1.一种利用磁控溅射技术制备Ni/SiO2玻璃衰减片的装置，其组成包括：真空室，其特征是：所述的真空室为圆柱形，侧面具有取物口和探视窗口，所述的真空室下部中心具有可调支架，所述的可调支架的调整位置位于真空室外，所述的可调支架上安装有正电极，所述的正电极上放置有工件，所述的真空室上部中心具有发射电极，所述的发射电极上连接有溅射靶，所述的真空室的侧壁上还安装有传感器和加热器，所述的传感器和所述的加热器导线连接于真空室外安装的温控器。
2.根据权利要求1所述的利用磁控溅射技术制备Ni/SiO2玻璃衰减片的装置，其特征是：所述的真空室分别通过管路连接电离管、电阻规、手动阀门、电磁阀C、充气阀和进气手阀，所述的电离管和所述的电阻规通过管路连接于真空计，所述的手动阀门通过管路连接分子真空泵，所述的电磁阀C通过管路连接于机械真空泵，所述的充气阀通过管路外接惰性气体充气装置，所述的进气手阀通过管路连接流量计。
3.根据权利要求2所述的利用磁控溅射技术制备Ni/SiO2玻璃衰减片的装置，其特征是：所述的可调支架为电控可调，可实现正电极的上下运动及旋转运动，即可调支架内具有控制上下运动的步进电机和控制旋转运动的步进电机，所述的分子真空泵还通过管路、电磁阀A和电磁阀B连接所述的机械真空泵，所述的正电极和所述的发射电极分别提高导线连接于射频电源。