积BN镀层，得到BN-SiC复合颗粒。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中真空腔抽真空后的真空度为4×10-4～4×10-3Pa。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中充入惰性气体至真空腔内气压为0.1～15Pa。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中磁控溅射的功率为100～250W。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中磁控溅射的时间为2～6h。
10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射沉积BN镀层后还包括：将BN-SiC复合颗粒保温20～60min。