专利名称：热聚合系引发剂体系和粘接剂组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种热聚合系弓I发剂体系和粘接剂组合物。
背景技术：
近年来，在半导体、液晶显示器等领域中，为了固定电子部件或为了进行电路连接，使用各种粘接材料。在这些用途中，高密度化、高精细化越来越得到发展，所以对于粘接剂也要求高的粘接力、可靠性。特别是作为用于液晶显示器和TCP的连接、FPC和TCP的连接、或FPC和印刷线路板的连接的电路连接材料，使用在粘接剂中分散有导电性粒子的各向异性导电性粘接剂。 并且最近，在基板上安装半导体硅芯片时，不采用以往的引线接合，而是进行将半导体硅芯片直接安装在基板上的所谓C0G，其中也在适用各向异性导电性粘接剂。此外，近年来在精密电子设备领域中，电路的高密度化的的得到发展，使得电极宽度和电极间隔变得极为狭窄。因此，按照以往的使用环氧树脂系的电路连接用粘接材料的连接条件，存在有线路脱落、剥离、位置偏离等问题，而在COG中，存在有因芯片和基板的热膨胀差而产生翘曲的问题。为了进一步低成本化，必须提高生产量，要求一种能够在低温 (100 170°C )下短时间(10秒以内)内固化，即低温快速固化的粘接剂。以往，作为阳离子聚合引发剂，已经提出了例如以下述通式(II)所表示的锍盐作为主成分的阳离子聚合性物质的聚合引发剂(专利文献1)。[化1]
权利要求
1.一种热聚合系引发剂体系，其中含有(A)下述通式(I)所表示的碘鐺盐化合物和(B) 自由基聚合引发剂，R1-I+-R2 Y (I)式中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳基，Y一表示阴离子残基。
2.如权利要求1所述的热聚合系引发剂体系，其中所述Y—为SbFp [P (R6)a (F)6 — J—、B (C6F5)4 一或C (CF3SO2) 3一，式中，R6表示至少部分氢原子被氟原子取代的烷基，a表示0 5的整数，当a为2以上的整数时，所存在的多个R6彼此相同或不同。
3.如权利要求1或2所述的热聚合系引发剂体系，其中所述自由基聚合引发剂为有机过氧化物。
4.如权利要求3所述的热聚合系引发剂体系，其中所述有机过氧化物的1分钟半衰期温度为80 170°C。
5.如权利要求1 4中任一项所述的热聚合系引发剂体系，其用于阳离子聚合性物质的固化。
6.如权利要求1 5中任一项所述的热聚合系引发剂体系，其用于通过加热进行的固化。
7.一种粘接剂组合物，其中含有(A)下述通式(I)所表示的碘鐺盐化合物、(B)自由基聚合引发剂和(C)阳离子聚合性物质，R1-I+-R2 Y (I)式中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳基，Γ表示阴离子残基。
8.如权利要求8所述的粘接剂组合物，其中所述τ为SbF6\[P (R6)a (F)“r、B (C6F5) 4-或C (CF3SO2)3-,式中，R6表示至少部分氢原子被氟原子取代的烷基，a表示0 5的整数， 当a为2以上的整数时，所存在的多个R6彼此相同或不同。
9.如权利要求7或8所述的粘接剂组合物，其中所述自由基聚合引发剂为有机过氧化物。
10.如权利要求9所述的粘接剂组合物，其中所述有机过氧化物的1分钟半衰期温度为 80 170 。
11.如权利要求7 10中任一项所述的粘接剂组合物，其中所述阳离子聚合性物质含有选自由环氧化合物、氧杂环丁烷化合物和乙烯基醚化合物组成的组中的至少一种。
12.如权利要求7 11中任一项所述的粘接剂组合物，其中进一步含有(D)成膜性聚合物。
13.如权利要求7 12中任一项所述的粘接剂组合物，其中进一步含有(E)导电性粒子。
14.如权利要求13所述的粘接剂组合物，其具有各向异性导电性。
15.如权利要求7 14中任一项所述的粘接剂组合物，其用作电路连接用粘接剂组合物。
16.如权利要求7 15中任一项所述的粘接剂组合物，其通过加热而固化。
17.将权利要求7 16中任一项所述的粘接剂组合物制成膜状而形成的膜状粘接剂组合物。
全文摘要
本发明提供一种含有(A)下述通式(I)所表示的碘鎓盐化合物和(B)自由基聚合引发剂的热聚合系引发剂体系。式中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳基，Y－表示阴离子残基。R1-I+-R2 Y-(I)
文档编号C08F4/34GK102597044SQ20108005009
公开日2012年7月18日 申请日期2010年11月5日 优先权日2009年11月5日
发明者川上晋, 永井朗 申请人:日立化成工业株式会社