基于基因治疗的半导体微针组件、及制造方法和制造模具与流程

文档序号:12225640阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于基因治疗的半导体微针组件,其特征在于,所述半导体微针组件包括内窥镜、微针单元及连接内窥镜和微针单元的导管,所述微针单元由半导体材料制备,微针单元包括基体及位于基体表面的若干微针,所述基体一端与导管相连通,另一端为封闭设置,微针用于刺破胆道细胞以使药剂或基因进入细胞内。

2.根据权利要求1所述的半导体微针组件,其特征在于,所述微针呈尖锐的棱锥形分布于基体表面。

3.根据权利要求1所述的半导体微针组件,其特征在于,所述导管为柔性的硅胶导管,硅胶导管用于将内窥镜的摆动转化为微针单元的摆动。

4.根据权利要求1所述的半导体微针组件,其特征在于,所述基体表面设有基因流出孔。

5.一种基于基因治疗的微针组件的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:

S1、在单晶硅硅片上生长SiO2薄膜;

S2、采用非等向性蚀刻单晶硅硅片以产生微针;

S3、以S2中的微针为母模进行一次镍电铸翻制成模仁,再将模仁镶入模具中进行塑料射出压缩成型,制造出微针单元;

S4、将微针单元与内窥镜通过导管连接,形成半导体微针组件。

6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述步骤S1前还包括:

将单晶硅硅片置于去离子水、乙腈、双氧水的混合溶液中,加热处理。

7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述去离子水、乙腈、双氧水的体积比为5:1:0.5,加热温度为70℃,处理时间10min。

8.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述步骤S2具体包括:

将生长SiO2薄膜后的单晶硅硅片进行切割后,置于旋转涂布机的吸盘上,滴上光阻剂;

将涂着光阻剂的单晶硅硅片置于曝光机中进行曝光;

将曝光后的单晶硅硅片浸泡于显影液中,再置于加热板硬烤;

浸泡BOE溶液蚀刻SiO2薄膜以复制图形;

蚀刻完成后以丙酮洗去光阻剂;

将刻蚀后的单晶硅硅片浸泡于加热后的45%wt KOH溶液中一定时间。

9.一种基于基因治疗的半导体微针组件的制造模具,其特征在于,所述模具包括固定侧固定板、可动侧固定板、及位于固定侧固定板和可动侧固定板之间的固定侧型模板、可动侧型模板、间隔板,固定侧固定板和可动侧固定板之间还依次设有滑块、剥料板、心型固定板、顶销定位板、及顶销固定板,滑块内侧的心型固定板上形成有心型,间隔板上固定安装有升降杆,固定侧固定板上固定安装有定位环,定位环内安装有注道衬套,模仁锁固于滑块内侧以进行塑料射出压缩成型,在模仁上制造出与微针相对的凹槽。

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