技术总结
本发明涉及到微流控芯片技术领域，尤其涉及到一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法。本发明所涉及的一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法即能克服硅模具的较脆、使用寿命不长及制备工艺时间较长等缺点，又能克服UV-LIGA工艺制备的金属模具中工艺长、成本高的缺陷。该方法制备聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的工艺简单，成本低，容易操作，而且制备出的聚二甲基硅氧烷多孔薄膜具有高弹性、气体通透性和疏水性，特别适用于微流控芯片中研究；此外，该方法制备出的聚二甲基硅氧烷多孔薄膜上具有微纳米尺度的多孔结构，可以大大提高聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的应用范围。
技术研发人员：王云翔
受保护的技术使用者：苏州锐材半导体有限公司
文档号码：201510241591
技术研发日：2015.05.13
技术公布日：2017.01.04