R13-2为氢、甲基或苯基;R13-3为氢、甲基或苯基；
[0047] t为1-4的整数，s+u+ν为10-100的整数，并且u和v分别是2 1的整数，（u+v)/(s+u+ v) =0.1-0.4；
[0048] 上述方法制备的高折射率芯片级封装LED白光芯片荧光胶膜。
[0049] 上述高折射率芯片级封装LED白光芯片荧光胶膜在封装芯片级白光LED的应用。
[0050] 本发明的优点：
[0051] 本发明的一种高折射率芯片级封装LED白光芯片荧光胶膜的制备方法简单，工艺 参数容易控制，制作过程中不使用溶剂，是一种绿色环保的生产制备工艺。该粘性荧光胶膜 的厚度可以精确控制在70微米-700微米范围内，厚度均匀性非常好。所得到的高折射率芯 片级封装LED白光芯片荧光胶膜储存期长，室温下存储2个月后，该荧光胶膜没有凝胶化时 间和封装效果没有明显变化，没有观察到荧光粉沉降。完全避免了荧光粉沉降，使得倒装 LED白光芯片的批次稳定性高，色温一致。荧光胶膜固化后具有高折光率为1.45-1.56，高透 明性，高硬度为邵氏硬度D60以上，特别适合激光切割。所得到的一种芯片级封装的倒装LED 白光芯片其中的芯片和封装膜粘结强，芯片级封装的倒装LED白光芯片耐高低温冲击，耐回 流焊，长时间使用不老化。
[0052] 本发明的高折射率芯片级封装LED白光芯片荧光胶膜在芯片封装中的应用，简化 了工艺流程，避免了原有工艺中混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高成品 率和大幅度降低生产成本。
【附图说明】
[0053]图1使用真空热压机制备高折射率芯片级封装LED白光芯片荧光胶膜示意图。
[0054]图2为高折射率芯片级封装LED白光芯片荧光胶膜用于芯片封装示意图。
[0055]图3为实施例1刚制备出的高折射率芯片级封装LED白光芯片荧光胶膜的SEM图片。 [0056]图4为实施例1制备的高折射率芯片级封装LED白光芯片荧光胶膜2个月后的SEM图 片。
[0057] 图5为封装后切割前的封装LED芯片的仰视照片。
[0058] 图6为封装后切割后的封装LED芯片的照片。
[0059] 图7为封装后切割后的单颗倒装LED白光芯片的照片。
【具体实施方式】
[0000]本发明中所述的芯片级封装是指Chip Scale Package(CSP)，它是新一代的芯片 封装技术，封装体尺寸相比芯片尺寸不大于120%，且功能完整的封装元件。CSP器件的优势 在于单个器件的封装简单化，小型化，尽可能降低每个器件的物料成本。由倒装芯片实现的 芯片级白光LED封装即白光芯片，可直接贴装于印刷线路板上，省去支架或基板，工艺上节 省了固晶、打线、点胶封装等步骤，大大的简化了LED产业链的生产环节，方便下游客户应 用，并极大地节省成本。
[0061]支撑物是指玻璃板、聚对苯二甲酸乙二醇酯板、不锈钢板、合金板和陶瓷板等。 [0062]本发明中所述的LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉至少一 种。
[0063] YAG荧光粉为YAG YG538荧光粉(弘大贸易股份有限公司），英特美型号为YAG-01， YAG-02，YAG-1A，YAG-2A，YAG-04，YAG-05和YAG-06荧光粉，杭州萤鹤光电材料有限公司型号 为YH-Y538M，YH-Y558M，YH-Y565M。
[0064] 氮化物荧光粉为MPR-1003/D荧光粉(三菱化学（中国）商贸有限公司）、YH-C625E荧 光粉(杭州萤鹤光电材料有限公司）、YH-C630E和YH-C630荧光粉(杭州萤鹤光电材料有限公 司），迪诺系列（DIN0)氮化物型号为DAM3028A，DAM3028，DAM3058荧光粉，暖白高显色单粉， 氮化物高显红粉型号为 R-610，R-620，R-630，R-640，R-650，R-655，R-670 荧光粉。
[0065] 硅酸盐系荧光粉为G2762-10荧光粉(兰博光电（苏州）科技有限公司）、G2762-15 (兰博光电（苏州)科技有限公司）、德国默克硅酸盐荧光粉型号为SGA515-100、SGA521-100、 SGA530-100、SGA 540-100、SGA 550-100、SGA560-100、SGA580-100、SGA600-100或SGA605-100荧光粉。
[0066]本实施例的所用荧光粉，也可以用其他厂家的其他型号荧光粉替代，其它步骤同 本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0067]第一种含有环氧基改性增粘剂（I)的制备方法:利用甲基苯基环三硅氧烷、四甲基 二乙烯基二硅氧烷、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、二甲基二苯基四乙烯基环四硅氧烷和2， 4,6,8_四甲基_2,4,6,8_四[3-(环氧乙烷基甲氧基）丙基]环四硅氧烷反应而得到，通过控 制反应物之间比例，就可以制备出结构如（I)所示的含有环氧基改性增粘剂。
[0068] Uj
[0069] 其中，Rh为乙烯基、甲基或苯基;Rh为乙烯基、甲基或苯基;Rh为乙烯基、甲基或 苯基；
[0070] 办为甲基或苯基；
[0071] R3为甲基或苯基；
[0072] R4-1为乙烯基、甲基或苯基;R4-2为乙烯基、甲基或苯基;R4-3为乙烯基、甲基或苯基；
[0073] m+n+o为 10-100的整数，并且η和〇分别是 2 1 的整数，（n+o)/(m+n+o) =0· 1-0.4;
[0074] 第二种含有环氧基改性增粘剂(II)的制备方法:利用甲基苯基含氢硅油和烯丙基 缩水甘油醚经过铂催化Si-H和双键加成反应制备，通过选择甲基苯基含氢硅油和控制反应 物之间比例，就可以制备出结构如（II)所示的含有环氧基改性增粘剂。
[0075]
[0076] 其中，R5-1为氢、甲基或苯基;R5-2为氢、甲基或苯基;R5-3为氢、甲基或苯基；
[0077] R6为甲基或苯基；
[0078] R7为甲基或苯基；
[0079] Rs-i为氢、甲基或苯基;Rs-2为氢、甲基或苯基;Rs-3为氢、甲基或苯基；
[0080] p+q+r为 10-100的整数，并且q和r分别是 2 1 的整数，（q+r)/(p+q+r) =0· 1-0.4;
[0081] 第三种含有环氧基改性增粘剂(III)的制备方法:利用甲基苯基含氢硅油、烯丙基 缩水甘油醚和γ-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷经过铂催化Si-H和双键加成反应制备，通 过选择甲基苯基含氢硅油和控制反应物之间比例，就可以制备出结构如（III)所示的含有 环氧基改性增粘剂。
[0082]
[0083 ] 其中，R9-1为氢、甲基或苯基;R9-2为氢、甲基或苯基;R9-3为氢、甲基或苯基；
[0084] R1Q为甲基或苯基；
[0085] Rn为甲基或苯基；
[0086] R12为甲基或苯基；
[0087] R13-1为氢、甲基或苯基;R13-2为氢、甲基或苯基;R13-3为氢、甲基或苯基；
[0088] t为1-4的整数，s+u+ν为10-100的整数，并且u和v分别是2 1的整数，（u+v)/(s+u+ v) =0.1-0.4；
[0089] 下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。
[0090] 实施例1
[0091] 高折射率芯片级封装LED白光芯片荧光胶膜的制备方法，包括如下步骤：
[0092] (1)取甲基苯基乙烯基硅树脂和单氢封端聚甲基苯基硅氧烷，混合均匀得混合物 一;所述单氢封端聚甲基苯基硅氧烷的Si-H摩尔数是甲基苯基乙烯基硅树脂的乙烯基摩尔 数的0.3倍；
[0093]甲基苯基乙烯基硅树脂的规格为乙烯基含量0.1 %、粘度200000mPa. s，折光指数 1.45；
[0094]单氢封端聚甲基苯基硅氧烷的规格为粘度20mPa.s，折光指数1.45;
[0095] (2)将混合物一与相当于混合物一质量3.0 X 10-8倍的卡式铂金催化剂混合均匀， 在100 °C反应6小时，得到梳状甲基苯基乙烯基硅树脂；调节温度至50 °C，加入α，ω -双氢封 端聚甲基苯基硅氧烷，反应30分钟，降低温度至室温得混合物二;所述α，ω -双氢封端聚甲 基苯基硅氧烷的Si-H摩尔数是甲基苯基乙烯基硅树脂的乙烯基摩尔数的0.05倍；
[0096] α，ω-双氢封端聚甲基苯基硅氧烷的规格为粘度20mPa.s，折光指数1.45;
[0097] (3)向混合物二中，加入混合物二质量0.01倍的甲基苯基乙烯基硅树脂(规格为乙 烯基含量2%、粘度lOOOOOmPa.s，折光指数1.5)，0.05倍的LED荧光粉(YAG YG538荧光粉）， 搅拌混合均匀，得到混合物三；
[0098] (4)向混合物三中，按照2分钟间隔依次加入混合物三质量0.0005倍1-乙炔-1-环 已醇，0.005倍γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷，甲基苯基含氢硅油混合均匀，得混合 物四，所述甲基苯基含氢硅油中的Si-H摩尔数是步骤（1)所述甲基苯基乙烯基硅树脂乙烯 基摩尔数的0.8倍；
[0099] 所述甲基苯基含氢硅油的规格为氢含量0.05%、粘度5mPa.s。
[0100] (5)将混合物四放