池 -场效应晶体管、薄层晶体管 -微电子部件中的介电层 -半导体材料的表面钝化 -含有量子点的层和部件的制造 -防止成分从环境中透过层扩散的屏障，
-用于层的上侧和下侧的热解耦的屏障层。
[0045]实施例:
实施例1
将0.21 g九硅烷、0.29 g由新戊硅烷形成的氢化硅烷低聚物(相当于58重量％，基于氢化硅烷和氢化硅烷低聚物的总质量计)(Mw ~ 2200 g/mol), 0.37 g环辛烷和0.87 g甲苯的混合物在3000转/min、6000转/min和9000转/min下涂覆在EagleXG玻璃上，然后在500°C /60 s下转化。所得层厚度为48-74 nm。
[0046]由附图1可知，相对稀的涂料组合物原则上适用于半导体用途。但是，由那里示出的照片和显微图像可知，所产生的涂层较不均匀且粗糙。
[0047]实施例2
将0.25 g由新戊硅烷形成的未掺杂氢化硅烷低聚物(相当于62.5重量％，基于氢化硅烷和氢化硅烷低聚物的总质量计)(Mw -2300 g)和0.150 g九硅烷在0.180 g环辛烷和0.420 g甲苯中的混合物在6000转/min下涂覆在EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下转化。所产生的层厚度为113 nm。
[0048]所产生的层是均匀而光滑的。
[0049]实施例3
将0.17 g九硅烷、0.33 g由新戊硅烷形成的氢化硅烷低聚物(相当于66重量％，基于氢化硅烷和氢化硅烷低聚物的总质量计)(Mw ~ 2200 g/mol), 0.87 g甲苯和0.37 g环辛烷在3000转/min、6000转/min和9000转/min下涂覆在EagleXG玻璃上，然后在500°C /60 s下转化。所产生的层厚度在66-104 nm的范围。
[0050]如由图2的照片和显微图像可知，所产生的层是均匀而光滑的。
[0051]实施例4
将0.13 g九硅烷、0.37 g由新戊硅烷形成的氢化硅烷低聚物(相当于74重量％，基于氢化硅烷和氢化硅烷低聚物的总质量计)(Mw ~ 2200 g/mol),0.87 g甲苯和0.37 g环辛烷的混合物在3000转/min、6000转/min和9000转/min下涂覆在EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下转化。所产生的层厚度在90-140 nm的范围。
[0052]如由图3的照片和显微图像可知，所产生的层是均匀而光滑的。
[0053]实施例5
将0.25 g由新戊硅烷形成的未掺杂氢化硅烷低聚物(相当于76.9重量％，基于氢化硅烷和氢化硅烷低聚物的总质量计)(Mw -2300 g)和0.075 g九硅烷在0.158 g环辛烷和0.368 g甲苯中的混合物在6000转/min下涂覆在EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下转化。所产生的层厚度为130 nm。
[0054]所产生的层是均匀而光滑的。
[0055]实施例6
将0.08 g九硅烷、0.42 g由新戊硅烷形成的氢化硅烷低聚物(84重量％，基于氢化硅烷和氢化硅烷低聚物的总质量计)(Mw ~ 2000 g/mol), 0.24 g环辛烷和0.96 g甲苯的混合物在4500转/min和6000转/min下涂覆在EagleXG玻璃上，然后在500°C /60 s下转化。所产生的层厚度分别为164 nm和150 nm。
[0056]由附图4可知，相对稀的涂料组合物原则上适用于半导体用途。但是，由那里示出的照片和显微图像可知，所产生的涂层较不均匀且不完整并结成块。此外，可看出层中的缺陷。
[0057]对比例1
将0.25 g由新戊硅烷形成的未掺杂氢化硅烷低聚物(Mw -2300 g)在0.203 g环辛烷和0.472 g甲苯中的混合物在6000转/min下涂覆在EagleXG玻璃上，然后在500°C /60s下转化。所产生的层厚度为102 nm。但是，但是，所产生的层有缺点。
[0058]对比例2
将0.25 g由新戊硅烷形成的未掺杂氢化硅烷低聚物(Mw -2300 g)和0.150 g新戊硅烷在0.180 g环辛烷和0.420 g甲苯中的混合物在6000转/min下涂覆在EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下转化。所产生的层厚度为99 nm。因此，与共混有通式为SinH2n+2 (其中η = 7-10)的氢化硅烷时相比，该收率不佳。
[0059]对比例3
将0.27 g九硅烷、0.03 g由新戊硅烷形成的氢化硅烷低聚物(10重量％，基于氢化硅烷和氢化硅烷低聚物的总质量计)(Mw ~ 2200 g/mol)和0.30 g甲苯的混合物在1000转/min、2000 转 /min、3000 转 /min 和 6000 转 /min 下涂覆在 EagleXG 玻璃上，然后在 500°C /60s下转化。所产生的涂层不均勾、不完整(nicht fljichendeckend)且有许多缺陷。
[0060]对比例4
将0.27 g九硅烷、0.03 g由新戊硅烷形成的氢化硅烷低聚物(10重量％，基于氢化硅烷和氢化硅烷低聚物的总质量计)(Mw ~ 2200 g/mol), 0.48 g甲苯和0.20 g环辛烷的混合物在1000转/min、2000转/min、3000转/min和6000转/min下涂覆在EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下转化。所产生的涂层不均匀、不完整且有许多缺陷。
【主权项】
1.配制品，其包含至少一种氢化硅烷和至少一种氢化硅烷低聚物， 其特征在于 所述氢化硅烷具有通式SinH2n+2，其中η = 7-10。2.根据权利要求1的配制品， 其特征在于 所述氢化硅烷是八硅烷异构体或九硅烷异构体。3.根据权利要求1或2的配制品， 其特征在于 所述氢化硅烷是支化的氢化硅烷。4.根据前述权利要求任一项的配制品， 其特征在于 所述氢化硅烷低聚物具有200至10 000 g/mol的重均分子量。5.根据前述权利要求任一项的配制品， 其特征在于 所述氢化硅烷低聚物通过非环状氢化硅烷的低聚获得。6.根据权利要求5的配制品， 其特征在于 所述氢化硅烷低聚物可在没有催化剂的情况下在小于235°C的温度下通过热转化包含至少一种具有最多20个硅原子的非环状氢化硅烷的组合物获得。7.根据前述权利要求任一项的配制品， 其特征在于 所述氢化硅烷低聚物含有碳。8.根据前述权利要求任一项的配制品， 其特征在于 所述氢化硅烷低聚物是掺杂的。9.根据前述权利要求任一项的配制品， 其特征在于 所述至少一种氢化硅烷的比例为基于所述配制品的总质量计1至40重量％。10.根据前述权利要求任一项的配制品， 其特征在于 所述至少一种氢化硅烷低聚物的比例为基于所述配制品的总质量计1至60重量％。11.根据前述权利要求任一项的配制品， 其特征在于 基于存在的氢化硅烷低聚物和氢化硅烷低聚物的总质量计，所述氢化硅烷低聚物的比例为40-99.9重量％，优选60-99重量％，特别优选60-80重量％。12.根据前述权利要求任一项的配制品， 其特征在于 其具有至少一种溶剂。13.根据权利要求12的配制品， 其特征在于 所述溶剂的比例为基于所述配制品的总质量计25至95重量％。14.根据权利要求12或13的配制品， 其特征在于 基于所述配制品的总质量计，其具有1-30重量％的氢化硅烷、1-40重量％的氢化硅烷低聚物和50-85重量％的溶剂。15.制备根据前述权利要求任一项的配制品的方法，其中将通式SinH2n+2的氢化硅烷与氢化硅烷低聚物和任选的溶剂混合，其中η = 7-10。16.根据权利要求1至14任一项的配制品用于制造含硅层的用途。17.根据权利要求1至14任一项的配制品用于制造电子层或光电层的用途。18.根据权利要求1至14任一项的配制品用于制造电子部件或光电部件的用途。
【专利摘要】本发明涉及包含至少一种通式为SinH2n+2，其中n=7-10的氢化硅烷和至少一种氢化硅烷低聚物的配制品，涉及其制备方法及其用途。
【IPC分类】C23C18/12, C01B33/04
【公开号】CN105307977
【申请号】CN201480034636
【发明人】S.特劳特, M.帕茨, S.韦伯, P.H.韦布肯贝格, J.埃尔茨, J.黑辛格
【申请人】赢创德固赛有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年6月12日
【公告号】DE102013010101A1, EP3010854A1, US20160145440, WO2014202453A1