分布在三氧化二铝、氮化硼表面上，具有中位径粒小，粒度分布范围窄的特点，同时使抛光粉的粉粒之间流动性或软硬度互补，达到更好的抛光效果。
[0020](3)本发明获得氮化硅陶瓷抛光粉，制备工艺简单，条件易于控制，生产成本低，易于工业化生产。
【具体实施方式】
[0021]实施例1
一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法，在反应器中，分别加入9g的氯化铈，32g的三氧化络，3g十二烧基苯磺酸钠溶解于水中，再加入15g的三氧化二销，36g的氮化硼，搅拌呈楽液，再将5g草酸溶解于水后加入，水不计入组分，常压下，搅拌，加入热85°C，反应21h，使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈，固液分离，在1100°C焙烧6h，冷却后，经气流粉碎，即得氮化硅陶瓷抛光粉，所得到的氮化硅陶瓷抛光粉的粒径为0.2-2.0 μπι的范围内。
[0022]实施例2
一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法，在反应器中，分别加入Sg的氯化铈，36g的三氧化铬，2g十二烷基苯磺酸钠溶解于水中，再加入12g的三氧化二铝，38g的氮化硼，搅拌呈浆液，再将4g草酸溶解于水后加入，水不计入组分，常压下，搅拌，加入热85°C，反应18h，使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈，固液分离，在1150°C焙烧7h，冷却后，经气流粉碎，即得氮化硅陶瓷抛光粉，所得到的氮化硅陶瓷抛光粉的粒径为0.2-2.0 μπι的范围内。
[0023]实施例3
一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法，在反应器中，分别加入Ilg的氯化铈，28g的三氧化铬，4g十二烷基苯磺酸钠溶解于水中，再加入1g的三氧化二铝，41g的氮化硼，搅拌呈浆液，再将6g草酸溶解于水后加入，水不计入组分，常压下，搅拌，加入热85°C，反应22h，使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈，固液分离，在1130°C焙烧8h，冷却后，经气流粉碎，即得氮化硅陶瓷抛光粉，所得到的氮化硅陶瓷抛光粉的粒径为0.2-2.0 μπι的范围内。
[0024]实施例4
一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法，在反应器中，分别加入1g的氯化铈，30g的三氧化铬，5g十二烷基苯磺酸钠溶解于水中，再加入18g的三氧化二铝，32g的氮化硼，搅拌呈浆液，再将5g草酸溶解于水后加入，水不计入组分，常压下，搅拌，加入热85°C，反应23h，使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈，固液分离，在1140°C焙烧5h，冷却后，经气流粉碎，即得氮化硅陶瓷抛光粉，所得到的氮化硅陶瓷抛光粉的粒径为0.2-2.0 μπι的范围内。
[0025]实施例5
一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法，在反应器中，分别加入9g的氯化铈，38g的三氧化铬，2g十二烷基苯磺酸钠溶解于水中，再加入13g的三氧化二铝，34g的氮化硼，搅拌呈浆液，再将4g草酸溶解于水后加入，水不计入组分，常压下，搅拌，加入热85°C，反应24h，使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈，固液分离，在1130°C焙烧6.5h，冷却后，经气流粉碎，即得氮化硅陶瓷抛光粉，所得到的氮化硅陶瓷抛光粉的粒径为0.2-2.0 μπι的范围内。
[0026]实施例6
一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法，在反应器中，分别加入Sg的氯化铈，34g的三氧化铬，3g十二烷基苯磺酸钠溶解于水中，再加入1g的三氧化二铝，42g的氮化硼，搅拌呈浆液，再将3g草酸溶解于水后加入，水不计入组分，常压下，搅拌，加入热85°C，反应19h，使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈，固液分离，在1150°C焙烧7.5h，冷却后，经气流粉碎，即得氮化硅陶瓷抛光粉，所得到的氮化硅陶瓷抛光粉的粒径为0.2-2.0 μπι的范围内。
[0027]使用方法:即可以用于湿抛也可用于干抛，湿抛时将抛光粉与水调成浆糊状，建议选用湿抛，因为干抛粉尘会造成污染。
[0028]本发明获得氮化硅陶瓷抛光粉，粉体抛光效果好，光泽度，可达99度以上，无划痕，平整度高，粉的用量少。
【主权项】
1.一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法，特征在于该方法具有以下工艺步骤:在反应器中，按质量百分比加入8%~11%的氯化铈，28%~38%的三氧化铬，2%~5%十二烷基苯磺酸钠溶解于水中，再加入10%~20%的三氧化二铝，32%~45%的氮化硼，搅拌呈浆液，再将3%~8%草酸溶解于水后加入，各组分之和为百分之百，水不计入组分，常压下，搅拌，加入热85°C，反应18~24h，使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈，固液分离，在1100°C ~1150°C焙烧5~8h，冷却后，经气流粉碎，即得氮化硅陶瓷抛光粉，所得到的氮化硅陶瓷抛光粉的粒径为0.2-2.0ym的范围内。
2.根据权利要求1所述一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法中，其特征在于，所述的氮化硼为金刚型氮化硼。
3.根据权利要求1所述一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法中，其特征在于，所述的氯化钟为无水氯化钟。
4.根据权利要求1所述一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法中，其特征在于，所述的三氧化二铝、氮化硼，其粒径在0.2-1.5 ym范围。
5.根据权利要求1所述一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法中，其特征在于，，所述的氯酸铈:草酸的最优摩尔比要在1: 1.5之间。
【专利摘要】本发明公开了一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法，特征在于该方法具有以下工艺步骤：在反应器中，按质量百分浓度加入8%~11%的氯化铈，28%~38%的三氧化铬，2%~5%十二烷基苯磺酸钠溶解于水中，再加入10%~20%的三氧化二铝， 32%~45%的氮化硼，搅拌呈浆液，再将3%~8%草酸溶解于水后加入，各组分之和为百分之百，水不计入组分，常压下，搅拌，加入热85℃，反应18~24h，使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈，固液分离，在1100℃~1150℃焙烧5~8h，冷却后，经气流粉碎，即得氮化硅陶瓷抛光粉。该抛光粉具有研磨硬度高、粉体抛光效果好，光泽度，无划痕，平整度高，粉的用量少。
【IPC分类】C09G1-02
【公开号】CN104694017
【申请号】CN201510126391
【发明人】李慧芝, 庄海燕, 孙旦子
【申请人】济南大学
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年3月23日