复合聚合物组合物的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明设及一种复合聚合物组合物。
【背景技术】
[0002] 聚合添加剂用于多种树脂改性应用中。举例来说，基于聚下二締/聚（甲基丙締酸 甲醋）核/壳的聚合物用于提高热塑性树脂(例如聚碳酸醋）的抗冲击特性。然而，基于下二 締/(甲基)丙締酸醋的聚合添加剂通常展现不良耐候性和完结稱色。聚締控粒子(复合物） 还用于提高树脂(例如聚碳酸醋）的抗冲击性，同时不影响热塑性基质的耐候性。
[0003] 此外，还已知聚締控分散液用于多种应用。然而，此类分散液同样可通过官能化来 改善一种或多种特性。运些复合聚合物粒子的官能化将使能够根据若干应用调适特性并且 改善现有应用中的性能。此类官能化复合聚合物组合物可适用于罐涂层、涂层、纤维素涂 层、黏合剂W及非编织纺织物、纺织物涂层、墨水和颜料、膜、吸附剂、离子交换、地毯衬底或 粘着剂，W及纤维粘着剂。因此，持续有机会改良复合聚合物粒子。
【发明内容】
[0004] 本发明为一种复合聚合物组合物。
[0005] 在一个实施例中，本发明提供一种复合聚合物组合物，其包含W下各物的乳液聚 合产物：（i)水性聚締控分散液，其包含一种或多种聚締控、2重量％到25重量％-种或多种 分散液稳定剂、水W及任选地中和剂的烙融捏合产物，和（ii) 一种或多种（甲基)丙締酸单 体;其中所述一种或多种聚締控的Tg等于或小于50°C并且包含0.5重量％到100重量％官能 化聚締控;并且其中所述烙融捏合产物(i)包含体积平均粒径在150nm到2000nm之间并且分 散于所述水中的聚合物粒子;并且其中所述一种或多种（甲基)丙締酸单体聚合到聚合物粒 子上形成复合聚合物粒子。
【具体实施方式】
[0006] 本发明为一种复合聚合物组合物。
[0007] 根据本发明的复合聚合物组合物包含：W下各物的乳液聚合产物：（i)水性聚締控 分散液，其包含一种或多种聚締控、小于或等于8重量％-种或多种分散液稳定剂和水的烙 融捏合产物，和（ii)一种或多种（甲基)丙締酸单体;其中所述一种或多种聚締控的Tg等于 或小于50°C并且包含0.5重量％到100重量％官能化聚締控;并且其中所述烙融捏合产物 (i)包含体积平均粒径在150nm到2000nm之间并且分散于所述水中的聚合物粒子;并且其中 所述一种或多种（甲基)丙締酸单体聚合到所述聚合物粒子上形成复合聚合物粒子。
[0008] 水性聚締控分散液
[0009] 聚締控
[0010] 按水性分散液的固体含量的总重量计，水性分散液包含5重量％到99重量％ -种 或多种聚締控。本文中包括并且本文中公开5重量％到99重量％的所有个别值和子范围；举 例来说，重量百分比可W从5、8、10、15、20、25重量％的下限到40、50、60、70、80、90、95或99 重量百分比的上限。举例来说，按水性分散液的固体含量的总重量计，水性分散液可包含15 重量％到99重量％，或15重量％到90重量％，或15重量％到80重量％，或15重量％到75重 量％，或30重量％到70重量％，或35重量％到65重量％-种或多种聚締控。水性分散液包含 至少一种或多种聚締控。
[0011] 本发明所用的聚締控的Tg小于或等于50°C。本文公开并且本文包括等于或小于50 °(：的所有个别值和子范围。举例来说，Tg可等于或小于5(TC，或在替代方案中，Tg可等于或 小于(除50?之外)40°C，或在替代方案中，恥可等于或小于30°C，或在替代方案中，恥可等于 或小于15°C，或在替代方案中，Tg可等于或小于(TC，或在替代方案中，Tg可等于或小于-15 °C。在一个实施例中，聚締控的Tg等于或小于-50°C。
[0012] 聚締控的实例包括(但不限于）一种或多种a-締控的均聚物和共聚物(包括弹性 体），所述a-締控例如乙締、丙締、1-下締、3-甲基-1-下締、4-甲基-1-戊締、3-甲基-1-戊締、 1-庚締、1-己締、1-辛締、1-癸締 W及1-十二締，所述a-締控的均聚物和共聚物(包括弹性 体)通常W聚乙締、聚丙締、聚-1-下締、聚-3-甲基-1-下締、聚-3-甲基-1-戊締、聚-4-甲基-1-戊締、乙締-丙締共聚物、乙締-1-下締共聚物W及丙締-1-下締共聚物为代表;Q-締控与 共辆或非共辆二締的共聚物(包括弹性体)通常W乙締-下二締共聚物和乙締-亚乙基降冰 片締共聚物为代表；W及聚締控(包括弹性体），例如两种或更多种O-締控与共辆或非共辆 二締的共聚物，如通常W乙締-丙締-下二締共聚物、乙締-丙締-二环戊二締共聚物、乙締-丙締-1,5-己二締共聚物W及乙締-丙締-亚乙基降冰片締共聚物为代表；乙締-乙締基化合 物共聚物，例如乙締-乙酸乙締醋共聚物、乙締-乙締醇共聚物、乙締-氯乙締共聚物、乙締丙 締酸或乙締-(甲基)丙締酸共聚物W及乙締-(甲基)丙締酸醋共聚物。运些树脂可W单独使 用或W两种或更多种的组合使用。
[0013] 在所选实施例中，基质聚合物可例如包含一种或多种选自由W下组成的群组的聚 締控：乙締-a締控共聚物、丙締-a締控共聚物和締控嵌段共聚物。具体来说，在所选实施例 中，基质聚合物可包含一种或多种非极性聚締控。
[0014] 在具体实施例中，可W使用聚締控，例如聚丙締、聚乙締、其共聚物W及其渗合物， W及乙締-丙締-二締=元共聚物。在一些实施例中，示范性締控聚合物包括如美国专利第 3,645,992号中所描述的均匀聚合物;如美国专利第4,076,698号中所描述的高密度聚乙締 (皿PE);非均匀支化的线性低密度聚乙締化LDPE);非均匀支化的超低线性密度聚乙締 化LDPE);均匀支化的线性乙締/a-締控共聚物;均匀支化的实质上线性的乙締/a-締控聚合 物，所述聚合物可例如通过美国专利第5，272，236号和第5，278，272号中所披露的方法制 备，所述专利的披露内容W引用的方式并入本文中；W及高压自由基聚合的乙締聚合物和 共聚物，例如低密度聚乙締(LDPE)或乙締乙酸乙締醋聚合物化VA)。
[0015] 在其它具体实施例中，基质聚合物可例如是基于乙締乙酸乙締醋巧VA)的聚合物。 在其它实施例中，基质聚合物可W例如是基于乙締-丙締酸甲醋化MA)的聚合物。在其它具 体实施例中，乙締-a締控共聚物可W是例如乙締-下締、乙締-己締或乙締-辛締共聚物或互 聚物。在其它具体实施例中，丙締-Q締控共聚物可W是例如丙締-乙締或丙締-乙締-下締共 聚物或互聚物。
[0016] 在一个具体实施例中，聚締控是丙締/a-締控共聚物，其特征在于具有实质上等规 的丙締序列。"实质上等规的丙締序列"意思是具有大于约0.85;在替代方案中，大于约 0.90;在另一替代方案中，大于约0.92;并且在另一替代方案中，大于约0.93的通过I3C NMR 测量的等规=单元组(mm)的序列。等规=单元组为所属领域中众所周知的并且描述于例如 美国专利第5,504，172号和国际公开案第WO 00/01745号中，其指的是就通过I3C NMR光谱测 定的共聚物分子链中的=单元组单元来说的等规序列。丙締 A-締控共聚物包含衍生自丙 締的单元和衍生自一种或多种O-締控共聚单体的聚合单元。用于制造丙締/〇-締控共聚物 的示范性共聚单体是C2和C4到Cioa-締控;例如C2、C4 XsW及Csa-締控。
[0017] 根据ASTM 0-1238( 190°C/2.16kg)所现慢，締控共聚物的烙体流动速率可W在巧U 1500g/10min范围内。本文中包括并且本文中公开巧Ijl500g/10min的所有个别值和子范围； 举例来说，烙体流动速率可为 1 g/1 Omin、2g/l Omin、3g/l Omin、4g/l Omin、5g/l Omin、100g/ 10111111、200邑/10111111、500邑/10111111、800邑/10111111、1000邑/10111111、1300邑/10111111或1400邑/10111111的 下限到 1500g/10min、1250g/10min、1000g/10min、800g/10min、500g/10min、100g/10min、 50g/10min、40g/10min和30g/10min的上限。举例来说，丙締/a-締控共聚物的烙体流动速率 可在巧 Ijl500g/10min;或巧 Ij500g/10min;或 500 到 1500g/10min;或 500 到 1250g/10min;或 300到 1300g/10min;或 5到 30g/10min 的范围内。
[0018]締控共聚物的分子量分布(MWD;定义为重量平均分子量除W数量平均分子量(Mw/ Mn))为3.5或更小;在替代方案中，3.0或更小;或在另一替代方案中，1.8到3.0。
[0019] 此类締控共聚物可W商品名VERSIFY?和engage?购自陶氏化学公司（The Dow Chemical Company)或W商品名VI STAMAXX?和exact?购自埃克森美孚化学公司 (ExxonMobil Chemical Comp曰ny)〇
[0020] 在某些其它实施例中，聚締控可例如为半结晶聚合物并且可具有低于11(TC的烙 点。在优选实施例中，烙点可W是25°C到100°C。在更优选实施例中，烙点可W在40°C到85°C 之间。
[0021] 在其它所选实施例中，可W使用締控嵌段共聚物，例如乙締多嵌段共聚物，例如国 际公开案第W02005/090427号和美国专利申请公开案第US 2006/0199930号中描述的那些 (W引入的方式并入本文中，达到描述此类締控嵌段共聚物的程度)作为聚締控。此类締控 嵌段共聚物可W是乙締/a-締控互聚物：
[0022] (a)具有约1.巧哟3.5的Mw/Mn、至少一个烙点Tm(W摄氏度为单位)和密度d(W克/ 立方厘米为单位），其中Tm和d的数值对应于W下关系：
[0023] Tm>-2002.9+4538.5(d)-2422.2(d)2;或
[0024] 具有约1.巧哟3.5的Mw/Mn，并且W烙解热AH(Wj/g为单位)和增量AT(W摄氏度 为单位，定义为最高DSC峰与最高CRYSTAF峰之间的溫差)为特征，其中A T和A H的数值具有 W下关系：
[0025] 对于 AH大于0和至多为 130