1.一种降低大直径SiC单晶内应力的炉后退火方法,其特征在于，包括以下步骤：
（1）将附着石墨组件的单晶整体放置于退火炉恒温区中，同时向所述退火炉中通入惰性气体，在惰性气体保护下，逐渐升温至SiC单晶脆化点1100℃以上；
（2）维持步骤（1）所述的1100℃以上的炉温，将所述退火炉中的气体氛围置换为与石墨发生反应的气体氛围，通过气体与石墨发生反应去除所述单晶上附着的石墨组件；
（3）待完全去除所述单晶上附着的石墨组件，向所述退火炉中通入惰性气体，将所述退火炉中的气体氛围重新置换为惰性气体氛围，并将炉温升至1300℃以上的温度并保持稳定一段时间，同时继续通入惰性气体，将无石墨组件附着的自由状态SiC单晶进行一段时间退火；
（4）将所述炉温缓慢降至室温，并停止通入所述惰性气体。
2.根据权利要求1所述的炉后退火方法，其特征在于，所述退火炉的容积为40L，其材质为氧化铝，所述石墨组件包括：石墨坩埚上盖和石墨引导环。
3.根据权利要求1所述的炉后退火方法，其特征在于，所述步骤（1）、（3）、（4）中温度的变化速率不超过5℃/min。
4.根据权利要求1所述的炉后退火方法，其特征在于，所述步骤（1）-（4）中单晶处的温度梯度均不大于5℃/cm。
5.根据权利要求1所述的炉后退火方法，其特征在于，所述步骤（1）中所述单晶直径不小于75mm。
6.根据权利要求1所述的炉后退火方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气、氦气或氖气，所述步骤（2）中与石墨发生反应的气体为氧气。
7.根据权利要求1所述的炉后退火方法，其特征在于，所述步骤（1）中所述单晶晶型为4H-SiC、6H-SiC或15R-SiC单晶，所述单晶可以为N型、P型或半绝缘SiC单晶。
8.根据权利要求1所述的炉后退火方法，其特征在于，所述步骤（3）中温度稳定阶段的温度波动幅度不超过20℃。
9.根据权利要求1所述的炉后退火方法，其特征在于，所述步骤（3）中所述稳定维持时间大于15小时，退火时间不小于10小时，优选的大于20小时。
10.根据权利要求1所述的炉后退火方法，其特征在于，向所述退火炉中通入惰性气体和反应气体的速率均不大于4L/min。