热笼与隔热底板之间的距离，使坩祸内温度以0.5°C /min?5°C /min的速率下降，坩祸底部温度波动不超过50°C，当坩祸内温度下降至与坩祸底部温度的温差至50°C以内，完成退火；所述坩祸底部温度是指坩祸底部石墨护板下方的温度。
[0021]实施例1:
[0022]本发明实施例提供一种多晶硅铸锭的退火工艺，该退火工艺使用G5型铸锭炉进行多晶硅铸锭，选用G5石英坩祸，装料重量500Kg，送入铸锭炉内，抽真空后运行铸锭工艺，长晶程序结束后进行退火程序。在退火阶段第一步，设置温度控制模式，使用90分钟将坩祸内温度从1410°C降至1250°C，同时将隔热笼从20cm位置移动至8cm位置。退火第一步完成后，坩祸内温度达到1250°C，坩祸底部温度达到1000°C。在退火阶段第二步，设置温度控制模式，使用20分钟将坩祸内温度从1250°C降至1200°C，同时将隔热笼从8cm位置移动至Ocm位置。退火第二步完成后，坩祸内温度达到1200°C，坩祸底部温度达到1020°C。在退火阶段第三步，设置温度控制模式，使用80分钟将坩祸内温度从1200°C降至1000°C，同时将隔热笼从Ocm位置移动至1cm位置。退火第三步完成后，坩祸内温度达到1050°C，坩祸底部温度达到1030°C，进入冷却程序。
[0023]经计算和验证，多晶硅锭的运行时间比正常工艺缩短2h，电费节约200Kw-h,获得的多晶硅锭经过开方和检验环节，得料率提升1.5%，降低了约4%的生产成本。
[0024]实施例2:
[0025]本发明实施例提供一种多晶硅铸锭的退火工艺，该退火工艺使用G5型铸锭炉进行高效多晶硅铸锭，选用G5石英坩祸，装料重量600Kg，送入铸锭炉内，抽真空后运行铸锭工艺，长晶程序结束后进行退火程序。在退火阶段步骤中，设置温度控制模式，使用180分钟将坩祸内温度从1390°C降至920°C，同时将隔热笼移动速率设为6cm/h。退火结束时，坩祸内温度达到920°C，坩祸底部温度达到900°C，进入冷却程序。
[0026]经计算和验证，多晶硅锭的运行时间比正常工艺缩短3h，电费节约300Kw-h,获得的多晶硅锭经过开方和检验环节，得料率提升1.5%，降低了约4%的生产成本。
[0027]实施例3:
[0028]本发明实施例提供一种多晶硅铸锭的退火工艺，该退火工艺使用G6型铸锭炉进行类单晶硅铸锭，选用G6石英坩祸，装料重量800Kg，送入铸锭炉内，抽真空后运行铸锭工艺，长晶程序结束后进行退火程序。在退火阶段第一步，设置温度控制模式，使用90分钟将坩祸内温度从1400°C降至1200°C，同时将隔热底板从24cm位置移动至2cm位置。在退火阶段第二步，设置功率控制模式，使用120分钟将温度从1200°C降至950°C，同时将隔热笼从2cm位置移动至1cm位置。退火第二步完成后，坩祸内温度达到950°C，坩祸底部温度达到980 °C，进入冷却程序。
[0029]经计算和验证，多晶硅锭的运行时间比正常工艺缩短2h，电费节约200Kw-h,获得的多晶硅锭经过开方和检验环节，得料率提升1.5%，降低了约4%的生产成本。
[0030]实施例4:
[0031]本发明实施例提供一种多晶硅铸锭的退火工艺，该退火工艺使用G7型铸锭炉进行多晶硅铸锭，选用G7石英坩祸，装料重量lOOOKg，送入铸锭炉内，抽真空后运行铸锭工艺，长晶程序结束后进行退火程序。在退火阶段第一步，设置功率控制模式，使用120分钟将坩祸内温度从1410°C降至1300°C，同时将隔热笼移动速率设为2cm/h。退火第一步完成后，坩祸内温度达到1300°C，坩祸底部温度达到973°C。在退火阶段第二步，设置功率控制模式，使用60分钟将坩祸内温度从1300°C降至1200°C，同时将隔热笼移动速率设为Icm/ho退火第二步完成后，坩祸内温度达到1200°C，坩祸底部温度达到980°C。在退火阶段第三步，设置功率控制模式，使用100分钟将坩祸内温度从1200°C降至1000°C，同时将隔热笼移动速率设为1.6cm/ho退火第三步完成后，坩祸内温度达到1000°C，坩祸底部温度达到990 °C，进入冷却程序。
[0032]经计算和验证，多晶硅锭的运行时间比正常工艺缩短1.5h，电费节约150Kw *h，获得的多晶硅锭经过开方和检验环节，得料率提升1.5%，降低了约4%的生产成本。
【主权项】
1.一种铸造多晶硅的退火工艺，使用多晶硅铸锭炉，所述多晶硅铸锭炉包括隔热笼和隔热笼下方的隔热底板，隔热笼内设坩祸，坩祸底部外表面设石墨底板；其特征在于，坩祸内的多晶硅长晶步骤完成后，通过降低或提升隔热笼或隔热底板的高度，以此调节隔热笼与隔热底板之间的距离，使坩祸内温度以0.50C /min?5°C /min的速率下降，坩祸底部温度波动不超过50°C，当坩祸内温度下降至与坩祸底部温度的温差至50°C以内，完成退火；所述坩祸底部温度是指坩祸底部石墨护板下方的温度。
2.如权利要求1所述的退火工艺，其特征在于，在多晶硅长晶步骤完成后，坩祸内温度为1380°C?1420°C，坩祸底部温度为900°C?1100°C。
【专利摘要】本发明涉及一种铸造多晶硅的退火工艺，该工艺使用多晶硅铸锭炉，所述多晶硅铸锭炉包括隔热笼和隔热笼下方的隔热底板，隔热笼内设坩埚，坩埚底部外表面设石墨底板；坩埚内的多晶硅长晶步骤完成后，通过降低或提升隔热笼或隔热底板的高度，以此调节隔热笼与隔热底板之间的距离，使坩埚内温度以0.5℃/min～5℃/min的速率下降，坩埚底部温度波动不超过50℃，当坩埚内温度下降至与坩埚底部温度的温差至50℃以内，完成退火；所述坩埚底部温度是指坩埚底部石墨护板下方的温度。该工艺减少了杂质的反扩散，大幅提高了硅锭的成品率，节约了能耗。
【IPC分类】C30B33-02, C30B29-06, C30B28-06
【公开号】CN104695014
【申请号】CN201510111883
【发明人】明亮, 段金刚, 黄美玲, 谭晓松, 瞿海斌, 陈国红, 蔡先武
【申请人】湖南红太阳光电科技有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年3月13日