的移除速率。上述的碱性环境具体为将pH值调控于7至12的范围内。
[0036] 由此可见，相对于比较例1-4,本发明研磨组成物中所添加的具有六价钢或五价饥 的化合物可大幅提升娃的移除率，同时提高娃错与娃相对于二氧化娃的选择性。
[0037] 在本发明另一实施例中，所述研磨组成物也可包含:研磨颗粒；阴离子添加物；W 及载剂。其中所述研磨颗粒可选自胶体二氧化娃或熏制二氧化娃，其含量相对于所述载剂 (例如:去离子水或其他包含水的溶液)的重量百分比浓度可优选为O.Olwt%至5wt%;所述 阴离子添加物可选自为，但非限于氣化钟、氣化钢、氣化锭、Ξ氣醋酸、Ξ氣醋酸钟、Ξ氣醋 酸钢等所组成的族群中的至少一者，且其含量相对于所述载剂的重量百分比浓度可优选为 0.0 lwt% 至1. Owt%。
[0038] 请参考下表Ξ，表Ξ为本发明利用上述研磨组成物对娃错基材(错的含量为10% 至80 % )、娃基材与二氧化娃基材进行化学机械抛光的具体实施例，其抛光条件与上述比较 例相同，在此不再寶述。
[0039] 表 S
[0040]
[0041] 所述阴离子添加物和娃有很强的作用力，例如在表Ξ中所列举的氣离子可与娃生 成强烈的Si-F键，因此可进一步协助Si-Si断键而达到移除的目的。由表Ξ实施例18-25的 数据显示，在碱性环境下，将作为阴离子添加物的氣离子或Ξ氣醋酸根离子调配于100~ 100(K)ppm的浓度范围下可少量提升娃和娃错的移除速率，对于二氧化娃的移除速率则较无 显着影响。
[0042] 综合上述实施例1-25的数据显示，具有六价钢或五价饥的化合物和阴离子添加物 可提升娃和娃错的移除率，但是再提高到更高的剂量时提升娃和娃错的移除速率逐渐趋 缓。
[0043] 在本发明的另一实施例中，上述研磨组成物除了研磨颗粒W及载剂之外也可同时 包含具有六价钢或五价饥的化合物W及一阴离子添加物。其中所述娃研磨颗粒可选自胶体 二氧化娃或熏制二氧化娃，其含量相对于所述载剂(例如：去离子水或其他包含水的溶液） 的重量百分比浓度可优选为0.0Iwt%至5wt% ;所述具有六价钢或五价饥的化合物可选自 为，但非限于Ξ氧化钢、钢酸、憐钢酸、五氧化二饥、偏饥酸钢与饥酸钢等所组成的族群中的 至少一者;所述阴离子添加物可选自为，但非限于氣化钟、氣化钢、氣化锭、Ξ氣醋酸、Ξ氣 醋酸钟、Ξ氣醋酸钢等所组成的族群中的至少一者。上述具有六价钢或五价饥的化合物W 及一阴离子添加物的浓度相对于所述载剂的重量百分比浓度较皆可选自为O.Olwt%至 1 .Owt%。
[0044] 请参考下表四，表四为本发明利用上述研磨组成物对娃错基材(错的含量为10% 至80 % )、娃基材与二氧化娃基材进行化学机械抛光的具体实施例，其抛光条件与上述比较 例相同，在此不再寶述。
[0045] 表四
[0046]
[0047]由表四实施例26-35的数据显示，将1500 ppm的五氧化二饥或Ξ氧化钢(金属催化 剂)与100~100(K)ppm的氣化钟或2000ρρπιΞ氣醋酸（阴离子添加物)混合后，在碱性环境下， 可再进一步提高娃和娃错的移除率，对于二氧化娃的移除率则较无明显影响。由表中结果 得知随着五氧化二饥与氣化钟剂量的提高，娃错和娃的移除速率增加的幅度会变缓，对于 二氧化娃的移除速率则较无显着影响。
[0048] 由于在上述表四中娃错的移除率仍然偏低，因此，于本发明的另一实施例中，上述 研磨组成物除了研磨颗粒、载剂、六价钢或五价饥的化合物W及一阴离子添加物之外还可 进一步包含有一面素氧化物的化合物或其盐类。其中所述面素氧化物的化合物或其盐类具 有氧化剂的功效，且可选自为，但非限于过舰酸钟、舰酸钟、过氯酸钟、过氯酸钢、氯酸钟、氯 酸钢、次氯酸钢等所组成的族群中的至少一者，且其浓度相对于所述载剂的重量百分比浓 度可选自为0. 〇5wt %至5wt %。
[0049] 请参考下表五，表五为本发明利用上述研磨组成物对娃错基材、娃基材与二氧化 娃基材进行化学机械抛光的具体实施例，其抛光条件与上述比较例相同，在此不再寶述。
[0050] 表五
[0051]
[0052]
[0053]
[0054] 实施例36-53系将做为氧化剂的舰酸钟或次氯酸钢W500~5000化pm的浓度混入 浓度为1500ppm的五氧化二饥或Ξ氧化钢(金属催化剂)和浓度为2000ppm的氣化钟（阴离子 添加物)的溶液中。数据显示所述氧化剂的加入可再提升娃的移除速率，并大幅提升娃错的 移除率，且静态蚀刻率为0,而在抑7~12间研磨数据也接近。实施例42-44与51-53数据显示 提高研磨粒含量也会提高娃错、娃与二氧化娃的研磨率。
[0055] 综合上述比较例与实施例的数据可得知:含面素氧化物的氧化剂可氧化娃与娃错 基材，使其基材表面形成氧化层W利提升移除速率，在阴离子添加物和具六价钢或五价饥 的化合物的存在下可弹性调整娃、娃错与二氧化娃基材的移除比。例如在实施例31中，娃对 二氧化娃选择比分别为60:1;娃错与二氧化娃选择比为45:1;娃与娃错选择比为1.3 :1。本 发明的研磨组成物具有娃错基材对二氧化娃基材的高选择比、娃基材对二氧化娃基材的高 选择比，且所述选择比可依需求调整，因此可视为例如W娃错为主材料的罐式场效晶体管 的研磨需求。
[0056] 本发明的研磨组成物在娃与娃错基材移除率、相对选择性、无静态蚀刻率方面皆 发挥显着优异的效果，此外本发明所述研磨组成物的pH值控制于7至12的范围内，因此阴离 子添加物不会形成对人体有害的氨氣酸，使用所述研磨组成物进行娃错合金基材抛光时， 可降低化学药剂对人体及环境的伤害。
【主权项】
1. 一种研磨组成物，适用于硅锗合金基材的研磨，其特征在于，包含:研磨颗粒;具有六 价钼或五价钒的化合物，用于直接对所述硅锗合金基材进行催化和氧化反应；以及载剂，所 述研磨颗粒的含量为0.0 lwt %至5wt %，所述具有六价钼或五价f凡的化合物的含量为 0 · Olwt% 至1 · Owt%。2. 根据权利要求1所述的研磨组成物，其特征在于，所述研磨组成物还包含一阴离子添 加物，所述阴离子添加物的含量为o.oiwt%至l.Owt%。3. 根据权利要求2所述的研磨组成物，其特征在于，所述研磨组成物还包含有一含卤素 氧化物的化合物或其盐类，其中所述卤素氧化物的化合物或其盐类的含量为0.05wt%至 5wt% 〇4. 根据权利要求1-3中任一所述的研磨组成物，其特征在于，所述研磨颗粒为选自胶体 二氧化硅或熏制二氧化硅。5. 根据权利要求1-3中任一所述的研磨组成物，其特征在于，所述具有六价钼或五价钒 的化合物为选自三氧化钼、钼酸、磷钼酸、五氧化二钒、偏钒酸钠与钒酸钠等所组成的族群 中的至少一者。6. 根据权利要求2-3中任一所述的研磨组成物，其特征在于，所述阴离子添加物为选自 氟化钾、氟化钠、氟化铵、三氟醋酸、三氟醋酸钾、三氟醋酸钠等所组成的族群中的至少一 者。7. 根据权利要求3所述的研磨组成物，其特征在于，所述含卤素氧化物的化合物或其盐 类为选自过碘酸钾、碘酸钾、过氯酸钾、过氯酸钠、氯酸钾、氯酸钠、次氯酸钠等所组成的族 群中的至少一者。8. 根据权利要求1-3中任一所述的研磨组成物，其特征在于，所述载剂包括水。9. 根据权利要求1-3中任一所述的研磨组成物，其特征在于，所述研磨组成物的pH值范 围为7至12。10. 根据权利要求1-3中任一所述的研磨组成物，其特征在于，用于硅锗基材、硅基材与 二氧化硅基材的化学机械抛光。11. 根据权利要求10所述的研磨组成物，其特征在于，在所述硅锗基材中锗的含量为 10%至 80%。12. 根据权利要求11所述的研磨组成物，其特征在于，所述硅锗基材的静态蚀刻速率为 〇埃/分钟。
【专利摘要】本发明涉及一种pH介于7至12范围内的研磨组成物，用于硅锗基材、硅基材和二氧化硅基材的化学机械抛光。所述研磨组成物包括有研磨颗粒、具有六价钼或五价钒的化合物、阴离子添加物、含卤素氧化物的化合物或其盐类以及载剂，所述具有六价钼或五价钒的化合物可有效提升硅锗合金与硅的移除率，同时提高硅锗与硅相对于二氧化硅的选择性。
【IPC分类】C23F3/04, C09G1/02, H01L21/306
【公开号】CN105585965
【申请号】CN201510736853
【发明人】何云龙, 李圳杰, 张松源, 陆明辉, 何明彻
【申请人】盟智科技股份有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年11月3日