技术总结
本发明公开了一种低成本碳化钽涂层的制备方法，所述方法为：首先对基体进行预处理，然后采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液，将悬浊液均匀喷涂或刷涂于所述基体表面，最后将喷好或刷好涂层的基体进行预温与烧结处理，即可在基体上得到一层厚度均匀、结构致密的碳化钽涂层。本发明可以在基体表面包敷一层完全致密结构的TaC涂层，该涂层可以使基体表面受到很大程度的隔离与保护；可用于晶体、半导体生产用装置或部件的高性能涂层的制备，防止晶体生长时装置或部件表层颗粒进入晶体内，进而造成晶体缺陷。与CVD沉积技术相比，本发明工艺过程成本低、相对简单，易操作，重复性好，可直接在材料表面形成成致密、无裂纹的涂层。
技术研发人员：袁振洲;刘欣宇;何丽娟
受保护的技术使用者：北京世纪金光半导体有限公司
文档号码：201611179306
技术研发日：2016.12.19
技术公布日：2017.05.24