1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成第一金属层；
在所述第一金属层上形成突起抑制导电层；
在所述突起抑制导电层上形成第二金属层，所述第二金属层的材料与所述第一金属层的材料相同。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的材料为Al或AlCu；所述第二金属层的材料为Al或AlCu。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度之和为预定厚度，且所述第一金属层的厚度为所述预定厚度的3/10～1/2。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为3000埃～5000埃；所述第二金属层的厚度为3000埃～5000埃。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述突起抑制导电层的材料为TiN、Ti、TaN或Ta中的一种或多种；所述突起抑制导电层的厚度为50埃～200埃。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
图形化所述第二金属层、突起抑制导电层以及第一金属层，在所述基底上形成分立的键合金属层以及中间金属层，且所述键合金属层与所述中间金属层间隔分布；
提供下基板以及位于所述下基板上的上基板，其中，所述下基板内具有凹槽，所述上基板表面具有梳齿结构，且所述梳齿结构位于所述凹槽正上方；
将所述上基板与所述键合金属层相键合，使得所述中间金属层位于所述梳齿结构正上方。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在图形化所述第二金属层、突起抑制导电层以及第一金属层之前，在所述第二金属层上形成绝缘膜；在图形化所述第二金属层、突起抑制导电层以及第一金属层的工艺过程中，图形化所述绝缘膜形成位于所述键合金属层上的绝缘层；
将所述上基板与所述键合金属层相键合的步骤包括：
在所述绝缘层上以及中间金属层上形成第一键合膜；
图形化所述第一键合膜，形成位于所述绝缘层上的第一键合层；
在所述上基板部分表面上形成第二键合层；
通过所述第一键合层与所述第二键合层之间互熔，使所述上基板与所述键合金属层相键合。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一键合层的材料为AlCu；所述第二键合层的材料为Ge。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底上的分立的键合金属层以及中间金属层，且所述键合金属层与所述中间金属层相互分立，其中，所述键合金属层包括位于基底上的键合第一金属层、位于键合第一金属层上的键合突起抑制导电层以及位于键合突起抑制导电层上的键合第二金属层，所述中间金属层包括位于基底上的中间第一金属层、位于中间第一金属层上的中间突起抑制导电层以及位于中间突起抑制导电层上的中间第二金属层，所述键合第一金属层、键合第二金属层、中间第一金属层以及中间第二金属层的材料相同；
下基板以及位于所述下基板上的上基板，其中，所述下基板内具有凹槽，所述上基板表面具有梳齿结构，且所述梳齿结构位于所述凹槽正上方；
其中，所述键合金属层与所述上基板相键合，且所述中间金属层位于所述梳齿结构正上方。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述突起抑制导电层的材料为Ti、TiN、Ta或TaN中的一种或多种；所述突起抑制导电层的厚度为50埃～200埃。