专利名称：Ito蚀刻液制备装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种蚀刻液的制备装置，具体涉及一种ITO蚀刻液制备装置，主要用于铟锡氧化物半导体透明导电膜的蚀刻。
背景技术：
蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的。薄膜场效应晶体管液晶显示器OFTlXD)、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的蚀刻液在制备过程中，由于盐酸和硝酸的腐蚀性较强，常规的搅拌装置已被腐蚀，影响蚀刻液的质量，后改用聚四氟乙烯搅拌浆进行搅拌，但其成本高，且混合的效果不好，使得蚀刻液颗粒度大，在试剂蚀刻过程中，造成蚀刻液分散不均匀，从而使得不同金属层的蚀刻量难 以控制，影响产品的良率。近年来，人们对液晶显示器的需求量不断增加的同时,对产品的质量和画面精度也提出了更高的要求，ITO蚀刻液的组成和颗粒度直接影响了蚀刻效果，决定了导致电路板制造工艺的好坏，从而影响高密度细导线图像的精度和质量。若要满足人们对图像精度和质量提出的更高要求，本领域技术人员就有必要对现有的ITO蚀刻液的相关技术做出进一步改进。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种混合效果好、蚀刻液粒度小的ITO蚀刻液制备装置。本实用新型的目的是这样实现的一种ITO蚀刻液制备装置，所述制备装置包括纯水储te、加热器、硝Ife储te、盐Ife储te、氣气储te、混合te、隔I吴栗、超滤装直和成品te ；所述纯水储罐出口与加热器进口相连，所述加热器出口与所述混合罐进口相连，所述混合罐进口还与硝酸储罐和盐酸储罐的出口相连；所述氮气储罐的出气管从所述混合罐顶端伸入至混合罐内部；所述混合罐的出口与隔膜泵的进口相连，所述隔膜泵的出口与超滤装置的进口相连，所述超滤装置的出口与成品罐进口相连。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是本实用新型，将纯水加热后再进行混合，使得各组分混合更均匀，采用氮气进行搅拌，无腐蚀无污染，易控制，成本低，超滤装置除杂更彻底，制得的蚀刻液颗粒度小，颗粒杂质含量少、纯度高，蚀刻铟锡氧化物半导体透明导电膜速率适中，反应稳定，无残留。
图I为本实用新型ITO蚀刻液制备装置的结构示意图。[0013]其中纯水储罐I、加热器2、硝酸储罐3、盐酸储罐4、氮气储罐5、混合罐6、隔膜泵7、超滤装直8、成品Sig 9。
具体实施方式
参见图1，本实用新型涉及的一种ITO蚀刻液制备装置，所述制备装置包括纯水储罐I、加热器2、硝酸储罐3、盐酸储罐4、氮气储罐5、混合罐6、隔膜泵7、超滤装置8和成品
9 ；所述纯水储罐I出口与加热器2进口相连，所述加热器2出口与所述混合罐6进口相连，所述混合罐6进口还与硝酸储罐3和盐酸储罐4的出口相连；所述氮气储罐5的出气管从所述混合罐6顶端伸入至混合罐6内部；所述混合罐6的出口与隔膜泵7的进口相连，所述隔膜泵7的出口与超滤装置8的进口相连，所述超滤装置8的出口与成品罐9进口相连。本实用新型ITO蚀刻液制备装置使用方法，包括如下加工步骤先将纯水加热，然后输送至混合罐中，开启氮气储罐的阀门，使氮气进入混合罐，在将硝酸和盐酸加入到混合罐中，通过调节氮气的流量来控制搅拌速度，充分搅拌，混合均匀后通过隔膜泵提升至超滤装置，超滤后得到纯净度高、液粒细小的ITO蚀刻液成品。所得ITO蚀刻液中每IOOkg颗粒度大于0. 3 ii m的颗粒不超过100个，杂质阴离子不超过30ppb，杂质阳离子不超过0. 05ppb，蚀刻铟锡氧化物半导体透明导电膜速率适中，反应稳定，无残留。
权利要求1.一种ITO蚀刻液制备装置，其特征在于所述制备装置包括纯水储罐(I)、加热器(2)、硝酸储罐(3)、盐酸储罐(4)、氮气储罐(5)、混合罐(6)、隔膜泵(7)、超滤装置(8)和成品 Sip (9 )； 所述纯水储罐(I)出口与加热器(2)进口相连，所述加热器(2)出口与所述混合罐(6)进口相连， 所述混合罐(6)进口还与硝酸储罐(3)和盐酸储罐(4)的出口相连； 所述氮气储罐(5)的出气管从所述混合罐(6)顶端伸入至混合罐(6)内部； 所述混合罐(6)的出口与隔膜泵(7)的进口相连，所述隔膜泵(7)的出口与超滤装置(8)的进口相连，所述超滤装置(8)的出口与成品罐(9)进口相连。
专利摘要本实用新型涉及一种ITO蚀刻液制备装置，包括纯水储罐(1)、氮气储罐(5)、混合罐(6)、隔膜泵(7)、超滤装置(8)和成品罐(9)；所述纯水储罐(1)出口与加热器(2)进口相连，所述加热器(2)出口与所述混合罐(6)进口相连，所述氮气储罐(5)的出气管从所述混合罐(6)顶端伸入至混合罐(6)内部；所述混合罐(6)的出口与隔膜泵(7)的进口相连，所述隔膜泵(7)的出口与超滤装置(8)的进口相连，所述超滤装置(8)的出口与成品罐(9)进口相连。本实用新型，制得的蚀刻液颗粒度小，颗粒杂质含量少、纯度高。
文档编号C09K13/04GK202519195SQ20122004928
公开日2012年11月7日 申请日期2012年2月16日 优先权日2012年2月16日
发明者戈士勇, 沈翠芬, 盛建伟 申请人:江阴润玛电子材料股份有限公司